맞춤기술찾기

이전대상기술

3차원 구조를 가지는 플래시 메모리 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015142376
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 높은 집적도를 획득할 수 있는 3차원 구조를 가지는 플래시 메모리 및 이의 제조방법이 개시된다. 워드라인과 연결되는 컨택 영역은 셀 영역으로부터 제1 방향으로 신장되게 형성된다. 컨택 영역을 구성하는 다수의 단차막들은 제1 방향과 다른 제2 방향으로 단차를 가지고 형성된다. 플래시 메모리, 3차원 구조, BiCS
Int. CL H01L 27/115 (2017.01.01) H01L 21/8247 (2006.01.01)
CPC H01L 27/11578(2013.01) H01L 27/11578(2013.01) H01L 27/11578(2013.01) H01L 27/11578(2013.01) H01L 27/11578(2013.01)
출원번호/일자 1020090135316 (2009.12.31)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2011-0078490 (2011.07.07) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 취하
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 18

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이승백 대한민국 경기도 용인시 기흥구
2 오슬기 대한민국 서울특별시 성동구
3 이준혁 대한민국 서울특별시 성동구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.12.31 수리 (Accepted) 1-1-2009-0820328-95
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
번갈아가며 형성된 절연막과 전극막을 가지고, 절연막과 전극막을 관통하는 다층 플러그를 가지는 셀 영역; 및 상기 셀 영역으로부터 제1 방향으로 신장되고, 상기 제1 방향에 수직한 제2 방향으로 단차를 가지는 컨택 영역을 포함하는 플래시 메모리
2 2
제1항에 있어서, 상기 다층 플러그는 외곽을 향해 ONO(Oxide-Nitride-Oxide) 구조를 가지고, 중심 부위는 다결정 실리콘으로 구성되는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리
3 3
제1항에 있어서, 상기 컨택 영역은 상부로 갈수록 좁은 폭을 가지는 다수개의 단차막들로 구성되는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리
4 4
제3항에 있어서, 상기 단차막은 상기 절연막 및 상기 전극막으로 구성되며, 하나의 단차막을 구성하는 상기 절연막 및 전극막은 동일한 프로파일을 가지는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리
5 5
제1항에 있어서, 상기 플래시 메모리는, 상기 셀 영역의 상부에 비트라인과 전기적 연결을 달성하기 위한 비트라인 배선영역을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리
6 6
제5항에 있어서, 상기 비트라인 배선영역은 상기 제1방향으로 신장되고 패턴화된 스트링 선택영역; 및 상기 스트링 선택영역과 전기적으로 연결된 비트 라인을 포함하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리
7 7
제1항에 있어서, 상기 컨택 영역은 다수개의 단차 그룹들을 가지고, 각각의 단차그룹은 인접한 단차그룹과 단차를 가지는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리
8 8
제7항에 있어서, 상기 단차 그룹들은 상부로 갈수록 좁은 폭을 가지는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리
9 9
제7항에 있어서, 상기 단차 그룹들은 상기 제1 방향으로 상호간에 단차를 가지고, 하나의 단차 그룹을 형성하는 단차막들은 상기 제2 방향으로 상호간에 단차를 가지는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리
10 10
절연막 및 전극막을 순차적으로 적층하고, 상기 절연막 및 전극막을 관통하는 다층 플러그를 형성하는 단계; 최상층의 상기 전극막 상부에 선택 절연막 및 선택 도전막을 형성하고 상기 선택 절연막 및 선택 도전막을 관통하고 상기 다층 플러그에 전기적으로 연결되는 스트링 플러그를 형성하는 단계; 상기 선택 절연막 및 선택 도전막에 대한 선택적 식각을 통해 스트링 선택 영역을 형성하여, 셀 영역과 제1 방향으로 신장된 컨택 영역을 정의하는 단계; 및 상기 컨택 영역에 대한 순차적 패턴 전사를 통해 상기 제1 방향에 수직한 제2 방향의 단차를 가지는 다수의 단차막들을 형성하는 단계를 포함하는 플래시 메모리의 제조방법
11 11
제10항에 있어서, 상기 플래시 메모리의 제조방법은 다수의 단차막을 형성하는 단계 이후에, 상기 셀 영역 및 상기 컨택 영역을 양분하는 트렌치를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리의 제조방법
12 12
제10항에 있어서, 상기 다층 플러그는 상기 셀 영역에 형성되는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리의 제조방법
13 13
제10항에 있어서, 상기 스트링 선택 영역은 상기 선택적 식각을 통해 상기 제1 방향으로 신장된 패턴으로 형성되는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리의 제조방법
14 14
제13항에 있어서, 상기 셀 영역과 상기 컨택 영역을 정의하는 단계는 상기 셀 영역 및 상기 컨택 영역을 양분하는 트렌치를 형성하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리의 제조방법
15 15
제10항에 있어서, 상기 상기 플래시 메모리의 제조방법은 다수의 단차막을 형성하는 단계 이후에, 상기 스트링 선택 영역에 대한 식각을 통해 상기 제1 방향으로 신장된 패턴화된 스트링 선택 영역을 형성하고, 상기 셀 영역 및 상기 컨택 영역을 양분하는 트렌치를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리의 제조방법
16 16
셀 트랜지스터가 구비된 셀 영역과 연결되고, 워드라인에 전기적으로 연결되는 컨택 영역을 가지는 플래시 메모리에 있어서, 상기 셀 영역과 상기 컨택 영역의 배치방향과 다른 방향으로 형성된 단차를 가지는 다수의 단차막이 포함된 컨택 영역을 가지는 플래시 메모리
17 17
제16항에 있어서, 상기 컨택 영역은 상기 셀 영역으로부터 제1 방향으로 배치되고, 상기 단차막들은 상기 제1 방향에 수직인 제2 방향으로 단차를 형성하되, 상부로 갈수록 작은 면적을 가지는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리
18 18
제17항에 있어서, 상기 단차막은 절연막 및 전도막으로 구성되며, 하나의 상기 단차막을 구성하는 상기 절연막 및 전도막은 동일한 프로파일을 가지는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 KR101055587 KR 대한민국 FAMILY
2 US20130009274 US 미국 FAMILY
3 WO2011081438 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
4 WO2011081438 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
DOCDB 패밀리 정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.