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터널링 소자 및 그 제조방법

기술번호 : KST2015143449
담당센터 : 경기기술혁신센터
전화번호 : 031-8006-1570

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	터널링 소자 및 그 제조방법에 관해 개시되어 있다. 개시된 터널링 소자는 제1도전형의 2차원 물질을 포함하는 제1물질층과 제2도전형의 2차원 물질을 포함하는 제2물질층 사이에 터널 배리어층을 포함할 수 있다. 상기 제1물질층은 P형 도펀트로 도핑된 그래핀을 포함할 수 있다. 상기 제2물질층은 N형 도펀트로 도핑된 그래핀을 포함할 수 있다. 이 경우, 상기 제1물질층의 일함수는 5.0∼5.9 eV 정도일 수 있고, 상기 제2물질층의 일함수는 3.2∼4.0 eV 정도일 수 있다. 상기 터널 배리어층은 2차원 물질을 포함할 수 있다.
Int. CL	H01L 29/78 (2006.01.01) H01L 21/336 (2006.01.01)
CPC	H01L 29/66931(2013.01) H01L 29/66931(2013.01) H01L 29/66931(2013.01)
출원번호/일자	1020130083154 (2013.07.15)
출원인	삼성전자주식회사, 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자	10-2100415-0000 (2020.04.07)
공개번호/일자	10-2015-0008770 (2015.01.23) 문서열기
공고번호/일자	(20200414) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	등록
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2018.07.02)
심사청구항수	21

출원인

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번호	이름	국적	주소
1	삼성전자주식회사	대한민국	경기도 수원시 영통구
2	성균관대학교산학협력단	대한민국	경기도 수원시 장안구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	최준희	대한민국	경기 성남시 분당구
2	유원종	미국	경기도 수원시 장안구
3	이승환	대한민국	경기 수원시 장안구
4	최민섭	대한민국	경기 수원시 장안구
5	유효지	중국	경기 수원시 장안구
6	이지아	대한민국	경기 수원시 장안구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	리앤목특허법인	대한민국	서울 강남구 언주로 길 , 층, 층, 층, *층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	삼성전자주식회사		경기도 수원시 영통구
2	성균관대학교 산학협력단		경기도 수원시 장안구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2013.07.15	수리 (Accepted)	1-1-2013-0636757-79
2	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2017.02.23	수리 (Accepted)	4-1-2017-5028829-43
3	[심사청구]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)	2018.07.02	수리 (Accepted)	1-1-2018-0647805-14
4	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2019.08.16	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2019-0589967-22
5	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2019.10.16	수리 (Accepted)	1-1-2019-1056668-17
6	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2019.10.16	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2019-1056669-52
7	등록결정서 Decision to grant	2020.01.07	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2020-0016797-08

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 터널 배리어층; 상기 터널 배리어층의 제1면에 구비된 것으로, P형의 2차원 물질을 포함하는 제1물질층; 및 상기 터널 배리어층의 제2면에 구비된 것으로, N형의 2차원 물질을 포함하는 제2물질층;을 포함하고, 상기 터널 배리어층을 통한 상기 제1 및 제2물질층 사이의 터널링 전류를 이용하며,상기 제1물질층의 일함수는 5
2	2 제 1 항에 있어서, 상기 P형의 2차원 물질은 P형 도펀트로 도핑된 그래핀을 포함하고, 상기 N형의 2차원 물질은 N형 도펀트로 도핑된 그래핀을 포함하는 터널링 소자
3	3 삭제
4	4 제 1 항에 있어서, 상기 터널 배리어층은 2차원 물질을 포함하는 터널링 소자
5	5 제 4 항에 있어서, 상기 터널 배리어층은 h-BN, MoS2, MoSe2, MoTe2, WS2, WSe2, WTe2, GaS 및 GaSe 중 하나를 포함하는 터널링 소자
6	6 제 4 항에 있어서, 상기 터널 배리어층은 TMDC(transition metal dichalcogenide)를 포함하는 터널링 소자
7	7 제 1 항에 있어서, 상기 P형의 2차원 물질은 P형 TMDC 물질을 포함하고, 상기 N형의 2차원 물질은 N형 TMDC 물질을 포함하는 터널링 소자
8	8 제 1 항에 있어서, 상기 P형의 2차원 물질은 WSe2, NbSe2 및 GaSe 중 하나를 포함하고, 상기 N형의 2차원 물질은 MoS2, MoSe2, MoTe2, WS2, WSe2, WTe2 및 GaS 중 하나를 포함하는 터널링 소자
9	9 제 7 항 또는 제 8 항에 있어서, 상기 터널 배리어층은 h-BN 을 포함하거나, 밴드갭이 1
10	10 제 1 항에 있어서, 상기 터널링 소자는 정류 특성을 갖는 터널링 소자
11	11 제 1 항에 있어서, 상기 터널링 소자는 2-터미널(terminal) 구조를 갖는 터널링 소자
12	12 제 1 항에 있어서, 상기 제1물질층에 접촉된 제1전극; 및 상기 제2물질층에 접촉된 제2전극;을 더 포함하는 터널링 소자
13	13 제 1 항에 있어서, 기판 상에 상기 제1 및 제2물질층 중 어느 하나(이하, 제1층)가 구비되고,상기 제1층의 제1영역 상에 그와 인접한 상기 기판 영역으로 연장된 상기 터널 배리어층이 구비되고, 상기 터널 배리어층의 제1영역 상에 상기 제1 및 제2물질층 중 다른 하나(이하, 제2층)가 구비되고, 상기 제1층의 제2영역 상에 그와 인접한 상기 터널 배리어층의 제2영역으로 연장된 제1전극이 구비되고, 상기 제2층 상에 제2전극이 구비된 터널링 소자
14	14 기판 상에 제1도전형의 2차원 물질로 제1물질층을 형성하는 단계; 상기 제1물질층 상에 터널 배리어층을 형성하는 단계; 및상기 터널 배리어층 상에 제2도전형의 2차원 물질로 제2물질층을 형성하는 단계;를 포함하며,상기 제1물질층은 5
15	15 제 14 항에 있어서, 상기 제1물질층을 형성하는 단계는, 상기 기판 상에 제1그래핀층을 형성하는 단계; 및 화학적 도핑 공정을 이용해서, 상기 제1그래핀층을 제1도전형 도펀트로 도핑하는 단계;를 포함하는 터널링 소자의 제조방법
16	16 제 15 항에 있어서, 상기 제1도전형이 P형인 경우, 상기 제1도전형 도펀트의 소스로 AuCl3 및 디아조늄염(diazonium-salt) 중 적어도 하나를 사용하는 터널링 소자의 제조방법
17	17 제 14 항에 있어서, 상기 제2물질층을 형성하는 단계는, 상기 터널 배리어층 상에 제2그래핀층을 형성하는 단계; 및 화학적 도핑 공정을 이용해서, 상기 제2그래핀층을 제2도전형 도펀트로 도핑하는 단계;를 포함하는 터널링 소자의 제조방법
18	18 제 17 항에 있어서, 상기 제2도전형이 N형인 경우, 상기 제2도전형 도펀트의 소스로 BV(benzyl-viologen) 및 PEI(polyethylenimine) 중 적어도 하나를 사용하는 터널링 소자의 제조방법
19	19 삭제
20	20 제 14 항에 있어서, 상기 터널 배리어층은 2차원 물질을 포함하는 터널링 소자의 제조방법
21	21 제 20 항에 있어서, 상기 터널 배리어층은 h-BN, MoS2, MoSe2, MoTe2, WS2, WSe2, WTe2, GaS 및 GaSe 중 하나를 포함하는 터널링 소자의 제조방법
22	22 제 14 항에 있어서, 상기 제1물질층은 WSe2, NbSe2 및 GaSe 중 하나를 포함하고, 상기 제2물질층은 MoS2, MoSe2, MoTe2, WS2, WSe2, WTe2 및 GaS 중 하나를 포함하는 터널링 소자의 제조방법
23	23 제 14 항에 있어서, 상기 제1물질층에 접촉된 제1전극을 형성하는 단계; 및상기 제2물질층에 접촉된 제2전극을 형성하는 단계;를 더 포함하는 터널링 소자의 제조방법

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1	US09269775	US	미국	FAMILY
2	US20150014630	US	미국	FAMILY

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특허 등록번호	10-2100415-0000

권리란

표시번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 권리란 표입니다.
표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20130715 출원 번호 : 1020130083154 공고 연월일 : 20200414 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20200107 청구범위의 항수 : 21 유별 : H01L 29/78 발명의 명칭 : 터널링 소자 및 그 제조방법 존속기간(예정)만료일 :

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 성균관대학교 산학협력단 경기도 수원시 장안구...
1	(권리자) 삼성전자주식회사 경기도 수원시 영통구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	854,000 원	2020년 04월 08일	납입

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정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
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번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2013.07.15	수리 (Accepted)	1-1-2013-0636757-79
2	출원인정보변경(경정)신고서	2017.02.23	수리 (Accepted)	4-1-2017-5028829-43
3	[심사청구]심사청구(우선심사신청)서	2018.07.02	수리 (Accepted)	1-1-2018-0647805-14
4	의견제출통지서	2019.08.16	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2019-0589967-22
5	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2019.10.16	수리 (Accepted)	1-1-2019-1056668-17
6	[명세서등 보정]보정서	2019.10.16	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2019-1056669-52
7	등록결정서	2020.01.07	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2020-0016797-08

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