맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

전계효과 트랜지스터 및 그의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015143637
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본원은, 전극 및 채널을 그래핀층으로 형성함으로써 접촉저항을 줄일 수 있으며, 높은 투과율을 보일 수 있는 전계효과 트랜지스터 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01)
CPC H01L 29/1606(2013.01) H01L 29/1606(2013.01)
출원번호/일자 1020110072851 (2011.07.22)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2013-0011593 (2013.01.30) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 취하
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 10

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 염근영 대한민국 서울특별시 송파구
2 임웅선 대한민국 서울특별시 마포구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인엠에이피에스 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 (역삼동, 한동빌딩)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.07.22 수리 (Accepted) 1-1-2011-0566481-28
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기재 양측 상에 각각 형성된 소스 및 드레인 전극; 및상기 소스 및 드레인 전극과 전기적으로 연결된 채널층:을 포함하며,상기 소스 및 드레인 전극과 상기 채널층 각각은 그래핀층을 포함하는 것인, 전계효과 트랜지스터
2 2
제 1 항에 있어서,상기 소스 및 드레인 전극은 각각2층 이상의 그래핀층을 포함하는 것인, 전계효과 트랜지스터
3 3
제 1 항에 있어서,상기 채널층은 1 층 이상의 그래핀층을 포함하는 것인, 전계효과 트랜지스터
4 4
제 1 항에 있어서,상기 그래핀층은 금속 촉매 박막 상에서 화학기상증착법에 의하여 형성된 것인, 전계효과 트랜지스터
5 5
제 1 항에 있어서,상기 채널층은 다층의 그래핀층을 원자층 식각 방법에 의해 식각하여 형성된 것인, 전계효과 트랜지스터
6 6
제 1 항에 있어서,상기 기재는 투명 플렉서블 기재인, 전계효과 트랜지스터
7 7
제 1 항에 있어서,상기 전계효과 트랜지스터는 플레서블 또는 투명 플렉서블한 것인, 전계효과 트랜지스터
8 8
제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 따른 전계효과 트랜지스터 의 제조 방법으로서,기재 양측 상에 소스 및 드레인 전극을 각각 형성하고; 및상기 소스 및 드레인 전극과 전기적으로 연결된 채널층을 형성하는 것:을 포함하며,상기 소스 및 드레인 전극과 상기 채널층 각각은 그래핀층을 포함하는 것인, 전계효과 트랜지스터 의 제조 방법
9 9
제 8 항에 있어서,상기 채널층은 다층의 그래핀층을 원자층 식각 방법에 의해 식각하여 형성된 것인, 전계효과 트랜지스터 의 제조 방법
10 10
제 9 항에 있어서,상기 원자층 식각 방법은 반응성 라디칼을 이용하여 상기 다층의 그래핀층을 한 층씩 식각하는 것을 포함하는 것인, 전계효과 트랜지스터 의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 성균관대학교산학협력단 21세기프론티어연구개발사업 Sub-nano 소자제작을 위한 초정밀 원자층 식각 기술