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그래핀 구조체 및 그 제조방법과, 그래핀 소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015143643
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 그래핀 구조체 및 그 제조방법과, 그래핀 소자 및 그 제조방법이 개시된다. 개시된 그래핀 구조체는, 기판 상에 형성되는 측면이 노출된 성장층과, 상기 성장층의 측면에 성장된 그래핀을 포함한다.
Int. CL H01L 29/78 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01)
CPC B82Y 10/00(2013.01) B82Y 10/00(2013.01) B82Y 10/00(2013.01) B82Y 10/00(2013.01) B82Y 10/00(2013.01) B82Y 10/00(2013.01) B82Y 10/00(2013.01) B82Y 10/00(2013.01) B82Y 10/00(2013.01) B82Y 10/00(2013.01) B82Y 10/00(2013.01)
출원번호/일자 1020110062482 (2011.06.27)
출원인 삼성전자주식회사, 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2013-0006943 (2013.01.18) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.05.18)
심사청구항수 18

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최병룡 대한민국 서울특별시 서초구
2 이은경 대한민국 서울특별시 동대문구
3 황동목 대한민국 경기도 수원시 장안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 경기도 수원시 영통구
2 성균관대학교 산학협력단 경기도 수원시 장안구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.06.27 수리 (Accepted) 1-1-2011-0489824-56
2 보정요구서
Request for Amendment		 2011.06.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0057544-05
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2011.07.28 수리 (Accepted) 1-1-2011-0584273-50
4 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2011.07.28 수리 (Accepted) 1-1-2011-0584277-32
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5132663-40
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
9 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2016.05.18 수리 (Accepted) 1-1-2016-0478095-04
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.12.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0866526-18
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.01.30 무효 (Invalidation) 1-1-2018-0106701-75
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.01.30 수리 (Accepted) 1-1-2018-0106609-72
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.01.30 수리 (Accepted) 1-1-2018-0106700-29
15 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.01.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0106610-18
16 보정요구서
Request for Amendment		 2018.02.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2018-0021616-69
17 무효처분통지서
Notice for Disposition of Invalidation		 2018.03.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2018-0037175-44
18 등록결정서
Decision to grant		 2018.05.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0362981-15
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번호 청구항
1 1
기판;상기 기판 상에 형성되는 성장층; 상기 성장층의 상면을 덮도록 마련되어 상기 성장층의 측면을 노출시키는 보호층; 및 상기 성장층의 노출된 측면에 성장된 그래핀;을 포함하는 그래핀 구조체
2 2
제 1 항에 있어서,상기 성장층은 금속 또는 Ge를 포함하는 그래핀 구조체
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
제 1 항에 있어서,상기 보호층 상에 교대로 적층되는 것으로, 측면이 노출된 적어도 하나의 성장층 및 보호층; 및상기 적어도 하나의 성장층의 측면에 성장된 적어도 하나의 그래핀;을 더 포함하는 그래핀 구조체
6 6
기판 상에 적어도 하나의 성장층 및 보호층을 교대로 형성하는 단계;상기 적어도 하나의 보호층 및 성장층의 측면들과 상기 기판의 상면을 노출시키는 소정 형태의 그루브를 형성하는 단계; 및상기 그루브를 통하여 상기 적어도 하나의 성장층의 노출된 측면에 적어도 하나의 그래핀을 성장 형성하는 단계;를 포함하는 그래핀 구조체의 제조방법
7 7
제 6 항에 있어서,상기 성장층은 상기 기판 상에 금속 또는 Ge를 증착함으로써 형성되는 그래핀 구조체의 제조방법
8 8
삭제
9 9
제 6 항에 있어서,상기 보호층은 상기 성장층 상에 실리콘 산화물을 증착함으로써 형성되는 그래핀 구조체의 제조방법
10 10
제 6 항에 있어서,상기 그래핀은 화학기상증착법(CVD)에 의해 상기 성장층의 노출된 측면으로부터 성장됨으로써 형성되는 그래핀 구조체의 제조방법
11 11
제1 그래핀을 포함하는 적어도 하나의 채널; 및상기 적어도 하나의 채널 양단에 각각 연결되는 것으로, 제2 그래핀을 포함하는 제1 및 제2 전극;을 포함하는 그래핀 소자
12 12
제 11 항에 있어서,상기 제1 및 제2 전극은 상기 채널들과 일체로 형성되는 그래핀 소자
13 13
제 11 항에 있어서, 상기 제1 그래핀은 상기 제2 그래핀에 대해 수직으로 형성되면서 상기 제2 그래핀과 전기적으로 연결되는 그래핀 소자
14 14
제 11 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 전극 사이에는 복수개의 상기 채널들이 마련되며, 상기 채널들은 수평 및/또는 수직으로 배열되는 그래핀 소자
15 15
삭제
16 16
기판 상에 성장층 및 보호층을 순차적으로 형성하는 단계;상기 성장층 및 보호층의 측면들과 상기 기판의 상면을 노출시키는 적어도 하나의 제1 그루브와, 상기 보호층의 측면과 상기 성장층의 상면을 노출시키는 제2 및 제3 그루브를 형성하는 단계; 상기 제1 그루브를 통해 노출된 상기 성장층의 측면에 적어도 하나의 제1 그래핀을 성장시켜 적어도 하나의 채널을 형성하는 단계; 및상기 제2 및 제3 그루브를 통해 노출된 상기 성장층의 상면들에 제2 그래핀을 성장시켜 제1 및 제2 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 그래핀 소자의 제조방법
17 17
제 16 항에 있어서,상기 제2 및 제3 그루브는 상기 적어도 하나의 그루브 양단에 연결되도록 형성되는 그래핀 소자의 제조방법
18 18
제 17 항에 있어서,상기 제1 및 제2 전극은 상기 적어도 하나의 채널과 일체로 형성되는 그래핀 소자의 제조방법
19 19
제 18 항에 있어서,상기 제1 그래핀은 상기 제2 그래핀에 대해 수직으로 형성되면서 상기 제2 그래핀과 전기적으로 연결되는 그래핀 소자의 제조방법
20 20
제 16 항에 있어서,상기 성장층은 상기 기판 상에 금속 또는 Ge를 증착함으로써 형성되는 그래핀 소자의 제조방법
21 21
삭제
22 22
제 16 항에 있어서,상기 보호층은 상기 성장층 상에 실리콘 산화물을 증착함으로써 형성되는 그래핀 소자의 제조방법
23 23
제 16 항에 있어서,상기 제1 및 제2 그래핀은 화학기상증착법(CVD)에 의해 상기 성장층의 노출된 측면 및 상면으로부터 성장됨으로써 형성되는 그래핀 소자의 제조방법
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN102856354 CN 중국 FAMILY
2 EP02540662 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
3 EP02540662 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
4 EP02540662 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
5 JP06169328 JP 일본 FAMILY
6 JP25012736 JP 일본 FAMILY
7 US08927414 US 미국 FAMILY
8 US09178020 US 미국 FAMILY
9 US20120326115 US 미국 FAMILY
10 US20150144885 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN102856354 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 CN102856354 CN 중국 DOCDBFAMILY
3 EP2540662 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
4 EP2540662 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
5 EP2540662 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
6 JP2013012736 JP 일본 DOCDBFAMILY
7 JP6169328 JP 일본 DOCDBFAMILY
8 US2012326115 US 미국 DOCDBFAMILY
9 US2015144885 US 미국 DOCDBFAMILY
10 US8927414 US 미국 DOCDBFAMILY
11 US9178020 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.