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그래핀 반도체 및 이를 포함하는 전기소자

  • 기술번호 : KST2015143789
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 그래핀에 금속원자층을 흡착시킴으로써 비화학적 결합에 의한 전자의 편재화로 인해 상기 그래핀에 밴드갭을 형성하여 반도체화를 달성할 수 있다. 이와 같은 금속 함유 그래핀은 센서, 트랜지스터와 같은 다양한 전기소자에 활용할 수 있다.
Int. CL H01L 29/78 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01)
CPC H01L 29/1606(2013.01) H01L 29/1606(2013.01) H01L 29/1606(2013.01) H01L 29/1606(2013.01) H01L 29/1606(2013.01)
출원번호/일자 1020120084578 (2012.08.01)
출원인 삼성전자주식회사, 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2014-0017399 (2014.02.11) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.03.23)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 안종렬 대한민국 경기도 수원시 장안구
2 서정탁 대한민국 경기도 수원시 장안구
3 박지훈 대한민국 경기도 수원시 장안구
4 전철호 대한민국 경기도 수원시 장안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 경기도 수원시 영통구
2 성균관대학교 산학협력단 경기도 수원시 장안구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.08.01 수리 (Accepted) 1-1-2012-0617908-42
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2017.03.23 수리 (Accepted) 1-1-2017-0287110-12
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.03.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0176600-83
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.05.14 수리 (Accepted) 1-1-2018-0473526-99
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.05.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0473527-34
7 등록결정서
Decision to grant		 2018.08.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0560138-42
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번호 청구항
1 1
그래핀;상기 그래핀 상에 형성된 금속 원자층; 및상기 금속 원자층 상에 형성된 제1 산화물층;을 구비하며,상기 금속 원자층은 상기 그래핀과 전하이동 가능한 알칼리 금속을 포함하고,상기 제1 산화물층은 상기 금속 원자층의 표면이 산화된 것이고,상기 제1 산화물층의 두께가 1nm 내지 100nm인 그래핀 반도체
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서,상기 금속 원자층이 나트륨(Na)을 포함하는 것인 그래핀 반도체
4 4
제1항에 있어서,상기 금속원자층이 상기 그래핀의 적어도 일표면 상에 존재하는 것인 그래핀 반도체
5 5
제1항에 있어서,상기 금속 원자층이 2차원 형태의 박막 구조를 갖는 것인 그래핀 반도체
6 6
제1항에 있어서,상기 금속 원자층이 박막, 나노로드, 나노클러스터 또는 이들의 조합 형태를 갖는 것인 그래핀 반도체
7 7
제1항에 있어서,상기 금속 원자층의 존재 영역이 상기 그래핀의 전체 표면적의 30 내지 99%인 것인 그래핀 반도체
8 8
제1항에 있어서,상기 그래핀 반도체가 0
9 9
제1항에 있어서,상기 그래핀 반도체가 0
10 10
삭제
11 11
삭제
12 12
제1항에 있어서,상기 제1 산화물층 상에 패시베이션층인 제2 산화물층을 더 구비하는 것인 그래핀 반도체
13 13
제1항, 제3항 내지 제9항, 및 제12항 중 어느 한 항의 그래핀 반도체를 구비하는 전기소자
14 14
제13항에 있어서,상기 전기소자가 센서, 바이폴라 정션 트랜지스터, 전계 효과형 트랜지스터, 이종 접합 바이폴러 트랜지스터, 싱글 일렉트론 트랜지스터, 발광다이오드, 또는 유기전계 발광다이오드인 것인 전기소자
15 15
삭제
16 16
기판 상에 그래핀을 준비하는 단계;상기 그래핀 상에 상기 그래핀과 전하이동 가능한 알칼리 금속을 포함하는 금속 원자층을 형성하는 단계; 및상기 금속 원자층의 표면을 산화시켜 제1 산화물층을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 제1 산화물층의 두께가 1nm 내지 100nm인 그래핀의 밴드갭 제어방법
17 17
제16항에 있어서,상기 제1 산화물 상에 제2 산화물층을 형성하는 공정을 더 포함하는 것인 그래핀의 밴드갭 제어방법
18 18
제16항에 있어서,상기 그래핀 상에 상기 금속 원자층을 형성하는 단계; 및상기 금속 원자층의 표면을 산화시켜 제1 산화물층을 형성하는 단계;를 반복하여 수행하는 것인 그래핀의 밴드갭 제어방법
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1 US09269764 US 미국 FAMILY
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1 US2014034899 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US9269764 US 미국 DOCDBFAMILY
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