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그래핀 전사 방법 및 이를 이용한 소자의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015143806
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 그래핀 전사 방법 및 이를 이용한 소자의 제조방법에 관해 개시되어 있다. 개시된 그래핀 전사 방법은 비금속 촉매(예컨대, 반도체 촉매)를 포함하는 기판 상에 그래핀층을 형성하는 단계, 상기 그래핀층 상에 박막을 형성하는 단계 및 상기 기판으로부터 상기 그래핀층과 상기 박막의 적층 구조물을 분리하는 단계를 포함할 수 있다. 상기 비금속 촉매(예컨대, 반도체 촉매)는 Ge 및 SiGe 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 박막은 무기물 박막일 수 있고, 단층 또는 다층 구조로 형성할 수 있다. 상기 기판으로부터 상기 적층 구조물을 분리하는 단계는 물리적 박리 공정으로 수행할 수 있다. 상기 기판으로부터 상기 적층 구조물을 분리하는 단계 전, 상기 박막 상에 유기막을 형성하는 단계를 더 수행할 수 있다.
Int. CL H01L 29/78 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01)
CPC H01L 29/1606(2013.01) H01L 29/1606(2013.01) H01L 29/1606(2013.01) H01L 29/1606(2013.01) H01L 29/1606(2013.01)
출원번호/일자 1020120155320 (2012.12.27)
출원인 삼성전자주식회사, 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2014-0085113 (2014.07.07) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.03.27)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최재영 대한민국 경기 수원시 영통구
2 이재현 대한민국 경기 수원시 장안구
3 황동목 대한민국 경기 용인시 수지구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 경기도 수원시 영통구
2 성균관대학교 산학협력단 경기도 수원시 장안구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.12.27 수리 (Accepted) 1-1-2012-1086388-12
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2013.09.10 수리 (Accepted) 1-1-2013-0825860-52
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2017.03.27 수리 (Accepted) 1-1-2017-0297094-47
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2018.01.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2018.02.28 수리 (Accepted) 9-1-2018-0007950-35
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.03.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0167203-59
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.04.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0390896-97
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.04.19 수리 (Accepted) 1-1-2018-0390897-32
10 등록결정서
Decision to grant		 2018.09.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0660588-97
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
Ge 및 SiGe 중 적어도 하나의 반도체 촉매를 포함하는 기판 상에 그래핀층을 직접 형성하는 단계; 상기 그래핀층 상에 절연막인 제1 박막을 형성하는 단계; 상기 제1 박막 상에 도전막인 제2 박막을 형성하는 단계; 및상기 그래핀층과 상기 제1 및 제2 박막의 적층 구조물을 상기 기판으로부터 분리하는 단계;를 포함하고,상기 적층 구조물을 상기 기판으로부터 분리하는 단계는 무용액 방식의 물리적 박리 공정으로 수행하고,상기 물리적 박리 공정은 상기 반도체 촉매를 포함하는 상기 기판의 표면으로부터 상기 그래핀층이 분리되도록 수행하는 그래핀 전사 방법
2 2
삭제
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 기판은 Ge 기판 또는 SiGe 기판인 그래핀 전사 방법
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 그래핀층은 CVD(chemical vapor deposition) 방법으로 형성하는 그래핀 전사 방법
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 박막은 무기물 박막인 그래핀 전사 방법
6 6
삭제
7 7
삭제
8 8
삭제
9 9
삭제
10 10
제 1 항에 있어서, 상기 기판으로부터 상기 적층 구조물을 분리하는 단계 전, 상기 제2 박막 상에 유기막을 형성하는 단계를 더 포함하는 그래핀 전사 방법
11 11
Ge 및 SiGe 중 적어도 하나의 반도체 촉매를 포함하는 기판 상에 그래핀층을 직접 형성하는 단계; 상기 그래핀층 상에 절연막인 제1 박막을 형성하는 단계; 상기 제1 박막 상에 도전막인 제2 박막을 형성하는 단계;상기 그래핀층과 상기 제1 및 제2 박막의 적층 구조물을 상기 기판으로부터 분리하는 단계; 및 상기 제1 및 제2 박막 상에 상기 그래핀층을 포함하는 소자를 구성하는 단계;를 포함하고,상기 적층 구조물을 상기 기판으로부터 분리하는 단계는 무용액 방식의 물리적 박리 공정으로 수행하고,상기 물리적 박리 공정은 상기 반도체 촉매를 포함하는 상기 기판의 표면으로부터 상기 그래핀층이 분리되도록 수행하는 그래핀 적용 소자의 제조방법
12 12
삭제
13 13
제 11 항에 있어서, 상기 그래핀층은 CVD(chemical vapor deposition) 방법으로 형성하는 그래핀 적용 소자의 제조방법
14 14
삭제
15 15
삭제
16 16
제 11 항에 있어서, 상기 기판으로부터 상기 적층 구조물을 분리하는 단계 전, 상기 제2 박막 상에 유기막을 형성하는 단계를 더 포함하는 그래핀 적용 소자의 제조방법
17 17
제 11 항에 있어서, 상기 그래핀 적용 소자는 트랜지스터인 그래핀 적용 소자의 제조방법
18 18
제 17 항에 있어서, 상기 제1 박막을 형성하는 단계는 게이트절연막을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 제2 박막을 형성하는 단계는 게이트도전막을 형성하는 단계를 포함하는 그래핀 적용 소자의 제조방법
19 19
제 18 항에 있어서, 상기 게이트도전막을 패터닝하는 단계; 및 상기 게이트절연막 상에 상기 패터닝된 게이트도전막을 덮는 별도의 절연막을 형성하는 단계;를 더 포함하는 그래핀 적용 소자의 제조방법
20 20
제 17 내지 19 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 소자를 구성하는 단계는, 상기 제1 및 제2 박막 상에 상기 그래핀층에 전기적으로 연결된 소오스전극 및 드레인전극을 형성하는 단계를 포함하는 그래핀 적용 소자의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.