맞춤기술찾기

이전대상기술

게르마늄층을 이용한 그래핀 제조방법

  • 기술번호 : KST2015144490
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 게르마늄층을 이용한 그래핀 제조방법이 개시된다. 개시된 게르마늄층을 이용한 그래핀 제조방법은, 기판 상에 게르마늄층을 형성하는 단계와, 상기 기판이 배치된 챔버 내에 탄소함유 개스를 공급하여 상기 게르마늄층 상에 직접 그래핀을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 본 발명의 실시예에 따른 그래핀 제조방법은 촉매금속층을 사용하지 않으므로, 촉매금속으로 오염되지 않은 그래핀층을 제조할 수 있다.
Int. CL C01B 31/02 (2006.01) C23C 16/26 (2006.01)
CPC C01B 32/186(2013.01) C01B 32/186(2013.01) C01B 32/186(2013.01) C01B 32/186(2013.01) C01B 32/186(2013.01) C01B 32/186(2013.01) C01B 32/186(2013.01) C01B 32/186(2013.01) C01B 32/186(2013.01) C01B 32/186(2013.01) C01B 32/186(2013.01)
출원번호/일자 1020100029509 (2010.03.31)
출원인 삼성전자주식회사, 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2011-0109680 (2011.10.06) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.01.30)
심사청구항수 10

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이은경 대한민국 서울특별시 동대문구
2 최병룡 대한민국 서울특별시 서초구
3 황동목 대한민국 경기도 수원시 장안구
4 이재현 대한민국 경기도 수원시 장안구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 경기도 수원시 영통구
2 성균관대학교산학협력단 경기도 수원시 장안구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.03.31 수리 (Accepted) 1-1-2010-0206865-79
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5132663-40
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
6 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2015.01.30 수리 (Accepted) 1-1-2015-0102016-11
7 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2015.10.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
8 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2015.11.10 수리 (Accepted) 9-1-2015-0070800-58
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.06.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0455595-84
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.06.30 수리 (Accepted) 1-1-2016-0635708-88
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.06.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0635712-61
12 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2016.11.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0842633-09
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.12.23 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2016-1266633-20
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.12.23 수리 (Accepted) 1-1-2016-1266632-85
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
16 등록결정서
Decision to grant
2017.04.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0294535-13
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 게르마늄층을 형성하는 단계; 및 상기 기판이 배치된 챔버 내에 탄소함유 개스를 공급하여 상기 게르마늄층 상에 직접 그래핀을 형성하는 단계;를 포함하며, 상기 그래핀은 상기 게르마늄층의 표면에 대해서 나란하게 형성되며, 상기 그래핀은 1-3층의 그래핀으로 이루어진 게르마늄층을 이용한 그래핀 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 기판은 실리콘, 실리콘 옥사이드, 석영, 글라스, 플라스틱, 사파이어 중 선택된 어느 하나로 이루어진 게르마늄층을 이용한 그래핀 제조방법
3 3
제 1 항에 있어서,상기 그래핀은 1 층으로 형성된 게르마늄층을 이용한 그래핀 제조방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 그래핀의 형성은 화학기상증착방법을 사용하는 게르마늄층을 이용한 그래핀 제조방법
5 5
제 1 항에 있어서,상기 게르마늄층은 단결정 또는 다결정층인 게르마늄층을 이용한 그래핀 제조방법
6 6
제 5 항에 있어서,상기 게르마늄층은 100 nm - 10 ㎛ 두께로 형성된 게르마늄층을 이용한 그래핀 제조방법
7 7
게르마늄 기판이 배치된 챔버 내에 탄소함유 개스를 공급하여 상기 게르마늄 기판 상에 직접 그래핀을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 그래핀은 상기 게르마늄 기판의 표면에 대해서 나란하게 형성되며, 상기 그래핀은 1-3층의 그래핀으로 이루어진 게르마늄층을 이용한 그래핀 제조방법
8 8
제 7 항에 있어서,상기 그래핀은 1 층으로 형성된 게르마늄층을 이용한 그래핀 제조방법
9 9
제 7 항에 있어서,상기 그래핀의 형성은 화학기상증착방법을 사용하는 게르마늄층을 이용한 그래핀 제조방법
10 10
제 7 항에 있어서,상기 게르마늄 기판은 단결정 기판인 게르마늄층을 이용한 그래핀 제조방법
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US08679976 US 미국 FAMILY
2 US20110244662 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2011244662 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US8679976 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.