[KST2015136117][서울대학교] |
전해질을 이용한 다이내믹 램 |
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[KST2015161360][서울대학교] |
비휘발성 기능을 갖는 단일 트랜지스터 플로팅 바디DRAM 셀 소자 |
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[KST2018001600][서울대학교] |
비스-암모늄 화합물 및 디아민 화합물을 포함하는 도금용 평탄제 및 이를 이용한 구리 도금 방법(Leveler for plating comprising bis-ammonium and diamine compounds and copper plating method using the same) |
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[KST2019011777][서울대학교] |
요오드 이온을 포함한 구리 전해도금용 전해질 용액 및 이를 이용한 구리 전해도금 방법 |
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[KST2015160756][서울대학교] |
나노 구조물을 이용한 커패시터를 포함하는 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
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[KST2015134984][서울대학교] |
희박자성반도체와 비자성화합물반도체을 포함하는 혼성이중양자디스크 구조 및 자기장의 변화에 따른 희박자성반도체 양자점의 에너지준위 역전 현상을 이용한 스핀 양자상태 조절구조 및 그 방법 |
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[KST2015162875][서울대학교] |
안장형 엠오에스 소자 |
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[KST2023008662][서울대학교] |
트리스-아릴 암모늄 화합물을 포함하는 도금용 첨가제 |
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[KST2021013215][서울대학교] |
비스-아릴 암모늄 화합물을 포함하는 도금용 평탄제 |
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[KST2015161780][서울대학교] |
고집적 수직형 플래시 메모리 셀 스트링, 셀 소자, 및 그제조 방법 |
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[KST2015134972][서울대학교] |
캡을 갖는 나노 구조물 |
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[KST2015187078][서울대학교] |
나노 형광체/나노소재 이종접합구조체 및 그 제조방법 |
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[KST2015160770][서울대학교] |
양자점 형성방법 |
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[KST2018001598][서울대학교] |
콜린계 화합물을 포함하는 도금용 평탄제 및 이를 이용한 구리 도금 방법(Leveler for plating comprising Choline compounds and copper plating method using the same) |
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[KST2015161385][서울대학교] |
고집적 낸드 플래시 메모리 셀 소자 및 셀 스트링 |
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[KST2015161262][서울대학교] |
고집적 플래시 메모리 소자 및 그 제조 방법 |
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[KST2015135139][서울대학교] |
나노입자의 집속 패터닝에 의한 나노입자 구조체의 제조방법 및 이에 의해 얻어진 나노입자 구조체 |
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[KST2015160928][서울대학교] |
도전성 다층 나노박막의 제조방법, 및 이를 이용한미세전기기계시스템 센서와 그 제조방법 |
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[KST2015161267][서울대학교] |
고집적 플래시 메모리 셀 스트링,셀 소자,및 그 제조방법 |
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[KST2015161222][서울대학교] |
안장형 플래시 메모리 소자 및 제조방법 |
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[KST2015159345][서울대학교] |
나노 와이어 메모리 소자 및 그 제조 방법 |
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[KST2019014545][서울대학교] |
비스-아릴 암모늄 화합물을 포함하는 도금용 평탄제 및 이를 이용한 구리 도금 방법 |
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[KST2015161221][서울대학교] |
플래시 메모리 소자 |
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[KST2015135204][서울대학교] |
레이스트랙 메모리 제조방법 |
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[KST2015161079][서울대학교] |
탄소 나노튜브의 밴드 갭 변형방법과 이를 이용한 나노양자소자 및 그의 제조방법 |
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[KST2015159672][서울대학교] |
구리 전해 도금 용액 및 이를 이용한 반도체 소자의 배선형성방법 |
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[KST2020004824][서울대학교] |
브롬 이온을 포함한 구리 전해도금용 전해질 용액 및 이를 이용한 구리 전해도금 방법 |
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[KST2015159301][서울대학교] |
전하저장층을 가진 유기 메모리 소자, 구동 방법 및 그제조 방법 |
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[KST2015161430][서울대학교] |
고집적 플래시 메모리 셀 소자, 셀 스트링 및 그 제조 방법 |
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[KST2015136988][서울대학교] |
고집적 플래시 메모리 셀 소자, 셀 스트링 및 그 제조 방법 |
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