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반도체 센서용 저항 및 커패시터 구조

  • 기술번호 : KST2015161446
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 센서용 저항 및 커패시터 구조에 관한 것으로, 다양한 분야에서 사용되는 반도체 센서의 전압 인가 및 누설 전류에 의한 잡음 방지를 위한 회로를 칩구조로 구성한 반도체 센서용 저항 및 커패시터 구조를 제공한다. 이를 위한 본 발명은 반도체 기판의 상면에 형성된 산화막층과; 상기 산화막층의 어느 한측 상면에 형성된 전극층과; 상기 산화막층의 다른 한측 상면에 형성된 저항층과; 상기 전극층 및 상기 저항층의 상면에 형성된 유전체층과; 상기 유전체층의 상면에서 상기 전극층에 대응하는 부분에 형성된 제 1 금속층과; 상기 유전체층의 상면에서 상기 전극층의 어느 한측 및 상기 저항층의 어느 한측과 콘택을 형성하는 제 2 금속층과; 상기 유전체층의 상면에서 상기 저항층의 다른 한측과 콘택을 형성하는 제 3 금속층과; 상기 유전체층 및 상기 제 1 금속층 상에 형성된 보호막층;을 포함하는 것을 특징으로 한다. 상기와 같은 구성에 의해 본 발명은 다양한 분야에 사용되는 PN 접합 다이오드를 이용한 광, 엑스선 또는 감마선 등을 검출하는 반도체 센서의 형태에 적합하게 제조할 수 있는 효과가 있다. 반도체 센서, 저항, 커패시터, 구동전압
Int. CL H01L 27/108 (2006.01) H01L 27/04 (2006.01)
CPC H01L 28/75(2013.01) H01L 28/75(2013.01) H01L 28/75(2013.01) H01L 28/75(2013.01)
출원번호/일자 1020080104603 (2008.10.24)
출원인 경북대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1004234-0000 (2010.12.20)
공개번호/일자 10-2010-0045606 (2010.05.04) 문서열기
공고번호/일자 (20101224) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.10.24)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경북대학교 산학협력단 대한민국 대구광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박환배 대한민국 대구광역시 북구
2 가동하 대한민국 대전광역시 유성구
3 강희동 대한민국 대구광역시 동구
4 김홍주 대한민국 대구광역시 북구
5 배재범 대한민국 대구광역시 달서구
6 현효정 대한민국 대구광역시 북구
7 손도희 대한민국 대구광역시 수성구
8 김영임 대한민국 대구광역시 동구
9 김현옥 대한민국 경기도 안양시 만안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인리온 대한민국 서울특별시 서초구 사평대로 ***, *층(반포동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 경북대학교 산학협력단 대한민국 대구광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.10.24 수리 (Accepted) 1-1-2008-0738733-81
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2009.09.30 수리 (Accepted) 1-1-2009-0600844-38
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2010.04.23 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2010.05.14 수리 (Accepted) 9-1-2010-0028090-24
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.08.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0382853-51
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.10.25 수리 (Accepted) 1-1-2010-0689511-72
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.10.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0689494-83
8 등록결정서
Decision to grant
2010.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0549897-76
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.03.26 수리 (Accepted) 4-1-2018-5051994-32
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.23 수리 (Accepted) 4-1-2020-5136893-04
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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반도체 기판의 상면에 형성된 산화막층과; 상기 산화막층의 어느 한측 상면에 형성되며 형성되며, 폴리실리콘에 P형 이온이 도핑된 전극층과; 상기 산화막층의 다른 한측 상면에 형성되며, 폴리실리콘에 P형 이온이 도핑된 저항층과; 상기 전극층 및 상기 저항층의 상면에 형성된 유전체층과; 상기 유전체층의 상면에서 상기 전극층에 대응하는 부분에 형성된 제 1 금속층과; 상기 유전체층의 상면에서 상기 전극층의 어느 한측 및 상기 저항층의 어느 한측과 콘택을 형성하는 제 2 금속층과; 상기 유전체층의 상면에서 상기 저항층의 다른 한측과 콘택을 형성하는 제 3 금속층과; 상기 유전체층 및 상기 제 1 금속층 상에 형성된 보호막층;을 포함하고 상기 제 2 금속층이 PIN 구조를 갖는 반도체 센서에 연결되며, 상기 제 1 금속층에 형성된 패드가 상기 반도체 센서의 신호처리를 위한 반도체칩으로 연결되고, 상기 제 3 금속층이 상기 반도체 센서에 제공하고자 하는 바이어스 전압이 인가되며, 상기 전극층은 상기 P형 이온이 상기 저항층의 P형 이온 보다 고농도로 도핑된 것을 특징으로 하는 반도체 센서용 저항 및 커패시터 구조
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제 1 항에 있어서, 상기 유전체층은 산화물층(SiO2)인 것을 특징으로 하는 반도체 센서용 저항 및 커패시터 구조
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제 1 항에 있어서, 상기 제 1 금속층은 알루미늄 전극인 것을 특징으로 하는 반도체 센서용 저항 및 커패시터 구조
5 5
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6 6
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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.