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하프늄 산화막에 Dy가 도핑되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 MOS 트랜지스터 게이트 절연막
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제1항에 있어서, 상기 Dy의 도핑량이 1 내지 20 원자% 인 것을 특징으로 하는 MOS 트랜지스터 게이트 절연막
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제1항에 있어서, 상기 Dy 도핑된 하프늄 산화막이 원자증착법, 화학기상증착법, 및 반응성 스퍼터링법에 의하여 형성되는 것을 특징으로 하는 MOS 트랜지스터 게이트 절연막
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실리콘 기판 상에 Hf와 Dy를 증착하여 금속막을 형성하는 단계; 및 상기 금속막이 형성된 결과물을 산소원소 함유 분위기에서 열처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 MOS 트랜지스터 게이트 절연막 제조방법
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제4에 있어서, 상기 금속막이 Hf와 Dy 타겟을 각각 마련하고 이를 동시에 스퍼터링 함으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 MOS 트랜지스터 게이트 절연막 제조방법
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제5항에 있어서, 상기 스퍼터링이 10-5 내지 1 Torr의 압력범위에서 행해지는 것을 특징으로 하는 MOS 트랜지스터 게이트 절연막 제조방법
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제4항에 있어서, 상기 금속막의 두께가 3 내지 10 nm 인 것을 특징으로 하는 MOS 트랜지스터 게이트 절연막 제조방법
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제4항에 있어서, 상기 금속막이 상기 Dy를 1 내지 20 원자% 만큼 함유하는 것을 특징으로 하는 MOS 트랜지스터 게이트 절연막 제조방법
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제4항에 있어서, 상기 열처리가 O2 분위기에서 행해지는 것을 특징으로 하는 MOS 트랜지스터 게이트 절연막 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 열처리는 600 내지 800℃의 온도범위에서 행해지는 것을 특징으로 하는 MOS 트랜지스터 게이트 절연막 제조방법
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제10항에 있어서, 상기 열처리가 10-3 내지 760 Torr의 압력범위에서 행해지는 것을 특징으로 하는 MOS 트랜지스터 게이트 절연막 제조방법
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12
제4항에 있어서, 상기 열처리가 H2O 증기 분위기에서 행해지는 것을 특징으로 하는 MOS 트랜지스터 게이트 절연막 제조방법
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제12항에 있어서, 상기 열처리가 300 내지 500℃의 온도범위에서 행해지는 것을 특징으로 하는 MOS 트랜지스터 게이트 절연막 제조방법
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제13항에 있어서, 상기 열처리가 10-3 내지 103 Torr의 압력범위에서 행해지는 것을 특징으로 하는 MOS 트랜지스터의 게이트 절연막 제조방법
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제4항에 있어서, 상기 금속막을 형성하는 단계 이전에 상기 실리콘 기판 상에 질화막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 MOS 트랜지스터 게이트 절연막 제조방법
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제15항에 있어서, 상기 질화막이 상기 실리콘 기판을 질소함유 분위기에서 열처리함으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 MOS 트랜지스터 게이트 절연막 제조방법
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제15항에 있어서, 상기 질화막이 상기 실리콘 기판을 질소함유 플라즈마에 노출시킴으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 MOS 트랜지스터 게이트 절연막 제조방법
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