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바텀 게이트형 산화아연 박막 트랜지스터의 형성방법

  • 기술번호 : KST2015174100
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 바텀 게이트형의 구조를 가지고, 산화아연 반도체를 채널로 이용하는 박막 트랜지스터의 형성방법이 개시된다. 채널로 이용되는 산화아연 반도체층에 수소를 공급하기 위해 산화아연 반도체층 하부에 게이트 유전막으로 실리콘 질화막을 형성한다. 실리콘 질화막은 소정 농도의 수소를 포함한다. 수소의 농도는 실리콘 질화막의 굴절률로 나타난다. 굴절률이 높은 경우, 실리콘 질화막 내의 수소의 농도는 증가한다. 열처리가 수행되는 경우, 실리콘 질화막 내의 수소는 산화아연 반도체층으로 이동하고, 계면 및 채널의 결함을 치유하도 도판트로 작용한다. 따라서, 정상적인 트랜지스터 특성을 얻을 수 있다. 산화아연, 바텀 게이트, 확산, 실리콘 질화막
Int. CL H01L 21/336 (2006.01)
CPC H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01)
출원번호/일자 1020080036663 (2008.04.21)
출원인 광주과학기술원, 국민대학교산학협력단
등록번호/일자 10-0973642-0000 (2010.07.27)
공개번호/일자 10-2009-0111081 (2009.10.26) 문서열기
공고번호/일자 (20100802) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.04.21)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구
2 국민대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 장재형 대한민국 광주 북구
2 리마샨 인도 광주광역시 북구
3 임혁 대한민국 광주 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구
2 국민대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.04.21 수리 (Accepted) 1-1-2008-0282239-19
2 보정요구서
Request for Amendment		 2008.04.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2008-0054962-68
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2008.04.29 수리 (Accepted) 1-1-2008-0307189-55
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.01.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.02.19 수리 (Accepted) 9-1-2010-0011232-24
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.02.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0078095-51
7 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2010.04.20 수리 (Accepted) 1-1-2010-0249983-00
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.04.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0250058-16
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.04.20 수리 (Accepted) 1-1-2010-0250052-43
10 등록결정서
Decision to grant		 2010.07.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0306190-28
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.03.14 수리 (Accepted) 4-1-2016-5032192-73
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번호 청구항
1 1
게이트 전극이 형성된 기판 상에 수소를 함유하는 게이트 유전막을 형성하는 단계; 상기 게이트 유전막 상에 산화아연 반도체층을 형성하는 단계; 및 상기 게이트 유전막 및 상기 산화아연 반도체층이 형성된 구조물을 열처리하여 상기 게이트 유전막으로부터 상기 산화아연 반도체층으로 수소를 공급하는 단계를 포함하는 바텀 게이트형 산화아연 박막 트랜지스터의 형성방법
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제1항에 있어서, 상기 열처리는 250℃ 내지 400℃의 온도로 1분 내지 30분 동안 수행하는 것을 특징으로 하는 바텀 게이트형 산화아연 박막 트랜지스터의 형성방법
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제1항에 있어서, 상기 게이트 유전막은 실리콘 질화막을 구비하는 것을 특징으로 하는 바텀 게이트형 산화아연 박막 트랜지스터의 형성방법
4 4
제3항에 있어서, 상기 실리콘 질화막은 SiH4, NH3 및 N2 가스를 이용하는 PECVD를 통해 형성되며, 상기 SiH4의 유속에 의해 실리콘 질화막 내의 수소의 농도를 제어하는 것을 특징으로 하는 바텀 게이트형 산화아연 박막 트랜지스터의 형성방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.