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3차원 구조를 갖는 저항 변화 메모리 소자, 저항 변화 메모리 소자 어레이, 전자제품 및 상기 소자 제조방법

  • 기술번호 : KST2015174159
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 3차원 구조를 갖는 저항 변화 메모리 소자, 저항 변화 메모리 소자 어레이, 전자제품 및 상기 소자 제조방법을 제공한다. 상기 소자 어레이는 기판 상에 서로 평행하게 배열된 복수개의 제1 방향 신호선들을 구비한다. 상기 제1 방향 신호선들의 서로 마주보는 측벽들 사이에 복수개의 도전성 필라들(conductive pillars)이 일렬로 위치한다. 상기 각 도전성 필라의 측벽과 이에 인접하는 상기 신호선의 측벽 사이에 저항변화물질막이 위치한다.
Int. CL H01L 27/115 (2006.01) H01L 21/8247 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01)
CPC H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01)
출원번호/일자 1020090018722 (2009.03.05)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자 10-0993052-0000 (2010.11.02)
공개번호/일자 10-2010-0100052 (2010.09.15) 문서열기
공고번호/일자 (20101108) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.03.06)
심사청구항수 24

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 황현상 대한민국 광주광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.03.05 수리 (Accepted) 1-1-2009-0134675-65
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2009.03.06 수리 (Accepted) 1-1-2009-0137363-40
3 등록결정서
Decision to grant		 2010.10.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0484147-05
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 서로 평행하게 배열된 복수개의 제1 방향 신호선들; 상기 제1 방향 신호선들의 서로 마주보는 측벽들 사이에 일렬로 위치하는 복수개의 도전성 필라들(conductive pillars); 및 상기 각 도전성 필라의 측벽과 이에 인접하는 상기 신호선의 측벽 사이에 위치하는 저항변화물질막을 포함하는 저항 변화 메모리 소자 어레이
2 2
제1항에 있어서, 상기 제1 방향 신호선들 상에 상기 제1 방향 신호선들에 교차하는 서로 평행하게 배열된 제2 방향 신호선들을 더 포함하고, 상기 도전성 필라들은 상기 제1 방향 신호선들의 서로 마주보는 측벽들과 상기 제2 방향 신호선들의 서로 마주보는 측벽들로 둘러싸인 공간들 내에 각각 위치하는 저항 변화 메모리 소자 어레이
3 3
제2항에 있어서, 상기 제1 방향 신호선들과 상기 제2 방향 신호선들 사이에 위치하는 층간절연막을 더 포함하는 저항 변화 메모리 소자 어레이
4 4
제3항에 있어서, 상기 제2 방향 신호선들은 연장되어 상기 제1 방향 신호선들의 서로 마주보는 측벽들 사이에 위치하되, 상기 층간 절연막은 제1 방향 신호선의 측벽과 상기 제2 방향 신호선 사이에 위치하는 저항 변화 메모리 소자 어레이
5 5
제1항에 있어서, 상기 저항변화물질막은 금속산화물막(transition metal oxide layer), PCMO(Pr1-XCaXMnO3, 0003c#X003c#1)막, 칼코게나이드(chalcogenide)막, 페로브스카이트(perovskite)막, 또는 금속도핑된 고체전해질막인 저항 변화 메모리 소자 어레이
6 6
제1항에 있어서, 상기 도전성 필라의 측벽과 상기 저항변화물질막 사이, 또는 상기 저항변화물질막과 상기 신호선 사이에 위치하는 터널링 배리어 절연막을 더 포함하는 저항 변화 메모리 소자 어레이
7 7
도전성 필라; 상기 도전성 필라의 측벽과 중첩하는 신호선; 및 상기 도전성 필라의 측벽과 상기 신호선 사이에 위치하는 저항변화물질막을 포함하는 저항 변화 메모리 소자
8 8
제7항에 있어서, 상기 신호선은 상기 도전성 필라의 서로 마주보는 양측 측벽들에 중첩하고 서로 평행한 한 쌍의 제1 방향 신호선들을 포함하는 저항 변화 메모리 소자
9 9
제8항에 있어서, 상기 신호선은 상기 도전성 필라의 서로 마주보는 양측 측벽들에 중첩하고 상기 제1 방향 신호선들 상부에서 상기 제1 방향 신호선들에 교차하는 한 쌍의 제2 방향 신호선들을 더 포함하는 저항 변화 메모리 소자
10 10
제9항에 있어서, 상기 제1 방향 신호선과 상기 제2 방향 신호선 사이에 위치하는 층간절연막을 더 포함하는 저항 변화 메모리 소자
11 11
제7항에 있어서, 상기 도전성 필라의 측벽과 상기 저항변화물질막 사이, 또는 상기 저항변화물질막과 상기 신호선 사이에 위치하는 터널링 배리어 절연막을 더 포함하는 저항 변화 메모리 소자
12 12
기판 상에 서로 평행하게 위치하는 한 쌍의 제1 방향 신호선들; 상기 제1 방향 신호선들을 덮는 제1 층간절연막; 상기 제1 층간절연막 내에 위치하고 상기 제1 방향 신호선들의 서로 마주보는 측벽들을 노출시키는 홀; 상기 홀 내에 위치하는 도전성 필라; 및 상기 홀 내에 상기 도전성 필라의 측벽과 상기 제1 방향 신호선의 측벽 사이에 위치하는 저항변화물질막을 포함하는 저항 변화 메모리 소자
13 13
제12항에 있어서, 상기 제1 층간절연막 상에 상기 제1 방향 신호선들에 교차하는 한 쌍의 제2 방향 신호선들; 및 상기 제2 방향 신호선들을 덮는 제2 층간절연막을 더 포함하고, 상기 홀은 상기 제2 층간절연막 내로 연장되고, 상기 홀 내에는 상기 제2 방향 신호선들의 서로 마주보는 측벽들이 노출되고, 상기 저항변화물질막은 연장되어 상기 도전성 필라의 측벽과 상기 제2 방향 신호선의 측벽 사이에 위치하는 저항 변화 메모리 소자
14 14
제13항에 있어서, 상기 제2 방향 신호선들은 연장되어 상기 제1 방향 신호선들의 서로 마주보는 측벽들 사이에 위치하되, 상기 제1 층간절연막은 제1 방향 신호선의 측벽과 상기 제2 방향 신호선 사이에 위치하는 저항 변화 메모리 소자
15 15
제12항에 있어서, 상기 도전성 필라의 측벽과 상기 저항변화물질막 사이, 또는 상기 저항변화물질막과 상기 제1 방향 신호선 사이에 위치하는 터널링 배리어 절연막을 더 포함하는 저항 변화 메모리 소자
16 16
기판 상에 제1 방향으로 서로 평행하게 배열된 한 쌍의 제1 방향 신호선들을 형성하는 단계; 상기 제1 방향 신호선들 상에 제1 층간 절연막을 형성하는 단계; 상기 제1 층간 절연막 내에 상기 제1 방향 신호선들의 서로 마주보는 측벽들을 노출시키는 홀을 형성하는 단계; 상기 홀 내에 상기 신호선들의 측벽을 덮는 저항변화물질막을 형성하는 단계; 및 상기 저항변화물질막으로 둘러싸인 홀 내에 도전성 필라를 형성하는 단계를 포함하는 저항 변화 메모리 소자의 제조방법
17 17
제16항에 있어서, 상기 홀을 형성하기 전에, 상기 제1 층간절연막 상에 상기 제1 방향 신호선들과 교차하는 서로 평행하게 배열된 한 쌍의 제2 방향 신호선들을 형성하는 단계; 및 상기 제2 방향 신호선들 상에 제2 층간 절연막을 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 홀은 상기 제2 층간 절연막 및 상기 제1 층간 절연막 내에 형성되어, 상기 제2 방향 신호선들의 서로 마주보는 측벽들을 노출시키는 저항 변화 메모리 소자의 제조방법
18 18
제17항에 있어서, 상기 제2 방향 신호선들은 연장되어 상기 제1 방향 신호선들의 서로 마주보는 측벽들 사이에 위치하되, 상기 제1 층간절연막은 제1 방향 신호선의 측벽과 상기 제2 방향 신호선 사이에 위치하는 저항 변화 메모리 소자의 제조방법
19 19
제16항에 있어서, 상기 저항변화물질막을 형성하기 전에 상기 홀 내에 상기 신호선들의 측벽을 덮는 터널 배리어 절연막을 형성하는 단계를 더 포함하는 저항 변화 메모리 소자의 제조방법
20 20
제16항에 있어서, 상기 도전성 필라를 형성하기 전에 상기 저항변화물질막 상에 터널 배리어 절연막을 형성하는 단계를 더 포함하는 저항 변화 메모리 소자의 제조방법
21 21
저항 변화 메모리 소자 및 이에 접속된 프로세서를 구비하는 전자제품에 있어서, 상기 저항 변화 메모리 소자는 기판 상에 서로 평행하게 배열된 복수개의 제1 방향 신호선들; 상기 제1 방향 신호선들의 서로 마주보는 측벽들 사이에 일렬로 위치하는 복수개의 도전성 필라들; 및 상기 각 도전성 필라의 측벽과 이에 인접하는 상기 신호선의 측벽 사이에 위치하는 저항변화물질막을 포함하는 전자제품
22 22
제21항에 있어서, 상기 저항 변화 메모리 소자는 상기 제1 방향 신호선들 상에 상기 제1 방향 신호선들에 교차하는 서로 평행하게 배열된 제2 방향 신호선들을 더 포함하고, 상기 도전성 필라들은 상기 제1 방향 신호선들의 서로 마주보는 측벽들과 상기 제2 방향 신호선들의 서로 마주보는 측벽들로 둘러싸인 공간들 내에 각각 위치하는 전자제품
23 23
제21항에 있어서, 상기 저항변화물질막은 금속산화물막(transition metal oxide layer), PCMO(Pr1-XCaXMnO3, 0003c#X003c#1)막, 칼코게나이드(chalcogenide)막, 페로브스카이트(perovskite)막, 또는 금속도핑된 고체전해질막인 전자제품
24 24
제21항에 있어서, 상기 도전성 필라의 측벽과 상기 저항변화물질막 사이, 또는 상기 저항변화물질막과 상기 신호선 사이에 위치하는 터널링 배리어 절연막을 더 포함하는 전자제품
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2 US08546861 US 미국 FAMILY
3 US20110309322 US 미국 FAMILY
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1 지식경제부 광주과학기술원 산자부의 산업기술개발사업 고신뢰성 ReRAM 소자개발