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실리콘 나노결정의 양자점 형성방법

  • 기술번호 : KST2015174738
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 실리콘 나노결정의 양자점 형성방법에 관한 것으로 보다 상세하게는 기판 위에 에피택시 공정으로 절연막을 형성하고 서로 상이한 격자상수를 가지는 기판과 절연막에 의해 절연막 위에 생성된 전위격자점에 실리콘 나노결정의 양자점을 형성하는 방법에 관한 것이다. 본 발명은 반도체 기억소자의 제작을 위해 필수적인 실리콘 양자점 형성에 있어서, 고밀도를 가지며 대량생산에 적합한 실리콘 나노결정의 양자점의 형성방법 제공을 목적으로 한다. 본 발명의 실리콘 나노결정의 양자점 형성방법은 공지의 실리콘 나노결정의 양자점 형성에 있어서, 기판 위에 기판과 소정의 격자상수 차이를 가지는 절연막을 에피택시 공정으로 형성하는 단계와, 기판과 절연막의 격자상수 차이로 발생하는 전위격자점에 실리콘 나노결정의 양자점을 형성하는 단계를 포함함을 특징으로 하는 에피택시 절연막을 이용한 실리콘 나노결정의 양자점을 형성하는 단계를 포함한다.
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) H01L 29/775 (2011.01) B82Y 10/00 (2011.01)
CPC H01L 29/66439(2013.01) H01L 29/66439(2013.01)
출원번호/일자 1020030006380 (2003.01.30)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자 10-0527413-0000 (2005.11.02)
공개번호/일자 10-2004-0069832 (2004.08.06) 문서열기
공고번호/일자 (20051109) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2003.01.30)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 황현상 대한민국 광주광역시광산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 황이남 대한민국 서울시 송파구 법원로 ***, ****호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2003.01.30 수리 (Accepted) 1-1-2003-0036510-57
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2003.11.19 수리 (Accepted) 4-1-2003-5076055-97
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2004.06.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2004.07.14 수리 (Accepted) 9-1-2004-0044139-41
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.07.27 수리 (Accepted) 4-1-2004-0031183-30
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2004.07.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0313827-71
7 의견서
Written Opinion		 2004.09.30 수리 (Accepted) 1-1-2004-0445442-67
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2005.02.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0094249-09
9 의견서
Written Opinion		 2005.04.27 수리 (Accepted) 1-1-2005-0220788-17
10 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2005.04.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2005-0220787-72
11 등록결정서
Decision to grant		 2005.08.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0394786-53
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
실리콘 나노결정의 양자점 형성에 있어서,기판 위에 에피택시 공정을 이용하여 기판과 1
2 2
제 1항에 있어서, 절연막은 SrTiO3, BaTiO3, BaO, SrO, CaO, SrZrO3, BaZrO3 중에서 선택된 어느 하나 임을 특징으로 하는 실리콘 나노결정의 양자점 형성방법
3 3
제 1항에 있어서, 실리콘 기판과 절연막 사이에 완충층으로 Ba0
4 4
삭제
5 5
제 1항에 있어서, 기판은 실리콘 기판 또는 게르마늄 기판 임을 특징으로 하는 실리콘 나노결정의 양자점 형성방법
6 6
제 1항에 있어서, 기판은 90°각도의 계단모양으로 경사진 실리콘 기판 임을 특징으로 하는 실리콘 나노결정의 양자점 형성방법
7 7
제 6항에 있어서, 90°각도의 계단모양으로 경사진 실리콘 기판을 사용시 절연막의 계단모양 측벽에 실리콘 나노결정의 양자점이 형성됨을 특징으로 하는 실리콘 나노결정의 양자점 형성방법
8 7
제 6항에 있어서, 90°각도의 계단모양으로 경사진 실리콘 기판을 사용시 절연막의 계단모양 측벽에 실리콘 나노결정의 양자점이 형성됨을 특징으로 하는 실리콘 나노결정의 양자점 형성방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.