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고압 수소 열처리를 통한 금속 나노크리스탈 메모리 소자제조 공정

  • 기술번호 : KST2015174063
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 반도체 기억소자에 있어서, 터널링 산화막과 블러킹 산화막 사이에 금속 산화물 나노크리스탈을 형성하는 단계 및 고압 수소 분위기에서 열처리하여 금속 산화물 나노크리스탈을 금속 나노크리스탈로 환원하는 단계를 포함한다. 따라서, 금속 산화물의 확산을 방지하고 금속 산화물 나노크리스탈을 금속 나노크리스탈로 환원시킬 수 있다. 또한, 금속 나노크리스탈로 환원된 메모리 소자는 단일한 트랩 에너지 레벨을 가지고 있고, 산화물에 비해 상태 밀도가 높으므로, 메모리 특성이 향상될 수 있다. 금속 나노크리스탈, 메모리 소자, 페리틴
Int. CL H01L 27/115 (2011.01) H01L 21/8247 (2011.01) B82Y 10/00 (2011.01)
CPC H01L 21/0223(2013.01) H01L 21/0223(2013.01) H01L 21/0223(2013.01)
출원번호/일자 1020070099098 (2007.10.02)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자 10-0871281-0000 (2008.11.24)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20081128) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.10.02)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 권문재 대한민국 광주 북구
2 황현상 대한민국 광주 북구
3 최혜정 대한민국 광주 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.10.02 수리 (Accepted) 1-1-2007-0709362-31
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2007.10.16 수리 (Accepted) 1-1-2007-0738825-48
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.04.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.05.14 수리 (Accepted) 9-1-2008-0028236-45
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.08.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0447011-34
6 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2008.10.27 수리 (Accepted) 1-1-2008-0743806-33
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.10.27 수리 (Accepted) 1-1-2008-0743827-92
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.10.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0743836-03
9 등록결정서
Decision to grant		 2008.11.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0578141-00
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
나노크리스탈을 사용하는 반도체 기억소자에 있어서,터널링 산화막과 블러킹 산화막 사이에 금속 산화물 나노크리스탈을 형성하는 단계; 및고압 수소 분위기에서 열처리하여 상기 금속 산화물 나노크리스탈을 금속 나노크리스탈로 환원하는 단계를 포함하는 금속 나노크리스탈 메모리소자 제조공정
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 금속 산화물 나노크리스탈은,페리틴 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 나노크리스탈 메모리소자 제조공정
3 3
제 2 항에 있어서, 상기 페리틴 물질은,내부에 산화철 및 외부에 단백질로 이루어진 것을 특징으로 하는 금속 나노크리스탈 메모리소자 제조공정
4 4
삭제
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 금속 산화물 나노크리스탈을 형성하는 단계는, 자기 조립 방법을 이용하는 것을 특징으로 하는 금속 나노크리스탈 메모리소자 제조 공정
6 6
제 5 항에 있어서, 상기 자기조립 방법은,정전하 작용법 또는 드랍렛 증발법인 금속 나노크리스탈 메모리소자 제조공정
7 7
제 3 항에 있어서, 상기 고압 수소 분위기에서 열처리하여 상기 금속 산화물 나노크리스탈을 금속 나노 크리스탈로 환원하는 단계 이전에 상기 외부의 단백질을 제거하는 단계를 더 포함하는 금속 나노크리스탈 메모리소자 제조공정
8 8
제 7 항에 있어서, 상기 단백질을 제거하는 것은 열처리를 이용할 수 있으며,상기 열처리는 100℃ 내지 200℃의 온도에서 10분 내지 60분동안 수행하는 금속 나노크리스탈 메모리소자 제조공정
9 9
제 1 항에 있어서, 상기 고압 수소 분위기는,수소 가스 분위기에서 2~40atm의 압력으로 수행하는 것을 특징으로 하는 금속 나노크리스탈 메모리소자 제조공정
10 10
제 9 항에 있어서, 상기 금속 산화물 나노크리스탈을 금속 산화물로 환원하기 위한 열처리는,200~400℃의 온도에서 1~60분간 수행하는 것을 특징으로 하는 금속 나노크리스탈 메모리소자 제조공정
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.