상부에 타원형의 반사면 및 반사면 타원의 상부 초점에 위치한 램프를 포함하고, 구동 장치에 의하여 일정한 속도로 이동하는 집속 열원을, 실리콘 기판의 한 쪽 끝에서 다른 쪽 끝으로 일정한 속도로 선형 이동시키면서 실리콘 기판을 200℃ 내지 500℃의 온도범위에서 선형 형태로 가열시킴으로써, 상기 집속 열원이 집중되어 가열된 실리콘 기판의 한 쪽 끝 부분에서부터 고온대가 되고, 상기 집속 열원에 의해 가열된 부분으로부터 거리가 멀어질수록 저온대가 되는 온도 구배를 열원의 이동 방향으로 형성시키며,

상기 온도 구배는, 고온대의 접합 계면 간격은 좁고, 저온대의 접합 계면은 상대적으로 넓은 접합 계면 간격 차이를 형성함으로써 접합 계면에서의 기포 형성 요소들을 저온대 방향으로 확산, 방출시켜, 접합 계면의 비접합 영역을 제거하는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판 직접 접합용 선형 열처리 방법

제1항에 있어서,

상기 선형 열처리 방법은, 실리콘 기판-실리콘 기판의 접합이나, SOI(Silicon On Insulator) 뿐만 아니라 다양한 조합의 기판 접합에도 적용되는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판 직접 접합용 선형 열처리 방법

제1항에 있어서,

상기 선형 열처리 방법은,

상기 집속 열원, 및 상기 반사면 타원의 하부 초점에 위치하는 실리콘 기판을 지지할 지지대를 포함하는 선형 열처리 장치에 의하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판 직접 접합용 선형 열처리 방법