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응력유도 저온결정화를 이용한 비정질 실리콘 박막의결정화 방법 및 이를 이용한 다결정 실리콘 박막트랜지스터의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015159970
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 응력유도 저온결정화를 이용한 비정질 실리콘의 결정화 방법은 압축 공정을 실시하지 않은 투명 절연기판상에 비정질 실리콘을 패터닝하여 활성층을 형성하는 단계와, 열처리에 의한 압축 공정을 진행함에 따라, 상기 절연기판 수축시에 발생되는 압축 응력에 의해 상기 활성층에 인장 응력을 인가하여 상기 비정질 실리콘을 다결정 실리콘으로 결정화하는 단계를 포함한다. 따라서, 절연기판을 수축시키는 압축 공정에서 발생하는 응력을 이용하여 비정질 실리콘으로 이루어진 활성층의 결정화를 동시에 진행하는 것이 가능하므로 공정 시간 단축으로 생산성을 향상시킬 수 있다.비정질실리콘, 다결정실리콘, 응력유도 저온결정화, 상변이, TFT
Int. CL H01L 21/20 (2006.01) H01L 21/324 (2006.01)
CPC H01L 21/32055(2013.01) H01L 21/32055(2013.01) H01L 21/32055(2013.01)
출원번호/일자 1020080032636 (2008.04.08)
출원인 재단법인서울대학교산학협력재단
등록번호/일자 10-1135302-0000 (2012.04.03)
공개번호/일자 10-2009-0107236 (2009.10.13) 문서열기
공고번호/일자 (20120412) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.04.08)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 주승기 대한민국 경기도 성남시 분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이재화 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 덕천빌딩 *층 이재화특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.04.08 수리 (Accepted) 1-1-2008-0252935-31
2 보정요구서
Request for Amendment		 2008.04.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2008-0053788-41
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2008.05.14 수리 (Accepted) 1-1-2008-0340752-70
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2009.12.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.01.15 수리 (Accepted) 9-1-2010-0003276-90
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.02.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0065935-05
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2010.04.16 수리 (Accepted) 1-1-2010-0244571-31
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.05.10 수리 (Accepted) 1-1-2010-0297947-25
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.05.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0297946-80
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.08.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0378725-76
11 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2010.10.29 수리 (Accepted) 1-1-2010-0703321-23
12 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2010.11.30 수리 (Accepted) 1-1-2010-0785926-35
13 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2010.12.30 수리 (Accepted) 1-1-2010-0875889-77
14 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.01.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0072105-89
15 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.01.28 수리 (Accepted) 1-1-2011-0072104-33
16 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.08.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0443745-27
17 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.10.07 수리 (Accepted) 1-1-2011-0783932-08
18 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.10.07 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0783933-43
19 등록결정서
Decision to grant		 2012.01.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0006745-89
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5100909-62
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5036045-28
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
열처리시 수축을 방지하기 위한 압축공정을 실시하지 않은 투명한 절연기판 상에 비정질 실리콘을 증착하여 활성층을 형성하는 단계와,상기 활성층이 형성된 상기 절연기판을 열처리함으로써 상기 절연기판의 수축에 따른 압축응력으로 상기 활성층에 인가되는 인장응력에 의해 상기 비정질 실리콘 활성층을 다결정 실리콘 활성층으로 결정화하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 응력유도 저온결정화를 이용한 비정질 실리콘의 결정화 방법
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서, 상기 압축 공정은 300 ～ 600℃의 온도로 1 ～ 15 시간 동안 열처리하는 것을 특징으로 하는 응력유도 저온결정화를 이용한 비정질 실리콘의 결정화 방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 압축 공정은 급속 열처리 장치를 이용하여 600℃ 이상의 온도에서 수분 이내에 열처리하는 것을 특징으로 하는 응력유도 저온결정화를 이용한 비정질 실리콘의 결정화 방법
6 6
열처리에 수반되는 수축을 방지하기 위한 압축공정을 실시하지 않은 투명한 절연기판 상에 비정질 실리콘을 증착하여 활성층을 형성하는 단계와,상기 활성층이 형성된 상기 절연기판을 열처리함으로써 상기 열처리에 수반되는 상기 절연기판의 수축에 따른 압축응력으로 상기 활성층에 인가되는 인장응력에 의해 상기 비정질 실리콘 활성층을 다결정 실리콘 활성층으로 결정화하는 단계와,상기 다결정 실리콘 활성층을 패터닝하여 활성영역을 한정하는 단계와,상기 활성영역이 한정된 상기 활성층 상에 게이트 절연막을 개재시킨 후, 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 응력유도 저온결정화를 이용한 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 제조방법
7 7
제6항에 있어서, 상기 압축 공정은 300 ～ 600℃의 온도로 1 ～ 15 시간 동안 열처리하는 것을 특징으로 하는 응력유도 저온결정화를 이용한 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 제조방법
8 8
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패밀리정보가 없습니다
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