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평면형 신경 전극의 하부에 위치하는 하판;상기 평면형 신경 전극의 상부에 위치하는 상판; 및상기 상판 및 상기 하판에 연결되어 상기 상판 및 상기 하판에 열 또는 압력을 가하는 열압력부를 포함하며,상기 상판과 상기 하판 중 어느 하나는 양각의 형태인 볼록부를 포함하고, 상기 상판과 상기 하판 중 다른 하나는 음각의 형태인 오목부를 포함하는,3차원 신경 전극 제조 장치
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제 1 항에 있어서,상기 상판은 오목부를 포함하는 것을 특징으로 하고, 상기 하판은 볼록부를 포함하는 것을 특징으로 하며,상기 상판과 상기 하판이 맞닿게 되면, 상기 하판의 볼록부는 상기 평면형 신경 전극을 하부에서 상부로 밀어주고 상기 상판의 오목부는 상기 평면형 신경 전극을 상부에서 하부로 눌러줌으로써 상기 평면형 신경 전극이 3차원 형태를 가지도록 하는,3차원 신경 전극 제조 장치
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제 1 항에 있어서,상기 하판은 오목부를 포함하는 것을 특징으로 하고, 상기 상판은 볼록부를 포함하는 것을 특징으로 하며,상기 상판과 상기 하판이 맞닿게 되면, 상기 상판의 볼록부는 상기 평면형 신경 전극을 상부에서 하부로 밀어주고 상기 하판의 오목부는 상기 평면형 신경 전극을 하부에서 상부로 눌러줌으로써 상기 평면형 신경 전극이 3차원 형태를 가지도록 하는,3차원 신경 전극 제조 장치
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제 1 항에 있어서,상기 상판과 상기 하판 각각에는,상기 상판과 상기 하판을 상기 평면형 신경 전극과 정렬시키기 위한 정렬부가 형성된,3차원 신경 전극 제조 장치
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제 1 항에 있어서,상기 상판 및 상기 하판 각각은 받침대부를 더 포함하고,상기 받침대부는 상기 상판과 상기 하판이 맞닿았을 때 상기 상판과 상기 하판 사이에 이격 거리가 생기게 하는,3차원 신경 전극 제조 장치
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제 5 항에 있어서,상기 이격 거리는, 상기 평면형 신경 전극의 두께와 일치하는,3차원 신경 전극 제조 장치
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제 1 항에 있어서,상기 평면형 신경 전극은,상기 하판 상에 배치되는 제1 폴리머 필름층;상기 제1 폴리머 필름층 상에 배치되는 도전성 금속; 및상기 도전성 금속 상에 배치되는 제2 폴리머 필름층을 포함하는,3차원 신경 전극 제조 장치
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제 7 항에 있어서,상기 제2 폴리머 필름층은,상기 도전성 금속이 노출될 수 있도록 하는 개구부를 더 포함하는,3차원 신경 전극 제조 장치
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제 7 항에 있어서,상기 제1 폴리머 필름층 및 상기 제2 폴리머 필름층은 액정폴리머 (Liquid Crystal Polymer, LCP)를 포함하는,3차원 신경 전극 제조 장치
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제 7 항에 있어서,상기 도전성 금속은 금(Au), 백금(Pt) 중 어느 하나를 포함하는,3차원 신경 전극 제조 장치
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상판과 하판을 포함하는 3차원 신경 전극 제조 장치를 이용해서 3차원 신경 전극을 제조하는 방법에 있어서,평면형 신경 전극을 제조하는 단계;상기 평면형 신경 전극을 상기 하판과 상기 상판 사이에 배치하는 단계; 및상기 상판과 상기 하판을 서로 밀착시킨 뒤 열 또는 압력을 가하는 단계를 포함하는,3차원 신경 전극을 제조하는 방법
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제 11 항에 있어서,상기 평면형 신경 전극을 제조하는 단계는,상기 하판 상에 제1 폴리머 필름층을 배치하는 단계;상기 제1 폴리머 필름층 상에 도전성 금속을 배치하는 단계; 및상기 도전성 금속 상에 제2 폴리머 필름층을 배치하는 단계를 포함하는,3차원 신경 전극을 제조하는 방법
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제 12 항에 있어서,상기 제2 폴리머 필름층은,상기 도전성 금속이 노출될 수 있도록 하는 개구부를 더 포함하는,3차원 신경 전극을 제조하는 방법
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제 12 항에 있어서,상기 제1 폴리머 필름층 및 상기 제2 폴리머 필름층은 액정폴리머 (Liquid Crystal Polymer, LCP)를 포함하는,3차원 신경 전극을 제조하는 방법
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제 12 항에 있어서,상기 도전성 금속은 금(Au), 백금(Pt) 중 어느 하나를 포함하는,3차원 신경 전극을 제조하는 방법
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제 11 항에 있어서,상기 상판은 음각의 형태인 오목부를 더 포함하고, 상기 하판은 양각의 형태인 볼록부를 더 포함하며,상기 상판과 상기 하판이 맞닿게 되면, 상기 하판의 볼록부는 상기 평면형 신경 전극을 하부에서 상부로 밀어주고 상기 상판의 오목부는 상기 평면형 신경 전극을 상부에서 하부로 눌러줌으로써 상기 평면형 신경 전극이 3차원 형태를 가지도록 하는,3차원 신경 전극을 제조하는 방법
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제 11 항에 있어서,상기 하판은 음각의 형태인 오목부를 더 포함하고, 상기 상판은 양각의 형태인 볼록부를 더 포함하며,상기 상판과 상기 하판이 맞닿게 되면, 상기 상판의 볼록부는 상기 평면형 신경 전극을 상부에서 하부로 밀어주고 상기 하판의 오목부는 상기 평면형 신경 전극을 하부에서 상부로 눌러줌으로써 상기 평면형 신경 전극이 3차원 형태를 가지도록 하는,3차원 신경 전극을 제조하는 방법
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제 11 항에 있어서,상기 평면형 신경 전극과 상기 하판 사이에 제1 내열성 필름을 배치하는 단계; 및상기 평면형 신경 전극과 상기 상판 사이에 제2 내열성 필름을 배치하는 단계를 더 포함하는,3차원 신경 전극을 제조하는 방법
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제 11 항에 있어서,상기 상판과 상기 하판 각각에는,상기 상판과 상기 하판을 상기 평면형 신경 전극과 정렬시키기 위한 정렬부가 형성된,3차원 신경 전극을 제조하는 방법
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제 19 항에 있어서,상기 정렬부를 이용해서 상기 상판, 상기 하판, 및 상기 평면형 신경 전극을 정렬시키는 단계를 더 포함하는,3차원 신경 전극을 제조하는 방법
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제 19 항에 있어서,상기 정렬부는 핀(pin)부 및 홀(hole)부를 포함하며,상기 핀부는 상기 홀부에 부합되도록 형성되는,3차원 신경 전극을 제조하는 방법
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제 18 항에 있어서,상기 제1 및 제2 내열성 필름은,테플론 필름인 것을 특징으로 하는, 3차원 신경 전극을 제조하는 방법
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제 18 항에 있어서,상기 제1 내열성 필름의 두께는 상기 제2 내열성 필름의 두께와 상이한 것을 특징으로 하는,3차원 신경 전극을 제조하는 방법
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