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나노지형구조 미세전극칩, 이의 제조방법 및 이를 이용한 세포 성장방법(Nanostructured electrode chip, a preparation method thereof and Methods for cell growth using thereof)

  • 기술번호 : KST2015231024
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 나노지형구조 미세전극칩, 이의 제조방법 및 이를 이용한 세포 성장방법에 관한 것으로 더욱 상세하게는 기판상에 나노 스케일의 요철이 지형적 구조로 형성되어 다양한 지형적 구조에서 세포를 성장시키며, 다양한 구조의 지형적 구조에 따른 신경세포의 반응을 연구할 수 있는 나노지형구조 미세전극칩, 이의 제조방법 및 이를 이용한 세포 성장방법에 관한 것이다.
Int. CL C12N 5/0793 (2010.01) C12M 3/04 (2006.01) B32B 15/08 (2006.01) B32B 27/06 (2006.01) B81C 1/00 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01) C12N 5/00 (2006.01) C12N 5/04 (2006.01)
CPC C12M 3/04(2013.01) C12M 3/04(2013.01) C12M 3/04(2013.01) C12M 3/04(2013.01) C12M 3/04(2013.01) C12M 3/04(2013.01) C12M 3/04(2013.01) C12M 3/04(2013.01) C12M 3/04(2013.01) C12M 3/04(2013.01) C12M 3/04(2013.01)
출원번호/일자 1020140073554 (2014.06.17)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1686120-0000 (2016.12.07)
공개번호/일자 10-2015-0144872 (2015.12.29) 문서열기
공고번호/일자 (20161214) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.06.17)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 남윤기 대한민국 대전광역시 유성구
2 주성훈 대한민국 대전광역시 유성구
3 김래영 대한민국 대전광역시 유성구
4 장민지 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이원희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠빌딩*차 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2014.06.17 수리 (Accepted) 1-1-2014-0564248-64
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2015.04.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2015.06.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2015-0045216-89
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.01.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0054086-17
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.03.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0231341-61
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.03.10 수리 (Accepted) 1-1-2016-0231328-77
10 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2016.07.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0529775-64
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.08.12 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2016-0785764-53
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.08.12 수리 (Accepted) 1-1-2016-0785746-31
13 등록결정서
Decision to grant		 2016.10.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0778269-46
14 [일부 청구항 포기]취하(포기)서
[Abandonment of Partial Claims] Request for Withdrawal (Abandonment)		 2016.12.07 수리 (Accepted) 2-1-2016-0750316-93
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판상에 형성된 접착층;상기 접착층의 상부에 형성된 전극층; 및상기 기판 및 전극층 상에 형성된 절연층;을 포함하며,상기 접착층 및 전극층은 패턴을 형성하고,상기 전극층의 적어도 일부가 외부로 노출되며,상기 절연층은 요철구조를 가지고,상기 요철구조가 상기 패턴과 대응되며,상기 요철구조는 상기 접착층 및 전극층의 패턴 위에 돌출부가 형성되고, 접착층 및 전극층이 없는 부분 위에 비돌출부가 형성된 것을 특징으로 하는 나노지형구조 미세전극칩
2 2
기판상에 형성된 접착층;상기 접착층의 상부에 형성된 전극층; 상기 기판 및 전극층 상에 형성된 절연층; 및상기 절연층상에 코팅된 세포 친화성 고분자층;을 포함하며,상기 접착층 및 전극층은 패턴을 형성하고,상기 전극층의 적어도 일부가 외부로 노출되며,상기 절연층은 요철구조를 가지고,상기 요철구조가 상기 패턴과 대응되며,상기 요철구조는 상기 접착층 및 전극층의 패턴 위에 돌출부가 형성되고, 접착층 및 전극층이 없는 부분 위에 비돌출부가 형성된 것을 특징으로 하는 나노지형구조 미세전극칩
3 3
제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 요철구조는,상기 접착층 및 상기 전극층의 상부에 화학적 기상증착(CVD) 방법으로 절연층이 증착되어 형성되는 것을 특징으로 하는 나노지형구조 미세전극칩
4 4
제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 요철구조는,점(dot) 및 선(line) 또는 이들의 조합이 배열된 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 나노지형구조 미세전극칩
5 5
제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 기판은, 유리, 플라스틱, 금속 및 실리콘으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상을 포함하는 나노지형구조 미세전극칩
6 6
제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 접착층은, 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 금(Au), 은(Ag), 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 주석(Sn), 몰리브덴(Mo), 루테늄(Ru) 및 인듐(In)으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상을 포함하는 나노지형구조 미세전극칩
7 7
제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 접착층은, 10 ~ 50nm의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 나노지형구조 미세전극칩
8 8
청구항 8은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
9 9
제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 전극층은,100 ~ 300nm의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 나노지형구조 미세전극칩
10 10
청구항 10은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
11 11
제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 절연층은,200 ~ 1000nm의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 나노지형구조 미세전극칩
12 12
제 2항에 있어서, 상기 세포 친화성 고분자층은,폴리도파민(polydopamine), 폴리라이신(polylysine), 라미닌(laminin) 및 파이브로넥틴(fibronectin) 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상을 포함하는 나노지형구조 미세전극칩
13 13
기판상에 접착층을 형성하는 단계(단계 1);상기 접착층상에 전극층을 형성하는 단계(단계 2);상기 접착층 및 전극층을 패터닝하는 단계(단계 3);상기 단계 3의 기판상에 절연층을 플라즈마 기상 증착방법으로 증착하여 표면에 요철구조를 갖는 절연층을 형성하되, 상기 접착층 및 전극층이 패터닝된 부분 위에 돌출부를 형성하고, 상기 접착층 및 전극층이 없는 부분 위에 비돌출부를 형성하는 단계(단계 4); 및상기 단계 4에서 증착된 절연층의 적어도 일부를 패터닝하여 상기 전극층의 일부가 외부로 노출되는 단계(단계 5);를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노지형구조 미세전극칩의 제조방법
14 14
기판상에 접착층을 형성하는 단계(단계 1);상기 접착층상에 전극층을 형성하는 단계(단계 2);상기 접착층 및 전극층을 패터닝하는 단계(단계 3);상기 단계 3의 기판상에 절연층을 플라즈마 기상 증착방법으로 증착하여 표면에 요철구조를 갖는 절연층을 형성하되, 상기 접착층 및 전극층이 패터닝된 부분 위에 돌출부를 형성하고, 상기 접착층 및 전극층이 없는 부분 위에 비돌출부를 형성하는 단계(단계 4); 상기 단계 4에서 증착된 절연층의 적어도 일부를 패터닝하여 상기 전극층의 일부를 외부로 노출시키는 단계(단계 5);상기 단계 5의 기판상에 세포 친화성 고분자를 코팅하여 세포를 배양하는 단계(단계 6);를 포함하는 나노지형구조 미세전극칩을 이용한 세포 성장방법
15 15
제 14항에 있어서, 상기 세포는, 미생물, 동식물 세포 및 신경세포 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상을 포함하는 나노지형구조 미세전극칩을 이용한 세포 성장방법
16 16
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1 미래창조과학부 한국과학기술원 뇌과학원천기술개발사업 체내 미세환경모방 체외 신경세포칩 플랫폼 개발
2 미래창조과학부 한국과학기술원 중견연구자지원사업 생물학적 인공 신경네트웍칩 개발 및 응용