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소프트 몰드의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015119367
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 고점도 유체를 전사하여 나노스케일의 선폭을 갖는 전극 패턴을 제조하기 위한 소프트 몰드의 제조 방법을 개시한다. 본 발명에 따른 소프트 몰드의 제조 방법은 실리콘 기판의 표면을 나노스케일의 표면거칠기로 가공하는 단계와, 실리콘 기판의 표면에 포토레지스트 패턴을 패터닝하는 단계와, 실리콘 기판의 표면에 폴리머를 코팅한 후 실리콘 기판과 폴리머를 분리하여 나노스케일의 표면거칠기와 고점도 유체의 충전하여 전사할 수 있는 몰드 패턴을 구비하는 소프트 몰드를 얻는 단계를 포함한다. 본 발명에 따른 소프트 몰드는 표면에 나노스케일의 표면거칠기와 고점도 유체를 충전하여 전사할 수 있는 몰드 패턴을 구비한다. 본 발명에 의하면, 몰드 패턴에 충전되어 있는 고점도 유체를 터치패널에 전사하여 80㎛ 이하의 선폭을 갖는 전극 패턴을 제조할 수 있다. 또한, 나노스케일의 선폭을 갖는 전극 패턴의 정확성과 일치성이 향상되므로, 터치패널에 화학적 처리 없이 저온에서 전극 패턴을 형성할 수 있다.
Int. CL B29C 33/38 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC B29C 33/3842(2013.01) B29C 33/3842(2013.01) B29C 33/3842(2013.01) B29C 33/3842(2013.01) B29C 33/3842(2013.01)
출원번호/일자 1020110134058 (2011.12.13)
출원인 한국과학기술원, 하나마이크로(주)
등록번호/일자 10-1431792-0000 (2014.08.12)
공개번호/일자 10-2013-0067182 (2013.06.21) 문서열기
공고번호/일자 (20140820) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020130087624;
심사청구여부/일자 Y (2011.12.13)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
2 하나마이크로(주) 대한민국 경기도 용인시 처인구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이승섭 대한민국 대전광역시 유성구
2 김진하 대한민국 대전광역시 유성구
3 임헌광 대한민국 대전광역시 유성구
4 이정우 대한민국 서울특별시 구로구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다인 대한민국 경기도 화성시 동탄기흥로*** 더퍼스트타워쓰리제**층 제****호, 제****-*호

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대전광역시 유성구
2 주식회사 알에프텍 경기도 용인시 처인구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.12.13 수리 (Accepted) 1-1-2011-0991243-26
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.05.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0374355-07
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.02 수리 (Accepted) 4-1-2013-0029367-42
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.07.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0670855-32
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.07.24 수리 (Accepted) 1-1-2013-0670845-86
7 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2013.07.24 수리 (Accepted) 1-1-2013-0670934-41
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.11.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0799678-39
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.01.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0042846-58
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.01.15 수리 (Accepted) 1-1-2014-0042820-72
11 등록결정서
Decision to grant		 2014.05.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0367317-42
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2015-5085187-30
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
실리콘 기판의 표면을 나노스케일의 표면거칠기로 가공하는 단계와;상기 실리콘 기판의 표면에 포토레지스트 패턴을 패터닝하는 단계와;상기 실리콘 기판의 표면에 폴리머를 코팅한 후 상기 실리콘 기판과 상기 폴리머를 분리하여 나노스케일의 표면거칠기와 고점도 유체의 충전하여 전사할 수 있는 몰드 패턴을 구비하는 소프트 몰드를 얻는 단계를 포함하는 소프트 몰드의 제조 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 실리콘 기판의 표면거칠기는 리액티브 이온 에칭에 의하여 가공하는 소프트 몰드의 제조 방법
3 3
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 폴리머의 영률은 0
4 4
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 몰드 패턴의 폭은 80㎛ 이하이며, 상기 몰드 패턴의 깊이는 5~30㎛으로 이루어지는 소프트 몰드의 제조 방법
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6 6
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8 8
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9 9
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10 10
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11 11
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12 12
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13 13
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지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 KR1020130091299 KR 대한민국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
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