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아크 플라즈마 증착법을 이용한 나노촉매 제조방법

  • 기술번호 : KST2015114532
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 금속산화물 기판 또는 분말 상에 아크 플라즈마 증착법으로 증착된 금속 나노입자를 포함하는 나노촉매에 관한 것이다. 본 발명의 나노촉매는 금속 나노입자가 기판 또는 분말에 고르게 분포되면서 안정적으로 고착화됨으로써 우수한 촉매 활성을 갖고, 또한 아크 플라즈마 증착법을 이용하여 증착시 전압의 세기를 조절함으로써 증착되는 금속 입자의 크기가 조절될 수 있다.
Int. CL B82B 1/00 (2006.01) B01J 37/16 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01) B01J 19/12 (2006.01)
CPC B01J 37/349(2013.01) B01J 37/349(2013.01) B01J 37/349(2013.01) B01J 37/349(2013.01)
출원번호/일자 1020130044759 (2013.04.23)
출원인 한국과학기술원, 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-1472985-0000 (2014.12.09)
공개번호/일자 10-2014-0126511 (2014.10.31) 문서열기
공고번호/일자 (20141216) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.04.23)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
2 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박정영 미국 대전 유성구
2 김선미 대한민국 대전광역시 유성구
3 캄란 카디르 파키스탄 대전광역시 유성구
4 정찬호 대한민국 대전광역시 유성구
5 김상훈 대한민국 서울특별시 성북구
6 하헌필 대한민국 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 에이치엠피 대한민국 서울특별시 중구 세종대로*길 **, *층 (서소문동, 부영빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
2 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.04.23 수리 (Accepted) 1-1-2013-0356326-14
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2014.01.03 수리 (Accepted) 1-1-2014-0006021-75
3 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2014.01.10 수리 (Accepted) 1-1-2014-0028446-70
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2014.03.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2014.04.07 수리 (Accepted) 1-1-2014-0331329-66
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.04.09 수리 (Accepted) 9-1-2014-0030679-57
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.04.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0296618-36
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2014.06.27 수리 (Accepted) 1-1-2014-0604549-29
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.07.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0696129-46
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.07.24 수리 (Accepted) 1-1-2014-0696128-01
12 등록결정서
Decision to grant		 2014.11.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0787330-76
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
a) 멀티타겟 스퍼터링(multitarget sputtering) 방법을 이용하여 티타니아(TiO2) 필름을 기질에 증착시킨 후 가열하여 평면기판을 제작하는 단계로서, 스퍼터링 비율은 티타니아(TiO2):티탄(Ti)=3:1인 단계; 및b) 아크 플라즈마 증착법을 이용하여 백금(Pt) 나노입자를 상기 평면기판에 증착시키는 단계를 포함하는 나노촉매 제조방법
2 2
제1항에 있어서,상기 기질은 실리콘 웨이퍼(Si wafer)인 것을 특징으로 하는 방법
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서,상기 b)단계의 아크 플라즈마 증착법은 10-6 토르(Torr)의 진공 조건에서 동축 펄스(coaxial pulsed) 아크 플라즈마 증착 시스템을 이용하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 방법
5 5
제4항에 있어서,상기 아크 플라즈마 증착은 아크 전압 100 V 및 콘덴서 용량 1080 uF의 조건으로 수행되는 것을 특징으로 하는 방법
6 6
삭제
7 7
제1항에 있어서,상기 아크 플라즈마 증착법은, 트리거 펄스의 수가 10이며 각 펄스는 6 X 10-4 내지 10 X 10-4 mg/cm2의 백금을 증착시키는 것을 특징으로 하는 방법
8 8
삭제
9 9
제1항에 있어서,상기 아크 플라즈마 증착법은 0
10 10
삭제
11 11
삭제
12 12
제1항, 제2항, 제4항, 제5항, 제7항 및 제9항 중의 어느 하나의 방법에 의해 제조된 나노촉매
13 13
제12항의 나노촉매를 포함하는 반응기 내에서 일산화탄소를 산화시키는 단계; 및 상기 산화반응에 의해 생성된 이산화탄소의 양을 측정하는 단계를 포함하는 제12항의 나노촉매 활성 평가방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 한국과학기술원 도약연구지원사업(도전) 핫전자 물리 및 화학의 연구