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하이브리드 절연층을 가지는 메모리 소자 및 그의 제조 방법(MEMORY DEVICE HAVING HYBRID INSULATION LAYER AND PREPARATION METHOD THEREOF)

  • 기술번호 : KST2016018583
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 하이브리드 절연층을 가지는 메모리 소자 및 그의 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 기판 상에 형성된 게이트 전극과 소스 및 드레인 전극을 포함하는 트랜지스터에 있어서, 상기 게이트 전극과 소스 및 드레인 전극 사이에 무기질과 유기질의 혼합 물질로 이루어져 히스테리시스를 나타내는 전기적으로 분극 가능한 하이브리드 메모리 절연층이 형성된다.상기와 같은 본 발명에 따르면, 메모리 절연층을 폴리비닐페놀(polyvinyl phenol)의 유기질 물질과 비닐트리에톡시실란(Vinyltriethoxysilane)의 무기질 물질을 혼합한 하이브리드 절연층으로 형성되도록 하여, 무기 메모리와 유기 메모리 소자의 특성을 상호 보완하여 메모리 성능이 향상되며, 저온 뿐만 아니라 고온에서도 안정적으로 작동되어 사용범위가 매우 넓은 효과가 있다.또한, 절연층을 폴리비닐페놀의 유기질 물질과 비닐트리에톡시실란의 무기질 물질의 크로스링킹을 통한 화학적 결합을 통해 유전율을 낮추면서도 히스테리시스 누설이 거의 없어 저전압에서 우수한 드레인 전류 특성을 가지도록 하여 저전압에서 구동이 가능한 효과가 있다.또한, 폴리비닐페놀 물질을 실리콘 베이스 무기물인 비닐트리에톡시실란과 화학결합시켜 절연층이 단단해져 절연층 자체를 기판으로 사용할 수 있어, 별도의 기판 형성단계가 필요치 않아 제조시간을 단축할 수 있으며, 제조비용을 절감할 수 있는 효과가 있다.
Int. CL H01L 51/00 (2006.01) H01L 51/05 (2006.01)
CPC H01L 51/0533(2013.01) H01L 51/0533(2013.01) H01L 51/0533(2013.01) H01L 51/0533(2013.01)
출원번호/일자 1020150055033 (2015.04.20)
출원인 경북대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0124940 (2016.10.31) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.04.20)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경북대학교 산학협력단 대한민국 대구광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김영규 대한민국 대구광역시 수성구
2 김화정 대한민국 대구광역시 수성구
3 이철연 대한민국 대구광역시 수성구
4 서주역 대한민국 경상남도 창원시 진해구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인(유한) 해담 대한민국 서울특별시 강남구 논현로 ***, **층 *호(역삼동, 송촌빌딩)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2015.04.20 수리 (Accepted) 1-1-2015-0379695-09
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2015.12.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2016.01.27 수리 (Accepted) 1-1-2016-0089453-22
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2016.02.05 수리 (Accepted) 9-1-2016-0008744-35
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.03.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0203449-38
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.05.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0473873-47
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.05.18 수리 (Accepted) 1-1-2016-0473872-02
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.09.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0689350-82
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2016.11.28 수리 (Accepted) 1-1-2016-1161341-19
10 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2016.12.26 수리 (Accepted) 1-1-2016-1272505-81
11 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2017.01.26 수리 (Accepted) 1-1-2017-0094321-67
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.02.23 수리 (Accepted) 1-1-2017-0187990-39
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.02.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0187994-11
14 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2017.06.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0454911-86
15 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
2017.07.31 수리 (Accepted) 1-1-2017-0734715-87
16 법정기간연장승인서
2017.08.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2017-0110133-49
17 심사관의견요청서
Request for Opinion of Examiner
2017.10.17 수리 (Accepted) 7-8-2017-0024647-64
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.03.26 수리 (Accepted) 4-1-2018-5051994-32
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.23 수리 (Accepted) 4-1-2020-5136893-04
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 형성된 게이트 전극과 소스 및 드레인 전극을 포함하는 트랜지스터에 있어서, 상기 게이트 전극과 소스 및 드레인 전극 사이에 상호간에 크로스링킹이 가능한 무기질과 유기질의 혼합 물질로 히스테리시스를 나타내는 전기적으로 분극 가능한 하이브리드 메모리 절연층이 형성되는 것을 특징으로 하는 하이브리드 절연층을 가지는 메모리 소자
2 2
제 1항에 있어서,상기 하이브리드 메모리 절연층의 유기질 물질은 폴리비닐페놀(polyvinyl phenol)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 하이브리드 절연층을 가지는 메모리 소자
3 3
제 1항에 있어서,상기 하이브리드 메모리 절연층의 무기질 물질은 비닐트리에톡시실란(Vinyltriethoxysilane)으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 하이브리드 절연층을 가지는 메모리 소자
4 4
기판;상기 기판 상에 형성된 게이트 전극;상기 게이트 전극 상에 형성되며 무기질과 유기질의 혼합 물질로 이루어져 히스테리시스를 나타내는 전기적으로 분극 가능한 하이브리드 메모리 절연층;상기 하이브리드 메모리 절연층 상에 형성된 전하 수송층; 및상기 전하 수송층 상에 일정 거리 이격되게 각각 형성된 소스 및 드레인 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 하이브리드 절연층을 가지는 메모리 소자
5 5
제 4항에 있어서,상기 하이브리드 메모리 절연층의 유기질 물질은 폴리비닐페놀(polyvinyl phenol)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 하이브리드 절연층을 가지는 메모리 소자
6 6
제 4항에 있어서,상기 하이브리드 메모리 절연층의 무기질 물질은 비닐트리에톡시실란(Vinyltriethoxysilane)으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 하이브리드 절연층을 가지는 메모리 소자
7 7
제 4항에 있어서,상기 전하 수송층은 정공 수송층인 것을 특징으로 하는 하이브리드 절연층을 가지는 메모리 소자
8 8
기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 게이트 전극 상에 형성되며 유기질과 무기질의 혼합 물질로 이루어져 히스테리시스를 나타내는 전기적으로 분극 가능한 하이브리드 메모리 절연층을 형성하는 단계;상기 하이브리드 메모리 절연층 상에 전하 수송층을 형성하는 단계;상기 정공 수송층 상에 일정 거리 이격되는 소스 전극과 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 하이브리드 절연층을 가지는 메모리 소자 제조 방법
9 9
제 8항에 있어서,상기 하이브리드 메모리 절연층의 유기질 물질은 폴리비닐페놀(polyvinyl phenol)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 하이브리드 절연층을 가지는 메모리 소자 제조 방법
10 10
제 8항에 있어서,상기 하이브리드 메모리 절연층의 무기질 물질은 비닐트리에톡시실란(Vinyltriethoxysilane)으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 하이브리드 절연층을 가지는 메모리 소자 제조 방법
11 11
제 8항에 있어서,상기 하이브리드 메모리 절연층 형성단계는 폴리비닐페놀(polyvinyl phenol)과 비닐트리에톡시실란(Vinyltriethoxysilane)을 물과 아세트산을 촉매로 하여 일정 시간동안 반응시켜 화학적 결합이 이루어지도록 하는 것을 특징으로 하는 하이브리드 절연층을 가지는 메모리 소자 제조 방법
12 12
제 11항에 있어서,상기 폴리비닐페놀(polyvinyl phenol)의 OH기와 상기 비닐트리에톡시실란(Vinyltriethoxysilane)의 OH기의 결합을 통해 크로스링킹되는 것을 특징으로 하는 하이브리드 절연층을 가지는 메모리 소자 제조 방법
13 13
제 11항에 있어서,상기 하이브리드 메모리 절연층은 졸겔법에 의해 제조되는 것을 특징으로 하는 하이브리드 절연층을 가지는 메모리 소자 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US10529936 US 미국 FAMILY
2 US20180301645 US 미국 FAMILY
3 WO2016171437 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US10529936 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US2018301645 US 미국 DOCDBFAMILY
3 WO2016171437 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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