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저항변화메모리(The Resistance Random Access Memory)

  • 기술번호 : KST2016018655
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기판, 상기 기판 상에 형성된 제1 전극층, 상기 제 1전극층 상에 형성된 열 전도 물질층, 상기 열 전도 물질층 상에 형성된 저항변화 물질층 및 상기 저항변화 물질층 상에 형성된 제2 전극층을 포함하는 것을 특징으로 하는 저항변화 메모리에 관한 것이다.
Int. CL H01L 45/00 (2006.01.01)
CPC H01L 45/1253(2013.01) H01L 45/1253(2013.01)
출원번호/일자 1020150056866 (2015.04.22)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0125843 (2016.11.01) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.04.22)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최성율 대한민국 대전광역시 유성구
2 장병철 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 다해 대한민국 서울시 서초구 서운로**, ***호(서초동, 중앙로얄오피스텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2015.04.22 수리 (Accepted) 1-1-2015-0393433-83
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2015.05.14 수리 (Accepted) 1-1-2015-0462541-13
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
4 [심사청구]심사청구서·우선심사신청서
 2020.04.22 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2020-0415559-05
5 [심사청구]심사청구서·우선심사신청서
 2020.04.22 수리 (Accepted) 1-1-2020-0415892-94
6 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document		 2020.05.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2020-0063664-72
7 [반려요청]서류 반려요청서·반환신청서
 2020.05.04 수리 (Accepted) 1-1-2020-0451047-74
8 서류반려통지서
Notice for Return of Document		 2020.05.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2020-0065281-35
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
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번호 청구항
1 1
기판;상기 기판 상에 형성된 제1 전극층;상기 제 1전극층 상에 형성된 열 전도 물질층;상기 열 전도 물질층 상에 형성된 저항변화 물질층; 및상기 저항변화 물질층 상에 형성된 제2 전극층을 포함하는 것을 특징으로 하는 저항변화 메모리
2 2
제 1항에 있어서,상기 열 전도 물질은 그래핀인 것을 특징으로 하는 저항변화 메모리
3 3
제 1항에 있어서,상기 제1 전극 및 제 2전극은 니켈(Ni), 티탄(Ti), 하프늄(Hf), 지르코늄(Zr), 아연(Zn), 텅스텐(W), 코발트(Co), 바나듐(V), 구리(Cu), 알루미늄(Al) 및 백금(Pt) 중에서 선택된 어느 하나를 포함하며,상기 저항변화 물질층은 고분자 폴리머가 증착된 고분자 절연막으로,상기 고분자 폴리머는 poly(cyclosiloxane), poly(FMA), poly(IBA), poly(EGDMA) 및 poly(V3D3) 중 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 저항변화 메모리
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 한국과학기술원 글로벌프론티어사업 신개념 소프트 소자 및 집적회로 아키텍쳐