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멤리스터 소자, 그 제조 방법, 멤리스터 소자를 포함하는 시냅틱 소자 및 시냅틱 소자를 포함하는 뉴로모픽 소자

기술번호 : KST2022001957
담당센터 : 대전기술혁신센터
전화번호 : 042-610-2279

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	멤리스터 소자, 그 제조 방법, 멤리스터 소자를 포함하는 시냅틱 소자 및 시냅틱 소자를 포함하는 뉴로모픽 소자에 관해 개시되어 있다. 개시된 멤리스터 소자는 제 1 전극, 상기 제 1 전극과 이격하여 배치된 제 2 전극 및 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 공중합체(copolymer)를 포함하는 저항변화층을 구비할 수 있다. 상기 공중합체는 제 1 단량체와 제 2 단량체의 공중합체일 수 있고, 상기 제 1 단량체로 이루어진 제 1 고분자는 상기 제 2 단량체로 이루어진 제 2 고분자보다 금속 이온의 확산이 용이한 특성을 가질 수 있고, 상기 제 2 고분자는 상기 제 1 고분자보다 금속 이온의 확산도가 낮은 특성을 가질 수 있다. 상기 제 1 단량체는 VI(vinylimidazole)를 포함할 수 있다. 상기 제 2 단량체는 V3D3(1,3,5-trivinyl-1,3,5-trimethylcyclotrisiloxane)를 포함할 수 있다. 상기 공중합체는 p(V3D3-co-VI)를 포함할 수 있다.
Int. CL	H01L 45/00 (2006.01.01) G06N 3/063 (2006.01.01)
CPC	H01L 45/14(2013.01) H01L 45/1233(2013.01) H01L 45/1616(2013.01) H01L 45/1253(2013.01) G06N 3/063(2013.01)
출원번호/일자	1020200098219 (2020.08.05)
출원인	에스케이하이닉스 주식회사, 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자	10-2022-0018142 (2022.02.15) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	공개
심사진행상태	수리
심판사항
구분	국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	N
심사청구항수	19

출원인

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번호	이름	국적	주소
1	에스케이하이닉스 주식회사	대한민국	경기도 이천시
2	한국과학기술원	대한민국	대전광역시 유성구

발명자

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번호	이름	주소
1	박상수	경기도 성남시 분당구
2	최성율	대전광역시 유성구
3	임성갑	대전광역시 유성구
4	양상윤	세종특별자치시 마음로**
5	오정엽	대전광역시 유성구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	김권석	대한민국	서울특별시 서초구 논현로*, B동 층(양재동, 삼호물산빌딩)(아이피맥스특허법률사무소)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
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번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2020.08.05	수리 (Accepted)	1-1-2020-0824420-40

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 제 1 전극; 상기 제 1 전극과 이격하여 배치된 제 2 전극; 및 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 공중합체(copolymer)를 포함하는 저항변화층을 구비하고, 상기 공중합체는 제 1 단량체와 제 2 단량체의 공중합체이고, 상기 제 1 단량체로 이루어진 제 1 고분자의 금속 이온 확산도는 상기 제 2 단량체로 이루어진 제 2 고분자의 금속 이온 확산도보다 더 큰 멤리스터(memristor) 소자
2	2 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 단량체는 VI(vinylimidazole)를 포함하는 멤리스터 소자
3	3 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 단량체는 V3D3(1,3,5-trivinyl-1,3,5-trimethylcyclotrisiloxane)를 포함하는 멤리스터 소자
4	4 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 단량체는 VI를 포함하고, 상기 제 2 단량체는 V3D3을 포함하며, 상기 공중합체는 p(V3D3-co-VI)를 포함하는 멤리스터 소자
5	5 제 1 내지 4 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 공중합체에서 상기 제 1 단량체의 함량은 15∼70 %인 멤리스터 소자
6	6 제 1 내지 4 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 공중합체에서 상기 제 1 단량체의 함량은 20∼55 %인 멤리스터 소자
7	7 제 1 내지 4 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극 중 하나는 비활성 전극(inert electrode)이고, 다른 하나는 활성 전극(active electrode)인 멤리스터 소자
8	8 제 7 항에 있어서, 상기 비활성 전극은 Al 및 Pt 중 적어도 하나를 포함하는 멤리스터 소자
9	9 제 7 항에 있어서, 상기 활성 전극은 Cu, Ag 및 Ni 중 적어도 하나를 포함하는 멤리스터 소자
10	10 제 1 내지 4 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 저항변화층은 상기 공중합체로 구성된 단일막이고, 상기 제 1 전극은 상기 단일막의 제 1 면에 접촉되고, 상기 제 2 전극은 상기 단일막의 상기 제 1 면과 마주하는 제 2 면에 접촉된 멤리스터 소자
11	11 제 1 내지 4 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 저항변화층은 5∼100 nm의 두께를 갖는 멤리스터 소자
12	12 제 1 전극을 형성하는 단계; 상기 제 1 전극 상에 공중합체(copolymer)를 포함하는 저항변화층을 형성하는 단계; 및 상기 저항변화층 상에 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 공중합체는 제 1 단량체와 제 2 단량체의 공중합체이고, 상기 제 1 단량체로 이루어진 제 1 고분자의 금속 이온 확산도는 상기 제 2 단량체로 이루어진 제 2 고분자의 금속 이온 확산도보다 더 큰 멤리스터 소자의 제조 방법
13	13 제 12 항에 있어서, 상기 저항변화층은 iCVD(initiated chemical vapor deposition) 공정으로 형성하는 멤리스터 소자의 제조 방법
14	14 제 12 항에 있어서, 상기 제 1 단량체는 VI를 포함하고, 상기 제 2 단량체는 V3D3을 포함하며, 상기 공중합체는 p(V3D3-co-VI)를 포함하는 멤리스터 소자의 제조 방법
15	15 제 12 내지 14 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 공중합체에서 상기 제 1 단량체의 함량은 15∼70 %인 멤리스터 소자의 제조 방법
16	16 제 12 내지 14 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 공중합체에서 상기 제 1 단량체의 함량은 20∼55 %인 멤리스터 소자의 제조 방법
17	17 제 12 내지 14 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극 중 하나는 비활성 전극(inert electrode)이고, 다른 하나는 활성 전극(active electrode)인 멤리스터 소자의 제조 방법
18	18 청구항 1에 기재된 멤리스터 소자를 포함하는 시냅틱(synaptic) 소자
19	19 청구항 18에 기재된 시냅틱 소자를 포함하는 뉴로모픽(neuromorphic) 소자

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번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2020.08.05	수리 (Accepted)	1-1-2020-0824420-40

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