맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

멤리스터 소자, 멤리스터 소자 제작 방법 및 이를 이용한 적층형 신경망 모사 소자

  • 기술번호 : KST2022008013
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 개시의 다양한 실시 예들은 멤리스터 소자, 멤리스터 소자의 제작 방법 및 이를 이용한 적층형 신경망 모사 소자에 관한 것이다. 일 실시 예에 따르면, 멤리스터(memristor) 소자는 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 구비되는 스위칭 층, 상기 스위칭 층 상에 구비되는 활성물질, 상기 활성물질 상에 구비되는 제2 전극 및 상기 스위칭 층을 관통하여 구비되고 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 전압이 인가되는 경우 상기 활성물질이 상기 제1 전극으로 이동하는 통로를 제공하는 채널들을 포함할 수 있다.
Int. CL H01L 45/00 (2006.01.01) G06N 3/063 (2006.01.01)
CPC H01L 45/1253(2013.01) G06N 3/063(2013.01) H01L 45/122(2013.01) H01L 45/1608(2013.01)
출원번호/일자 1020200167722 (2020.12.03)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0078312 (2022.06.10)
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.12.03)
심사청구항수 11

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 최신현 대전광역시 유성구
2 김태룡 대전광역시 유성구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인 정안 대한민국 서울특별시 강남구 선릉로 ***, ***호(논현동,썬라이더빌딩)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2020.12.03 수리 (Accepted) 1-1-2020-1311170-66
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2021.08.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2021.10.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2022-0016796-00
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2022.01.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2022-0077150-11
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
 2022.03.28 수리 (Accepted) 1-1-2022-0331207-71
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2022.03.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2022-0331208-16
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
멤리스터(memristor) 소자에 있어서,제1 전극;상기 제1 전극 상에 구비되는 스위칭 층;상기 스위칭 층 상에 구비되는 활성물질;상기 활성물질 상에 구비되는 제2 전극; 및상기 스위칭 층을 관통하여 구비되고 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 전압이 인가되는 경우 상기 활성물질이 상기 제1 전극으로 이동하는 통로를 제공하는 채널들을 포함하는 멤리스터 소자
2 2
제1항에 있어서,상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 서로 상이한 전도체로 구성되는, 멤리스터 소자
3 3
제1항에 있어서,상기 스위칭 층은 비정질 절연 물질로 구성되는, 멤리스터 소자
4 4
제1항에 있어서,상기 활성물질은 은, 구리, 니켈 중의 적어도 하나를 포함하는, 멤리스터 소자
5 5
멤리스터(memristor) 소자 제조 방법에 있어서,제1 전극을 형성하는 동작;상기 제1 전극 상에 스위칭 층을 형성하는 동작;상기 스위칭 층을 관통하는 복수의 채널을 형성하는 동작;상기 스위칭 층에 형성된 복수의 채널 상에 활성물질을 도포하는 동작;상기 스위칭 층 및 상기 활성물질 상에 제2 전극을 형성하는 동작을 포함하는, 멤리스터 소자 제조 방법
6 6
제5항에 있어서,상기 복수의 채널을 형성하는 단계는,상기 스위칭 층에 상기 복수의 채널이 균일하게 분포하도록 형성하는 동작을 포함하는, 멤리스터 소자 제조 방법
7 7
제5항에 있어서,상기 동작들은 모두 CMOS(complementary metal oxide semiconductor) 소자에 영향을 주지 않는 범위의 온도에서 수행되는, 멤리스터 소자 제조 방법
8 8
제5항에 있어서,상기 제2 전극 상에 층간 물질을 도포하는 동작을 더 포함하는, 멤리스터 소자 제조 방법
9 9
제8항에 있어서,상기 제1 전극을 형성하는 동작;상기 제1 전극 상에 스위칭 층을 형성하는 동작;상기 스위칭 층을 관통하는 복수의 채널을 형성하는 동작;상기 스위칭 층에 형성된 복수의 채널 상에 활성물질을 도포하는 동작;상기 스위칭 층 및 상기 활성물질 상에 제2 전극을 형성하는 동작; 및상기 제2 전극 상에 층간 물질을 도포하는 동작을 반복하여 상기 멤리스터 소자를 적층하는, 멤리스터 소자 제조 방법
10 10
신경망 모사 소자에 있어서,서로 일정한 제1 간격으로 떨어져 있고, 제1 방향으로 구비되는 복수 개의 제1 전극;서로 일정한 제2 간격으로 떨어져 있고, 상기 제1 방향에 수직한 제2 방향으로 구비되는 복수 개의 제2 전극;상기 복수 개의 제1 전극과 상기 복수 개의 제2 전극이 교차하는 위치에 배열 행태로 구비되는 복수의 멤리스터 소자를 포함하는, 신경망 모사 소자
11 11
제10항에 있어서,상기 복수의 멤리스터 소자는,상기 복수 개의 제1 전극 상에 도포되는 스위칭 층;상기 복수 개의 제1 전극과 상기 복수 개의 제2 전극이 교차하는 위치에서 상기 스위칭 층과 상기 복수 개의 제2 전극 사이에 구비되는 활성물질;상기 복수 개의 제1 전극과 상기 복수 개의 제2 전극이 교차하는 위치에서 상기 스위칭 층을 관통하여 형성되고, 상기 활성물질이 이동하는 통로가 되는 복수의 채널들을 포함하는, 신경망 모사 소자
12 12
제 11 항에 있어서,상기 복수 개의 제1 전극, 상기 스위칭 층, 상기 복수의 채널들, 상기 활성물질 및 상기 복수 개의 제2 전극은 모두 CMOS(complementary metal oxide semiconductor) 소자에 영향을 주지 않는 범위의 온도에서 형성되는, 신경망 모사 소자
13 13
제 12 항에 있어서,상기 복수 개의 제1 전극, 상기 스위칭 층, 상기 복수의 채널들, 상기 활성물질 및 상기 복수 개의 제2 전극은 CMOS 소자 상에 적층되면서 형성되는, 신경망 모사 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 한국과학기술원 이공분야기초연구사업 적층 및 집적도 높은 인메모리 컴퓨팅 시스템 구현을 위한 다공성 물질을 이용한 신개념 저항 변화 소자 제작