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3차원으로 연결된 제1 도전체, 상기 제1 도전체를 둘러싸는 3차원 나노쉘 형태의 저항 변화부 및 상기 저항 변화부를 둘러싸는 형태를 가지며, 상기 저항 변화부에 의해 상기 제1 도전체와 분리된 제2 도전체를 포함하는 3차원 나노 복합체를 포함하는 3차원 멤리스터 소자
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제1항에 있어서, 상기 저항 변화부는, 상기 제1 도전체와 상기 제2 도전체에 의해 인가된 전류 및 전압차에 의해 전도성 필라멘트를 형성하는 것을 특징으로 하는 3차원 멤리스터 소자
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제1항에 있어서, 상기 저항 변화부는, 금속, 금속 산화물, 금속 질화물 및 고분자 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 멤리스터 소자
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제3항에 있어서, 상기 저항 변화부는, InO2, SnO2, SrTiO3, SiOx, CeO2, Al2O3, TiO2, ZnO, TaOx, SiNx, TiNx, TaNx, a-Si(아모퍼스 실리콘), Ag, pV3D3(poly(1,3,5-trimethyl-1,3,5-trivinyl cyclotrisiloxane) 및 PCMO( Pr0
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제1항에 있어서, 상기 3차원 나노 복합체 하부에 배치되며 제1 도전체와 전기적으로 연결되는 제1 단자;상기 저항 변화부와 동일한 물질을 포함하며 상기 제1 단자 위에 배치되는 더미층; 및상기 더미층 위에 배치되며 상기 제2 도전체와 전기적으로 연결되는 제2 단자를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 멤리스터 소자
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6
제1항에 있어서, 상기 저항 변화부의 쉘 두께는 1nm 내지 100nm인 것을 특징으로 하는 3차원 멤리스터 소자
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7
도전층을 포함하는 기판 상에 3차원 다공성 주형을 형성하는 단계;전기 도금을 통해 상기 3차원 다공성 주형을 충진하는 단계; 상기 3차원 다공성 주형을 제거하여, 상기 3차원 다공성 주형의 역상을 갖는 3차원 다공성 구조의 제1 도전체를 형성하는 단계;상기 제1 도전체의 기공 내에 나노쉘 형태의 저항 변화부를 형성하는 단계; 및상기 저항 변화부가 형성된 상기 기공 내에 도전성 물질을 충진하여 제2 도전체를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 멤리스터 소자의 제조 방법
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제7항에 있어서, 상기 저항 변화부는, InO2, SnO2, SrTiO3, SiOx, CeO2, Al2O3, TiO2, ZnO, TaOx, SiNx, TiNx, TaNx, a-Si(아모퍼스 실리콘), Ag, pV3D3(poly(1,3,5-trimethyl-1,3,5-trivinyl cyclotrisiloxane) 및 PCMO( Pr0
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제7항에 있어서, 상기 저항 변화부는 증착에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 3차원 멤리스터 소자의 제조 방법
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10
제7항에 있어서, 상기 제2 도전체는 증착 또는 도금에 의해 충진되는 것을 특징으로 하는 3차원 멤리스터 소자의 제조 방법
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11
제7항에 있어서, 상기 저항 변화부를 형성할 때, 상기 도전층 위에 배치되는 더미층을 형성하고, 상기 제2 도전체를 형성할 때, 상기 더미층 또는 상기 제1 도전체, 상기 제2 도전체 및 상기 저항 변화부를 포함하는 3차원 나노 복합체 위에 배치되는 상부 단자를 형성하는 것을 특징으로 하는 3차원 멤리스터 소자의 제조 방법
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12
제7항에 있어서, 상기 제2 도전체를 형성하기 전에, 상기 제1 도전체와 상기 저항 변화부를 포함하는 복합체를 노출하는 개구부를 갖는 유기 절연층을 상기 도전층 위에 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 제2 도전체를 형성할 때, 상기 유기 절연층 위에 배치되는 상부 단자를 형성하는 것을 특징으로 하는 3차원 멤리스터 소자의 제조 방법
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