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기판 상에 제1전극, 고분자 박막을 포함하는 저항 변화층, 제2전극이 순차적으로 위치하고,상기 고분자 박막을 포함하는 저항 변화층은 개시제를 이용한 화학 기상 증착법(iCVD)를 통해 형성되며,상기 고분자 박막은 하이드록시기(hydroxyl group)를 함유하는 아크릴계 단량체 및 비닐기(vinyl group)를 함유하는 실록산계 가교제로부터 중합된 것인, 저항 변화 메모리 소자
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제1항에 있어서,상기 기판은 금속 산화물, 준금속 산화물, 준금속, 금속 및 고분자로 이루어지는 군으로부터 선택되는, 저항 변화 메모리 소자
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제2항에 있어서,상기 기판은 실리콘, 실리콘 산화물 및 유연성 고분자로부터 선택되는, 저항 변화 메모리 소자
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제1항에 있어서,상기 하이드록시기(hydroxyl group)를 함유하는 아크릴계 단량체는 하이드록시(C1-C6)알킬아크릴레이트계 단량체 또는 하이드록시(C1-C6)알킬메타크릴레이트계 단량체인, 저항 변화 메모리 소자
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제4항에 있어서,상기 하이드록시기(hydroxyl group)를 함유하는 아크릴계 단량체는 2-hydroxyethyl methacrylate(HEMA) 단량체인, 저항 변화 메모리 소자
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제1항에 있어서,상기 비닐기(vinyl group)를 함유하는 실록산계 가교제는 비닐기를 2개 이상 함유하는 고리형 화합물인, 저항 변화 메모리 소자
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제6항에 있어서,상기 비닐기(vinyl group)를 함유하는 실록산계 가교제는 1,3,5-trivinyl-trimethyl-cyclotrisiloxane(V3D3)인, 저항 변화 메모리 소자
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제1항에 있어서,상기 저항 변화 메모리 소자는 유연성을 가지는, 저항 변화 메모리 소자
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제1항에 있어서,상기 하이드록시기(hydroxyl group)를 함유하는 아크릴계 단량체 및 비닐기(vinyl group)를 함유하는 실록산계 가교제의 비율은 2000:1 내지 3000:1인, 저항 변화 메모리 소자
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제1항에 있어서,상기 제1전극 및 고분자 박막의 두께는 5:1 내지 20:1인, 저항 변화 메모리 소자
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제1항에 있어서,상기 저항 변화 메모리 소자는 104의 사이클에서 저항 변화율이 하기 식 1을 만족하는, 저항 변화 메모리 소자
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제1항에 있어서,상기 저항 변화 메모리 소자는 상온에서 보존성(retention)이 1000초 이상인, 저항 변화 메모리 소자
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제1항에 있어서,상기 저항 변화 메모리 소자는 하기 식 2로 표시되는 유연 특성을 가지는, 저항 변화 메모리 소자
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다음의 단계를 포함하는 화학 기상 증착 반응(iCVD)을 통한 저항 변화 메모리 소자의 제조방법:(a) 기판에 제1전극을 증착시키는 단계:(b) 하이드록시기(hydroxyl group)를 함유하는 아크릴계 단량체, 개시제, 및 비닐기(vinyl group)를 함유하는 실록산계 가교제를 기상 혼합시키는 단계;(c) 상기 하이드록시기(hydroxyl group)를 함유하는 아크릴계 단량체 및 비닐기(vinyl group)를 함유하는 실록산계 가교제가 중합하여 상기 제1전극 상에 고분자 박막을 포함하는 저항 변화층을 형성하는 단계; 및(d) 상기 저항 변화층에 제2전극을 증착시키는 단계
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제14항에 있어서,상기 단계 (c)는 20 내지 400 mTorr에서 수행되는, 저항 변화 메모리 소자의 제조방법
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