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메모리 및 논리소자 통합형 소프트 전자 시스템

  • 기술번호 : KST2018008723
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 메모리 및 논리소자 통합형 소프트 전자 시스템으로, 기판(100); 상기 기판 상에 적층된 복수 개의 바 형태의 제 1 전극(110); 상기 하부전극 상에 도포된 저항변화 물질층(120); 및 상기 저항변화 물질층(120) 상에 적층된 복수 개의 바 형태의 제 2 전극(130);을 포함하며, 상기 제 1 전극과 제 2 전극은 서로 교차하는 크로스바 형태인 것을 특징으로 하는 메모리 및 논리소자 통합형 소프트 전자 시스템이 제공된다.
Int. CL G11C 13/00 (2006.01.01) H03K 19/20 (2006.01.01) H01L 45/00 (2006.01.01) H01L 27/22 (2006.01.01)
CPC G11C 13/0004(2013.01) G11C 13/0004(2013.01) G11C 13/0004(2013.01) G11C 13/0004(2013.01)
출원번호/일자 1020160175646 (2016.12.21)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0072259 (2018.06.29) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.12.21)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최성율 대한민국 대전광역시 유성구
2 장병철 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 다해 대한민국 서울시 서초구 서운로**, ***호(서초동, 중앙로얄오피스텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.12.21 수리 (Accepted) 1-1-2016-1256499-18
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2017.01.12 수리 (Accepted) 1-1-2017-0036722-13
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.04.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0265874-30
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.06.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0568088-97
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.06.11 수리 (Accepted) 1-1-2018-0568087-41
6 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2018.10.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0737692-10
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.11.29 수리 (Accepted) 1-1-2018-1192948-18
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
메모리 및 논리소자 통합형 소프트 전자 시스템으로, 기판(100); 상기 기판 상에 적층된 복수 개의 바 형태의 제 1 전극(110); 상기 하부전극 상에 도포된 저항변화 물질층(120); 및 상기 저항변화 물질층(120) 상에 적층된 복수 개의 바 형태의 제 2 전극(130);을 포함하며, 상기 제 1 전극과 제 2 전극은 서로 교차하는 크로스바 형태인 것을 특징으로 하는 메모리 및 논리소자 통합형 소프트 전자 시스템
2 2
제 1항에 있어서, 상기 저항변화 물질층(120)은 상기 제 1 전극(110)을 모두 도포하며, 상기 제 2 전극(130)은 상기 저항변화 물질층(120) 상에 구비되는 것을 특징으로 하는 메모리 및 논리소자 통합형 소프트 전자 시스템
3 3
제 1항에 있어서, 상기 메모리 및 논리소자 통합형 소프트 전자 시스템은 MAGIC 방법에 따라 논리게이트를 구성하는 것을 특징으로 하는 메모리 및 논리소자 통합형 소프트 전자 시스템
4 4
제 3항에 있어서, 상기 논리게이트는 NOT, NOR, OR, AND 또는 NAND인 것을 특징으로 하는 메모리 및 논리소자 통합형 소프트 전자 시스템
5 5
제 1항에 있어서, 상기 제 1 전극 및 제 2 전극은 Cu, Ni, Ti, Hf, Zr, ZN, W, Co, V, Al, 및 Pt 중에서 선택된 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 및 논리소자 통합형 소프트 전자 시스템
6 6
제 1항에 있어서, 상기 저항 변화 물질층(120)은 고분자 폴리머가 증착된 고분자 절연막, 금속 산화물 또는 페로브스카이트 물질을 포함할 수 있는 것을 특징으로 하는 메모리 및 논리소자 통합형 소프트 전자 시스템
7 7
제 6항에 있어서, 상기 고분자 폴리머는 poly(cyclosiloxane), poly(furfuryl methacrylate), poly(isobornyl acrylate), poly(1,3,5-trimethyl-1,3,5-trivinyl cyclotrisiloxane), poly(ethylene glycol dimethacrylate) 및 그래핀 산화물(graphene oxide)로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 및 논리소자 통합형 소프트 전자 시스템
8 8
제 1항에 있어서, 상기 기판은 플렉서블 특성을 갖는 것을 특징을 하는 메모리 및 논리소자 통합형 소프트 전자 시스템
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US10847577 US 미국 FAMILY
2 US20190355787 US 미국 FAMILY
3 WO2018117358 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2019355787 US 미국 DOCDBFAMILY
2 WO2018117358 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 한국과학기술원 글로벌프론티어사업 2D/저차원 소재 기반 소프트 기능소자 기술 개발