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자기조립 구조에 대응하는 나노 패턴을 포함하는 뉴로모픽 소자
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제 1항에 있어서,상기 자기조립 구조는 블록 공중합체의 자발적 상분리에 의한 자기조립 구조인 뉴로모픽 소자
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제 2항에 있어서,상기 나노 패턴은 상기 자기조립 구조를 형성하는 블록 공중합체의 제1블록의 패턴에 대응하는 전도성 패턴과 상기 블록 공중합체의 제2블록의 패턴에 대응하는 비전도성 패턴을 포함하는 뉴로모픽 소자
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제 1항에 있어서,상기 자기조립 구조는 랜덤 라멜라 구조이며, 상기 나노 패턴은 상기 랜덤 라멜라 구조를 형성하는 일 물질층의 패턴에 대응하는 전도성 패턴과 상기 랜덤 라멜라 구조를 형성하는 다른 일 물질층의 패턴에 대응하는 비전도성 패턴을 포함하는 뉴로모픽 소자
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제 4항에 있어서,상기 전도성 패턴은 금속 패턴이며, 상기 비전도성 패턴은 반도체 또는 절연체 패턴인 뉴로모픽 소자
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제 4항에 있어서,상기 전도성 패턴은 제1금속 패턴 및 상기 제1금속 패턴의 상부 또는 하부에 접하여 적층되고 제1금속 패턴에 대응하는 형상을 갖는 제2금속 패턴을 포함하는 뉴로모픽 소자
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7
제 4항에 있어서,상기 전도성 패턴과 상기 비전도성 패턴간 단차가 존재하는, 뉴로모픽 소자
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제 3항에 있어서, 상기 전도성 패턴의 전도성 물질은 800 kJ/mol 이하의 이온화 에너지를 갖는 금속을 함유하는 뉴로모픽 소자
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제 3항에 있어서,상기 전도성 패턴과 상기 비전도성 패턴은 하기 식 1을 만족하는, 뉴로모픽 소자(식 1)100 ≤ σ1/σ2(식 1에서, σ1은 상기 전도성 패턴의 전도성 물질이 갖는 상온 전기전도도(S/cm)이며, 상기 σ2는 상기 비전도성 패턴의 비전도성 물질이 갖는 상온 전기전도도(S/cm)이다)
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10
제 3항에 있어서,상기 전도성 패턴-비전도성 패턴의 물질쌍은 금속-고분자인 뉴로모픽 소자
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절연성 기재 및 상기 기재 상 위치하며 전도성 층과 비전도성 층에 의한 랜덤 라멜라 구조를 갖는 나노 패턴을 포함하는 뉴로모픽 소자
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12
제 11항에 있어서,상기 비전도성 층은 그 일부가 상기 기재 내부로 삽입된, 뉴로모픽 소자
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제 12항에 있어서,상기 나노 패턴은 상기 기재와 상기 비전도성 층 사이에 위치하는 제3금속층을 더 포함하는, 뉴로모픽 소자
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제 11항에 있어서,상기 기재는 무기 기재 또는 유기 기재인 뉴로모픽 소자
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제 11항에 있어서,상기 전도성 층과 비전도성 층의 두께는 서로 독립적으로 10 내지 100nm인 뉴로모픽 소자
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제 1항 내지 제 14항 중 어느 한 항에 있어서,상기 나노 패턴을 덮은 절연층을 더 포함하는, 뉴로모픽 소자
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전도성 층과 비전도성 층에 의한 랜덤 라멜라 구조를 갖는 나노 패턴을 포함하는 시냅스 모사층;상기 나노 패턴과 전기적으로 연결되며, 펄스 전압을 포함하는 외부 자극이 입력되는 입력전극; 및상기 입력 전극과 이격되어 위치하고, 상기 나노 패턴과 전기적으로 연결되며, 출력 신호가 출력되는 출력전극;을 포함하는 뉴로모픽 소자
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제 17항에 있어서,상기 전도성 층은 금속 층인 뉴로모픽 소자
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제 18항에 있어서,상기 시냅스 모사층에서, 일 비전도성 층을 사이에 두고 서로 인접하는 두 금속 층은, 상기 펄스 전압에 의해, 두 금속 층 중 일 금속 층으로부터 유래한 금속 이온이 상기 일 비전도성 층을 가로질러 다른 일 금속 층으로 이동하며 형성되는 전도성 경로에 의해 서로 연결되는 뉴로모픽 소자
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제 17항에 있어서,상기 뉴로모픽 소자는 펄스 전압의 외부 자극에 대해 단기 가소성 특성을 갖는 뉴로모픽 소자
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제 17항에 있어서,상기 뉴로모픽 소자는 쌍-펄스 전압의 외부 자극에 의해 출력이 촉진되는 쌍-펄스 촉진 특성을 갖는 뉴로모픽 소자
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제 17항에 있어서,상기 뉴로모픽 소자는 쌍-펄스 전압의 펄스 간격에 의한 출력의 촉진 및 감쇠 특성을 갖는 뉴로모픽 소자
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