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플렉서블 반도체 방사선 검출기의 제조방법, 이를 이용한 플렉서블 반도체 방사선 검출기 및 이를 포함하는 방사선 영상장치(Method of fabricating flexible semiconductor radiation detector, flexible semiconductor radiation detector using the same and radiography equipment comprising the same)

  • 기술번호 : KST2017000161
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 SOI(semiconductor-on-insulator) 기판을 준비하는 단계; 스티칭(stitching) 공정을 이용하여 상기 SOI 기판 상에 복수개의 픽셀형 이미지 센서를 형성하는 단계; 상기 복수개의 픽셀형 이미지 센서 상에 PDMS(polydimethylsiloxane)층을 형성하고, 선택적 식각(dicing-by-trench) 공정을 이용하여 상기 SOI 기판의 적어도 일부를 제거함으로써 스탬프를 형성하는 단계; 상기 스탬프의 적어도 일면 상에 유연기판을 결합하는 단계; 및 상기 스탬프의 일부인 상기 PDMS층을 제거하고, 상기 PDMS층과 대응되는 영역에 섬광체를 형성하는 단계;를 포함하는, 플렉서블 반도체 방사선 검출기의 제조방법, 이를 이용하여 구현한 플렉서블 반도체 방사선 검출기 및 이를 포함하는 방사선 영상장치를 제공한다.
Int. CL G01T 1/161 (2006.01) A61B 6/00 (2006.01) G01T 1/24 (2006.01)
CPC G01T 1/1614(2013.01) G01T 1/1614(2013.01) G01T 1/1614(2013.01) G01T 1/1614(2013.01)
출원번호/일자 1020150090508 (2015.06.25)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0001074 (2017.01.04) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.06.25)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 오재섭 대한민국 대전광역시 서구
2 이완규 대한민국 대전광역시 유성구
3 전호승 대한민국 경기도 의정부시 신곡로 **,
4 조규성 대한민국 서울특별시 강남구
5 김명수 대한민국 대구광역시 동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김남식 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)
2 이인행 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)
3 김한 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2015.06.25 수리 (Accepted) 1-1-2015-0616923-63
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2016.02.22 수리 (Accepted) 1-1-2016-0172301-27
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2016.04.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2016.06.10 수리 (Accepted) 9-1-2016-0025165-53
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.09.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0695539-00
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.11.21 무효 (Invalidation) 1-1-2016-1136147-82
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.11.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-1135824-16
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.11.21 수리 (Accepted) 1-1-2016-1135825-51
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.11.21 수리 (Accepted) 1-1-2016-1136148-27
10 보정요구서
Request for Amendment		 2016.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2016-0171010-61
11 무효처분통지서
Notice for Disposition of Invalidation		 2017.01.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2017-0003142-73
12 등록결정서
Decision to grant		 2017.04.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0306525-83
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
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번호 청구항
1 1
삭제
2 2
SOI(semiconductor-on-insulator) 기판을 준비하는 단계;스티칭(stitching) 공정을 이용하여 상기 SOI 기판 상에 복수개의 픽셀형 이미지 센서를 형성하는 단계;상기 복수개의 픽셀형 이미지 센서 상에 PDMS(polydimethylsiloxane)층을 형성하고, 선택적 식각(dicing-by-trench) 공정을 이용하여 상기 SOI 기판의 적어도 일부를 제거함으로써 스탬프를 형성하는 단계;상기 스탬프의 적어도 일면 상에 유연기판을 결합하는 단계; 및상기 스탬프의 일부인 상기 PDMS층을 제거하고, 상기 PDMS층과 대응되는 영역에 섬광체를 형성하는 단계;를 포함하고,상기 선택적 식각 공정을 이용하여 상기 SOI 기판을 제거함으로써 스탬프를 형성하는 단계는,상기 복수개의 픽셀형 이미지 센서의 테두리에 DTI(deep trench isolation)를 형성하고, 상기 DTI와 접하는 상기 복수개의 픽셀형 이미지 센서의 외각영역 및 상기 SOI 기판을 동시에 식각하는 단계인,플렉서블 반도체 방사선 검출기의 제조방법
3 3
제 2 항에 있어서,상기 SOI 기판 상에 복수개의 픽셀형 이미지 센서를 형성하는 단계 이후에, 상기 복수개의 픽셀형 이미지 센서 상에 후방배선(BEOL; back-end-of-line)층을 형성하는 단계를 포함하는,플렉서블 반도체 방사선 검출기의 제조방법
4 4
제 3 항에 있어서,상기 DTI는, 상기 후방배선(BEOL)층으로부터 상기 SOI 기판 내의 산화층까지 관통하고, 상기 복수개의 픽셀형 이미지 센서의 테두리에 형성되는 것인,플렉서블 반도체 방사선 검출기의 제조방법
5 5
제 3 항에 있어서,상기 PDMS층은 상기 후방배선(BEOL)층 상에 형성하는 것인,플렉서블 반도체 방사선 검출기의 제조방법
6 6
SOI 기판 상에 복수개의 픽셀형 이미지 센서를 형성하는 단계;상기 복수개의 픽셀형 이미지 센서 상에 후방배선(BEOL; back-end-of-line)층을 형성하는 단계;상기 후방배선층으로부터 상기 SOI 기판 내에 구비된 절연층까지 관통하며, 상기 복수개의 픽셀형 이미지 센서의 테두리에 DTI(Deep Trench Isolation)를 형성하는 단계;상기 DTI가 형성된 상기 후방배선층 상에 PDMS층을 형성하는 단계;상기 SOI 기판의 적어도 일부를 제거하는 단계;제거된 상기 SOI 기판과 대응되는 영역에 유연기판을 접합하는 단계; 및상기 PDMS층을 제거하고, 상기 PDMS층과 대응되는 영역에 섬광체를 형성하는 단계;를 포함하는,플렉서블 반도체 방사선 검출기의 제조방법
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1 미래창조과학부 한국과학기술원 방사선기기핵심기술개발 픽셀 디텍터 어레이 공정개발