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실리콘 드리프트 디텍터를 이용한 엑스선 검출용 방사선 검출기

  • 기술번호 : KST2019023943
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 실시 예들은 특성 X 선이 입사되는 SDD에서 불필요하게 발생되는 암전류 성분을 스키밍(skimming)할 수 있을 뿐만 아니라 특성 X 선이 입사되는 SDD의 애노드 전압을 안정화시킬 수 있는 구성을 가짐으로써, 기존에 제시된 X 선 검출기들에 비하여 보다 향상된 X선 검출 성능을 제공할 수 있다.
Int. CL G01T 1/24 (2006.01.01) G01T 1/17 (2006.01.01) G01T 1/36 (2006.01.01)
CPC G01T 1/24(2013.01) G01T 1/24(2013.01) G01T 1/24(2013.01)
출원번호/일자 1020160024859 (2016.03.02)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1749920-0000 (2017.06.16)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20170622) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.03.02)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김경태 대한민국 대전광역시 서구
2 양준모 대한민국 대전광역시 유성구
3 유정호 대한민국 대전광역시 유성구
4 송명호 대한민국 대전광역시 유성구
5 현문섭 대한민국 대전광역시 유성구
6 정칠성 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 플러스 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.03.02 수리 (Accepted) 1-1-2016-0201138-51
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2016.09.20 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2016.12.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2016-0167893-20
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.12.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0909859-14
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.02.07 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0127895-15
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.02.07 수리 (Accepted) 1-1-2017-0127812-36
7 등록결정서
Decision to grant		 2017.05.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0379924-86
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
SDD(Silicon Drift Detector)를 이용한 엑스선 검출용 방사선 검출기에 있어서,제1 집적 앰프와 결합되어 있고, 특성 x 선(characteristic X-ray)이 입사되어 그 입사된 x 선에 의해 신호 전류를 출력하는 SDD;제2 집적 앰프와 결합되어 있고, 특성 x선이 입사되지 않은 영역에 배치되어 기준 전류를 출력하는, 기준 SDD;상기 제1 집적 앰프를 통해 출력되는 상기 신호 전류 및 상기 제2 집적 앰프를 통해 출력되는 기준 전류 간의 그 차이 신호가 인가되어 전압으로 변환 및 증폭시키는 적분기; 및상기 적분기에서 출력되는 신호를 인가받아 펄스 신호를 출력하는 펄스 성형기를 포함하여,상기 기준 SDD를 이용하여 상기 SDD에 흐르는 암전류가 상쇄되도록 구성되며,상기 제1 집적 앰프는, 제 1 전계 효과 트랜지스터(FET)를 포함하고,상기 제 1 FET는 바이어스 전압을 인가받는 게이트 단자, 상기 SDD의 애노드와 연결되는 소스 단자, 및 출력 단자와 연결되는 드레인 단자를 가지며,상기 제2 집적 앰프는, 제 2 전계 효과 트랜지스터(FET)를 포함하고,상기 제 2 FET는 바이어스 전압을 인가받는 게이트 단자, 상기 기준 SDD의 애노드와 연결되는 소스 단자, 및 출력 단자와 연결되는 드레인 단자를 가지는 것인, SDD를 이용한 엑스선 검출용 방사선 검출기
2 2
SDD(Silicon Drift Detector)를 이용한 엑스선 검출용 방사선 검출기에 있어서,제1 집적 앰프와 결합되어 있고, 특성 x 선(characteristic X-ray)이 입사되어 그 입사된 x 선에 의해 신호 전류를 출력하는 SDD;제2 집적 앰프와 결합되어 있고, 특성 x선이 입사되지 않은 영역에 배치되어 기준 전류를 출력하는, 기준 SDD;상기 제1 집적 앰프를 통해 출력되는 상기 신호 전류 및 상기 제2 집적 앰프를 통해 출력되는 기준 전류 간의 그 차이 신호가 인가되어 전압으로 변환 및 증폭시키는 적분기; 및상기 적분기에서 출력되는 신호를 인가받아 펄스 신호를 출력하는 펄스 성형기를 포함하여,상기 기준 SDD를 이용하여 상기 SDD에 흐르는 암전류가 상쇄되도록 구성되며,상기 제1 집적 앰프는, 제 1 전계 효과 트랜지스터(FET) 및 제1 버퍼를 포함하고,상기 제1 집적 앰프에서, 상기 제1 버퍼의 하나의 입력단에는 바이어스 전압이 인가되고 나머지 다른 하나의 입력단은 상기 SDD의 애노드 및 상기 제 1 FET의 소스 단자와 연결, 상기 제1 버퍼의 출력단은 상기 제 1 FET의 게이트 단자와 연결, 그리고 상기 제 1 FET의 드레인 단자는 출력 단자와 연결되도록 구성되고,상기 제2 집적 앰프는, 제 2 전계 효과 트랜지스터(FET) 및 제2 버퍼를 포함하고,상기 제2 집적 앰프에서, 상기 제2 버퍼의 하나의 입력단에는 바이어스 전압이 인가되고 나머지 다른 하나의 입력단은 상기 기준 SDD의 애노드 및 상기 제 2 FET의 소스 단자와 연결, 상기 제2 버퍼의 출력단은 상기 제 2 FET의 게이트 단자와 연결, 그리고 상기 제 2 FET의 드레인 단자는 출력 단자와 연결되도록 구성된 것인, SDD를 이용한 엑스선 검출용 방사선 검출기
3 3
제1 항 또는 제2 항에 있어서,상기 기준 SDD는,상기 SDD가 설계된 하나의 실리콘 기판 상에서 특성 X 선이 입사되지 않는 여분의 공간에 배치되도록 설계되는 것을 특징으로 하는 SDD를 이용한 엑스선 검출용 방사선 검출기
4 4
제1 항 또는 제2 항에 있어서,상기 기준 SDD는,하나의 SDD로 구성되거나 복수 개의 SDD들이 서로 병렬로 연결된 형태로 구성된 것인 SDD를 이용한 엑스선 검출용 방사선 검출기
5 5
제1 항 또는 제2 항에 있어서,상기 적분기는,입출력 사이인 궤환 경로 상에 리셋 스위치를 포함하여, 특성 X 선이 입사되지 않는 초기 동작 구간에서 출력값을 특정 임계값 또는 제로(zero)로 초기화시키는 것인, SDD를 이용한 엑스선 검출용 방사선 검출기
6 6
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 나노종합기술원 나노소재기술개발사업 나노 실리콘 기반 센서 표준공정 플랫폼 및 회로 기술개발