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탄소; 산소; 및 알루미늄, 티타늄, 하프늄, 탄탈륨, 지르코늄 및 텅스텐으로 구성된 군으로부터 선택되는 금속;을 포함하는 금속탄화산화물 박막으로서,총 중량을 기준으로 5 내지 85중량%의 탄소, 5 내지 60중량%의 산소; 및 5 내지 40중량%의 금속을 포함하고, 상기 금속탄화산화물 박막은 탄소, 산소 및 금속을 모두 포함하는 단일물질 전구체, 또는 1종 이상의 유기물 전구체 및 1종 이상의 무기물 전구체의 혼합물 전구체를 이용한 플라즈마 화학 기상 증착방식(Plasma enhanced chemical vapor deposition; PECVD)에 의해 형성된 것이고,상기 박막은 탄화수소에 금속산화물이 균일하게 분포된 단일층인 것인,금속탄화산화물 박막
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제1항에 있어서,상기 박막의 두께는 400 내지 5000Å인 것인 금속탄화산화물 박막
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전구체를 이용하여 플라즈마 화학 기상 증착방식으로 기재 상에 박막을 형성하는 단계를 포함하는, 제 1 항에 따른 금속탄화산화물 박막의 제조방법에 있어서,상기 전구체는 탄소, 산소 및 금속을 모두 포함하는 단일물질, 또는 1종 이상의 유기물 전구체 및 1종 이상의 무기물 전구체의 혼합물인 것인, 제 1 항에 따른 금속탄화산화물 박막의 제조방법
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제5항에 있어서,금속:탄소:산소의 조성비율로 제어하기 위해 플라즈마 화학 기상 증착방식의 증착 압력, 플라즈마 파워, 증착 온도를 선택하는 단계를 더 포함하는 것인 제조방법
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제6항에 있어서,상기 증착 압력은 200 내지 800 mTorr의 범위인 것인 제조방법
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제6항에 있어서,상기 증착 온도는 25℃ 내지 600℃의 범위인 것인 제조방법
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제6항에 있어서,상기 플라즈마 파워는 50 내지 150W의 범위인 것인 제조방법
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제5항에 있어서,상기 단일물질은 디메틸알루미늄 이소프로폭사이드(dimethylaluminium isopropoxide; DMAI)인 것인 제조방법
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제5항에 있어서,상기 유기물 전구체는 아세틸렌, 프로판, 사이클로헥산, 헥센 및 메틸사이클로헥산으로 구성된 군으로부터 선택되는 것인 제조방법
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제5항에 있어서,상기 무기물 전구체는 알루미늄, 티타늄, 하프늄, 탄탈륨, 지르코늄 및 텅스텐으로 구성된 군으로부터 선택되는 금속을 포함하는 전구체인 것인 제조방법
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제5항에 있어서,상기 박막은 탄화수소에 금속산화물이 균일하게 분포된 단일층인 것인 제조방법
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제5항에 있어서,상기 박막은 반도체 소자 또는 유기전자 소자 중 패턴을 형성하기 위한 층, 또는 절역막 또는 봉지박막이 요구되는 부분 상에 형성되는 것인 제조방법
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제1항 또는 제4항에 따른 금속탄화산화물 박막으로 형성된 반도체 공정용 하드마스크
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