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기판;상기 기판 상에 배치된 메모리층;상기 기판과 상기 메모리층 사이에 배치되고, 전기 전도성을 가지는 결합층;상기 기판과 상기 메모리층 사이에 배치되고, 소정 형상의 메타원자가 다수로 배열된 메타원자층; 및상기 메모리층 상에 배치되고, 전기 전도성을 가지는 전극층;을 포함하며, 상기 메모리층은 소정 전압 이상에서 자발 분극을 형성하는 물질로 구성되고,상기 결합층은, 무기 반도체, 유기 반도체, 금속 나노선, 탄소나노튜브, 탄소나노튜브 유도체, 그래핀, 그래핀 유도체, 풀러렌, 전도성 고분자 및 전도성 산화물 중 적어도 하나로 이루어진, 메모리 소자
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제1항에 있어서,상기 메타원자층과 상기 메모리층 사이에 배치된 고유전체층;을 더 포함하는 메모리 소자
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제2항에 있어서,상기 고유전체층의 유전율은 상기 메모리층의 유전율보다 큰 메모리 소자
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제2항에 있어서,상기 고유전체층은 알루미늄 산화물(AlOx), 하프늄 산화물(HfOx), 지르코늄 산화물(ZrOx), 실리콘 옥시나이트라이드(SiON), 실리콘 질화물(SiNx), 바륨스트론튬티타늄 산화물(BaSrTiO3), 바륨티타튬 산화물(BaTiO3) 및 그래핀 나노조각(graphene nano-flake) 함유 고분자 물질 중 적어도 하나를 포함하는 메모리 소자
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제1항에 있어서,상기 메모리층과 상기 전극층 사이에 배치된 이온겔층;을 더 포함하는 메모리 소자
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제5항에 있어서,상기 이온겔층은 상기 메모리층의 표면의 전체 영역 상에 배치되고, 상기 전극층은 상기 이온겔층의 표면의 일부 영역 상에 배치된, 메모리 소자
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기판;상기 기판 상에 배치된 메모리층;상기 기판과 상기 메모리층 사이에 배치되고, 전기 전도성을 가지는 결합층;상기 기판과 상기 메모리층 사이에 배치된 메타분자층; 및상기 메모리층 상에 배치되고, 전기 전도성을 가지는 전극층;을 포함하며, 상기 메모리층은 소정 전압 이상에서 자발 분극을 형성하는 물질로 구성되고,상기 결합층은, 무기 반도체, 유기 반도체, 금속 나노선, 탄소나노튜브, 탄소나노튜브 유도체, 그래핀, 그래핀 유도체, 풀러렌, 전도성 고분자 및 전도성 산화물 중 적어도 하나로 이루어지고,상기 메타분자층은 소정 형상의 제1 메타원자가 다수로 배열된 제1 메타원자층, 소정 형상의 제2 메타원자가 다수로 배열된 제2 메타원자층 및 상기 제1 메타원자층과 상기 제2 메타원자층 사이에 배치된 유전체를 포함하는, 메모리 소자
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기판;상기 기판 상에 배치된 제1 전극층;상기 제1 전극층 상에 배치된 제1 메모리층;상기 제1 메모리층 상에 배치되고, 소정 형상의 메타원자가 다수로 배열된 메타원자층;상기 메타원자층 상에 배치되고, 전기 전도성을 가지는 결합층;상기 결합층 상에 배치된 제2 메모리층; 및상기 제2 메모리층 상에 배치된 제2 전극층;을 포함하며,상기 제1 메모리층과 상기 제2 메모리층은 소정 전압 이상에서 자발 분극을 형성하는 물질로 구성되고,상기 결합층은, 무기 반도체, 유기 반도체, 금속 나노선, 탄소나노튜브, 탄소나노튜브 유도체, 그래핀, 그래핀 유도체, 풀러렌, 전도성 고분자 및 전도성 산화물 중 적어도 하나로 이루어진, 메모리 소자
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9
제8항에 있어서,상기 제1 전극층은 평행한 복수의 제1 전극선을 포함하고,상기 제2 전극층은 평행한 복수의 제2 전극선을 포함하며,상기 제1 전극선과 상기 제2 전극선은 평행하게 배치되는 메모리 소자
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10
기판;상기 기판 상에 배치된 메모리층;상기 기판과 상기 메모리층 사이에 배치되고, 전기 전도성을 가지고, 평행하는 복수의 전극선을 갖도록 패터닝된 결합층;상기 기판과 상기 메모리층 사이에 배치되고, 소정 형상의 메타원자가 다수로 배열된 메타원자층; 및상기 메모리층 상에 배치되고, 평행하는 복수의 전극선으로 구성된 전극층;을 포함하며,상기 메모리층은 소정 전압 이상에서 자발 분극을 형성하는 물질로 구성되고,상기 결합층은, 무기 반도체, 유기 반도체, 금속 나노선, 탄소나노튜브, 탄소나노튜브 유도체, 그래핀, 그래핀 유도체, 풀러렌, 전도성 고분자 및 전도성 산화물 중 적어도 하나로 이루어지고,상기 결합층의 복수의 전극선과 상기 전극층의 복수의 전극선은 서로 직교하는, 메모리 소자
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11
기판;상기 기판 상에 배치된 메모리층;상기 기판과 상기 메모리층 사이에 배치되고, 전기 전도성을 가지는 결합층; 및상기 메모리층 상에 배치된 전극층;을 포함하고,상기 결합층은 복수의 타공이 패터닝된 일체형 단일 시트이고,상기 메모리층은 소정 전압 이상에서 자발 분극을 형성하는 물질로 구성되고,상기 결합층은, 무기 반도체, 유기 반도체, 금속 나노선, 탄소나노튜브, 탄소나노튜브 유도체, 그래핀, 그래핀 유도체, 풀러렌, 전도성 고분자 및 전도성 산화물 중 적어도 하나로 이루어진, 메모리 소자
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12
제11항에 있어서,상기 결합층은 상기 일체형 단일 시트에 소정 거리 이격된 복수의 사각 타공이 평행하게 형성됨으로써 평행선 구조를 갖도록 패터닝되는 메모리 소자
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13
제11항에 있어서,상기 결합층은 상기 일체형 단일 시트에 소정 크기를 갖는 원형 타공이 규칙적으로 형성되도록 패터닝되는 메모리 소자
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14
기판;상기 기판 상에 배치된 반사층;상기 반사층 상에 배치된 유전체; 상기 유전체 상에 배치된 메모리층;상기 유전체와 상기 메모리층 사이에 배치되고, 소정 형상의 메타원자가 다수로 배열된 메타원자층; 상기 유전체와 상기 메모리층 사이에 배치되고, 전기 전도성을 가지는 결합층; 및상기 메모리층 상에 배치된 전극층;을 포함하며, 상기 메모리층은 소정 전압 이상에서 자발 분극을 형성하는 물질로 구성되고,상기 결합층은, 무기 반도체, 유기 반도체, 금속 나노선, 탄소나노튜브, 탄소나노튜브 유도체, 그래핀, 그래핀 유도체, 풀러렌, 전도성 고분자 및 전도성 산화물 중 적어도 하나로 이루어지고,상기 반사층과 상기 결합층의 이격 거리 및 상기 결합층의 전기 전도도 중 적어도 하나에 의하여 빛의 흡수도가 상이해지는, 메모리 소자
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15
제14항에 있어서,상기 반사층은 무기 반도체, 유기 반도체, 금속 나노선, 탄소나노튜브, 탄소나노튜브 유도체, 그래핀, 그래핀 유도체, 풀러렌, 전도성 고분자 및 전도성 산화물 중 적어도 하나로 이루어지는 메모리 소자
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제1항 내지 제7항, 제10항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서,상기 메모리층은 강유전체(ferroelectric) 또는 일렉트렛(electret)인 메모리 소자
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17
제8항 또는 제9항에 있어서,상기 제1 메모리층과 상기 제2 메모리층은 강유전체(ferroelectric) 또는 일렉트렛(electret)인 메모리 소자
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18
제1항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서,상기 전극층은, 무기 반도체, 유기 반도체, 금속 나노선, 탄소나노튜브, 탄소나노튜브 유도체, 그래핀, 그래핀 유도체, 풀러렌, 전도성 고분자 및 전도성 산화물 중 적어도 하나로 이루어진 메모리 소자
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