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저온 공정이 가능한 패시베이션층 제조 방법 및 이에 의해 제조된 패시베이션층을 포함한 실리콘 기판

  • 기술번호 : KST2018008857
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 저온 공정이 가능한 패시베이션층의 제조 방법에 관한 것이고, 또한 이러한 패시베이션층을 포함한 실리콘 기판에 관한 것이다.본 발명은 실리콘 웨이퍼 표면에 비정질 실리콘 박막과 실리콘 산화막을 연속적으로 증착하여 표면 패시베이션을 하는 방법이다. 이 혼합층은 실리콘 웨이퍼에 표면에 얇은 두께의 박막을 균일하게 성장시킬 수 있고, 고온 공정 없이 실리콘 웨이퍼의 표면 패시베이션 효과를 극대화 하여 소자의 수명을 향상시킬 수 있는 방법이다.
Int. CL H01L 21/02 (2006.01.01) H01L 21/3205 (2006.01.01) H01L 21/31 (2006.01.01)
CPC H01L 21/02123(2013.01) H01L 21/02123(2013.01) H01L 21/02123(2013.01) H01L 21/02123(2013.01) H01L 21/02123(2013.01) H01L 21/02123(2013.01)
출원번호/일자 1020160176339 (2016.12.22)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0072989 (2018.07.02) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이준신 대한민국 경기도 수원시 장안구
2 김현성 대한민국 경기도 수원시 장안구
3 오동현 대한민국 경기도 수원시 장안구
4 이영석 대한민국 경기도 수원시 장안구
5 김용준 대한민국 경기도 수원시 장안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남건필 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)
2 박종수 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)
3 차상윤 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.12.22 수리 (Accepted) 1-1-2016-1260474-27
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
i) 실리콘 기판을 준비하는 단계;ii) 상기 실리콘 기판 상에 비정질 실리콘 박막을 증착시키는 단계; 및iii) 상기 비정질 실리콘 박막 상에 실리콘 산화막을 증착시키는 단계를 포함하는,저온 공정이 가능한 패시베이션층 제조 방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 ii) 단계 및 상기 iii) 단계를 반복하는 것을 특징으로 하는,저온 공정이 가능한 패시베이션층 제조 방법
3 3
제 1 항에 있어서,상기 실리콘 기판의 상면은 텍스처링(texturing)되어 있는,저온 공정이 가능한 패시베이션층 제조 방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 비정질 실리콘 박막의 두께는 1 내지 2nm인,저온 공정이 가능한 패시베이션층 제조 방법
5 5
제 1 항에 있어서,상기 실리콘 산화막을 증착시키는 단계는 N2O 또는 CO2 가스를 이용해 증착하는,저온 공정이 가능한 패시베이션층 제조 방법
6 6
실리콘 기판;상기 실리콘 기판 상에 증착된 비정질 실리콘 박막; 및상기 비정질 실리콘 박막 상에 증착된 실리콘 산화막을 포함하는,패시베이션층을 포함한 실리콘 기판
7 7
제 6 항에 있어서,상기 실리콘 기판의 상면은 텍스처링(texturing)되어 있는,패시베이션층을 포함한 실리콘 기판
8 8
제 6 항에 있어서,상기 비정질 실리콘 박막의 두께는 1 내지 2nm인,패시베이션층을 포함한 실리콘 기판
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 성균관대학교 산학협력단 신재생에너지핵심기술개발 면적 100cm2급 초고효율 실리콘 웨이퍼 기반 태양전지 기술개발