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저항값 드리프트를 보상하는 동적 기준 값을 갖는 상변화 메모리 감지 장치 및 방법

  • 기술번호 : KST2018010985
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 저항값 드리프트를 보상하는 동적 기준 값을 갖는 상변화 메모리 감지 장치 및 방법이 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 상변화 메모리 감지 장치는 상변화 메모리의 저항값 드리프트를 감지하기 위한 더미 셀 어레이; 읽기 동작 시 상기 더미 셀 어레이의 저항값 드리프트(drift)를 감지하는 감지부; 상기 감지된 더미 셀 어레이의 저항값 드리프트에 기초하여 기준값을 보정하는 보정부; 및 상기 보정된 기준값에 기초하여 상기 상변화 메모리에 저장된 데이터를 읽는 읽기부를 포함한다.
Int. CL G11C 13/00 (2006.01.01)
CPC G11C 13/004(2013.01) G11C 13/004(2013.01) G11C 13/004(2013.01)
출원번호/일자 1020170013640 (2017.01.31)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1979987-0000 (2019.05.13)
공개번호/일자 10-2018-0089055 (2018.08.08) 문서열기
공고번호/일자 (20190517) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.01.31)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 송윤흡 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 최준태 대한민국 인천광역시 연수구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 양성보 대한민국 서울특별시 강남구 선릉로***길 ** (논현동) 삼성빌딩 *층(피앤티특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2017.01.31 수리 (Accepted) 1-1-2017-0099744-27
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.06.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0373779-56
3 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2018.08.01 수리 (Accepted) 1-1-2018-0761563-01
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.09.03 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0873178-74
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.09.03 수리 (Accepted) 1-1-2018-0873176-83
6 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2019.01.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0068360-09
7 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
2019.02.28 수리 (Accepted) 1-1-2019-0212222-50
8 법정기간연장승인서
2019.03.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2019-0039012-03
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.04.01 수리 (Accepted) 1-1-2019-0330466-17
10 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2019.04.01 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2019-0330467-63
11 등록결정서
Decision to Grant Registration
2019.04.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0309298-07
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
14 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2019.08.29 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2019-0889492-59
15 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document
2019.09.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2019-0144500-13
16 서류반려통지서
Notice for Return of Document
2019.10.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2019-0168640-47
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
상변화 메모리 감지 장치에 있어서,상변화 메모리의 저항값 드리프트를 감지하기 위한 더미 셀 어레이;읽기 동작 시 상기 더미 셀 어레이의 저항값 드리프트(drift)를 감지하는 감지부;상기 감지된 더미 셀 어레이의 저항값 드리프트에 기초하여 기준값을 보정하는 보정부; 및상기 보정된 기준값에 기초하여 상기 상변화 메모리에 저장된 데이터를 읽는 읽기부를 포함하고,상기 상변화 메모리 감지 장치는상기 상변화 메모리의 블록 별 각각에 구비된 더미 셀 어레이의 저항값 드리프트를 감지하여 해당 블록의 저항값 드리프트를 감지하고, 상기 해당 블록에서 감지된 저항값 드리프트에 기초하여 상기 해당 블록의 기준값을 보정하며, 상기 해당 블록의 보정된 기준값에 기초하여 상기 해당 블록에 저장된 데이터를 읽고, 상기 블록 단위로 상기 기준값을 차등 제공하여 상기 블록 별 저항값 드리프트를 보상하며, 상기 블록 별 시간에 따른 저항값 드리프트를 제공하고,상기 감지부는해당 블록의 더미 셀 어레이에 포함된 더미 셀 각각의 저항값을 감지하여 평균 저항값을 계산하고, 상기 계산된 평균 저항값에 기초하여 저항값 드리프트를 감지하며,상기 보정부는상기 해당 블록의 더미 셀 어레이에 포함된 더미 셀 각각에 미리 설정되어 저장된 데이터 1 또는 0과 상기 기준값 간의 차이에 대한 평균 값에 기초하여 상기 기준값과 상기 해당 블록의 더미 셀 어레이에 저장된 데이터 간의 차이에 해당하는 감지 여유가 미리 설정된 최적의 감지 여유가 되도록 상기 기준값을 보정하는 상변화 메모리 감지 장치
2 2
제1항에 있어서,쓰기 동작 시 상기 더미 셀 어레이에 미리 결정된 데이터에 대한 쓰기 동작을 수행한 후 상기 상변화 메모리의 스토리지 셀 어레이에 저장하고자 하는 정보를 쓰기하는 쓰기부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 감지 장치
3 3
제1항에 있어서,상기 상변화 메모리의 저장 소자 어레이와 상기 더미 셀 어레이는동일한 제조 공정을 통해 제작되는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 감지 장치
4 4
제1항에 있어서,상기 감지부는하나의 읽기 동작 구간 중 미리 설정된 제1 구간에서 상기 더미 셀 어레이의 저항값 드리프트를 감지하고,상기 보정부는상기 하나의 읽기 동작 구간 중 나머지 구간에서 상기 감지된 더미 셀 어레이의 저항값 드리프트에 기초하여 기준값을 보정하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 감지 장치
5 5
제1항에 있어서,상기 읽기부는상기 보정된 기준값을 감지 증폭기에 제공하고, 상기 감지 증폭기에서 상기 보정된 기준값과 상기 상변화 메모리에 저장된 데이터의 비교를 통해 출력되는 출력값을 상기 상변화 메모리에 저장된 데이터로 읽는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 감지 장치
6 6
제1항에 있어서,상기 감지부는상기 더미 셀 어레이에 저장된 데이터와 기준값 간의 차이(margin)에 기초하여 상기 더미 셀 어레이의 저항값 드리프트를 감지하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 감지 장치
7 7
읽기 동작 시 상변화 메모리의 저항값 드리프트를 감지하기 위한 더미 셀 어레이의 저항값 드리프트(drift)를 감지하는 단계;상기 감지된 더미 셀 어레이의 저항값 드리프트에 기초하여 기준값을 보정하는 단계; 및상기 보정된 기준값에 기초하여 상기 상변화 메모리에 저장된 데이터를 읽는 단계를 포함하고,상기 감지하는 단계는상기 상변화 메모리의 블록 별 각각에 구비된 더미 셀 어레이의 저항값 드리프트를 감지하여 해당 블록의 저항값 드리프트를 감지하고,상기 보정하는 단계는상기 해당 블록에서 감지된 저항값 드리프트에 기초하여 상기 해당 블록의 기준값을 보정하며, 상기 블록 단위로 상기 기준값을 차등 제공하여 상기 블록 별 저항값 드리프트를 보상하며,상기 읽는 단계는상기 해당 블록의 보정된 기준값에 기초하여 상기 해당 블록에 저장된 데이터를 읽고,상기 블록 별 시간에 따른 저항값 드리프트를 제공하며,상기 감지하는 단계는해당 블록의 더미 셀 어레이에 포함된 더미 셀 각각의 저항값을 감지하여 평균 저항값을 계산하고, 상기 계산된 평균 저항값에 기초하여 저항값 드리프트를 감지하며,상기 보정하는 단계는상기 해당 블록의 더미 셀 어레이에 포함된 더미 셀 각각에 미리 설정되어 저장된 데이터 1 또는 0과 상기 기준값 간의 차이에 대한 평균 값에 기초하여 상기 기준값과 상기 해당 블록의 더미 셀 어레이에 저장된 데이터 간의 차이에 해당하는 감지 여유가 미리 설정된 최적의 감지 여유가 되도록 상기 기준값을 보정하는 상변화 메모리 감지 방법
8 8
제7항에 있어서,쓰기 동작 시 상기 더미 셀 어레이에 미리 결정된 데이터에 대한 쓰기 동작을 수행한 후 상기 상변화 메모리의 스토리지 셀 어레이에 저장하고자 하는 정보를 쓰기하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 감지 방법
9 9
제7항에 있어서,상기 상변화 메모리의 저장 소자 어레이와 상기 더미 셀 어레이는동일한 제조 공정을 통해 제작되는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 감지 방법
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제7항에 있어서,상기 감지하는 단계는하나의 읽기 동작 구간 중 미리 설정된 제1 구간에서 상기 더미 셀 어레이의 저항값 드리프트를 감지하고,상기 보정하는 단계는상기 하나의 읽기 동작 구간 중 나머지 구간에서 상기 감지된 더미 셀 어레이의 저항값 드리프트에 기초하여 기준값을 보정하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 감지 방법
11 11
제7항에 있어서,상기 읽는 단계는상기 보정된 기준값을 감지 증폭기에 제공하고, 상기 감지 증폭기에서 상기 보정된 기준값과 상기 상변화 메모리에 저장된 데이터의 비교를 통해 출력되는 출력값을 상기 상변화 메모리에 저장된 데이터로 읽는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 감지 방법
12 12
제7항에 있어서,상기 감지하는 단계는상기 더미 셀 어레이에 저장된 데이터와 기준값 간의 차이(margin)에 기초하여 상기 더미 셀 어레이의 저항값 드리프트를 감지하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 감지 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 한양대학교 산학협력단 원천기술개발사업 / 나노소재 기술개발사업 / 나노·소재원천기술개발사업 상변화 물질 기반 신경 세포 모방형 시냅스 소자, 아키텍처 원천 기술