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기판;상기 기판 상에 형성되는 하부 전극;상기 하부 전극 상에 형성되고, 적어도 하나 이상의 혼합층이 적층된 수직 멀티 적층 나노 채널층; 및상기 수직 멀티 적층 나노 채널층 상에 형성되는 상부 전극을 포함하고,상기 혼합층은,상기 하부 전극 상에 형성된 절연 나노 입자 어레이, 유기 절연층 및 상기 절연 나노 입자 어레이와 상기 유기 절연층의 계면(interface)에 형성된 나노 채널을 구비하는 것을 특징으로 하는 수직 멀티 적층 나노 채널층 기반의 멤리스터 소자
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제1항에 있어서,상기 혼합층은 2층 내지 5층이 적층되는 것을 특징으로 하는 수직 멀티 적층 나노 채널층 기반의 멤리스터 소자
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제1항에 있어서,상기 절연 나노 입자 어레이와 상기 유기 절연층의 계면(interface)에 형성된 나노 채널은 상기 절연 나노 입자 어레이 사이에 존재하는 빈 틈을 모두 채우는 것을 특징으로 하는 수직 멀티 적층 나노 채널층 기반의 멤리스터 소자
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제1항에 있어서,상기 절연 나노 입자는 금속 산화물, 절연 금속 질화물 및 절연 폴리머 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 수직 멀티 적층 나노 채널층 기반의 멤리스터 소자
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제1항에 있어서,상기 절연 나노 입자 어레이는 절연 나노 입자를 포함하고,상기 절연 나노 입자의 지름은 5nm 내지 100nm인 것을 특징으로 하는 수직 멀티 적층 나노 채널층 기반의 멤리스터 소자
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제1항에 있어서,상기 유기 절연층은 폴리이미드(polyimide, PI), 폴리메타크릴산메틸(polymethyl metacrylate), 폴리스티렌(polystyrene, PS) 및 폴리비닐피로리돈(polyvinylpyrrolidone) 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 수직 멀티 적층 나노 채널층 기반의 멤리스터 소자
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제1항에 있어서,상기 상부 전극은 구리(Cu), 은(Ag) 또는 이 들의 혼합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 수직 멀티 적층 나노 채널층 기반의 멤리스터 소자
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기판 상에 하부 전극을 형성하는 단계;상기 하부 전극 상에 적어도 하나의 혼합층이 적층된 수직 멀티 적층 나노 채널층을 형성하는 단계; 및상기 수직 멀티 적층 나노 채널층 상에 상부 전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 혼합층은,상기 하부 전극 상에 절연 나노 입자 어레이를 형성하는 단계; 및상기 기판 및 상기 절연 나노 입자 어레이 상에 유기 절연층을 형성하는 단계;를 포함하며,상기 절연 나노 입자 어레이와 상기 유기 절연층의 계면(interface)에 형성된 나노 채널을 구비하는 것을 특징으로 하는 수직 멀티 적층 나노 채널층 기반의 멤리스터 소자의 제조 방법
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제8항에 있어서,상기 절연 나노 입자 어레이는 스핀 코팅(spin coating) 방법, 스프레이 코팅(spray coating) 방법, 랭뮤어-블로드젯(Langmuir-Blodgett) 방법 및 인-시츄(in-situ) 합성법 중 어느 하나의 방법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 수직 멀티 적층 나노 채널층 기반의 멤리스터 소자의 제조 방법
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제8항에 있어서,상기 유기 절연층은 스핀 코팅(spin coating) 방법, 스프레이 코팅(spray coating) 방법 및 진공열증착법(vacuum thermal evaporation) 중 어느 하나의 방법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 수직 멀티 적층 나노 채널층 기반의 멤리스터 소자의 제조 방법
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