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역 상 변화 특성을 갖는 상 변화 메모리 소자 및 이를 이용하여 고집적 3차원 아키텍처를 갖는 상 변화 메모리

  • 기술번호 : KST2018016284
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 일 실시예에 따르면, 상 변화 메모리 소자는, 상부 전극 및 하부 전극; 상기 상부 전극 및 상기 하부 전극에 의해 공급되는 열에 의해 결정 상태가 변화되는 상 변화층; 및 상기 상부 전극 및 상기 하부 전극에 의해 공급되는 열을 상기 상 변화층에 선택적으로 스위칭하는 셀렉터(Selector)를 포함하고, 상기 셀렉터는, 상기 셀렉터의 결정 상태가 결정질일 때 고 저항성을 갖고, 상기 셀렉터의 결정 상태가 비결정질일 때 저 저항성을 갖도록 상 변화 물질에 트랜지션 메탈(Transition metal)이 함유된 화합물로 형성된다.
Int. CL H01L 45/00 (2006.01.01) G11C 13/00 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020170160268 (2017.11.28)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0133771 (2018.12.17) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020170070892   |   2017.06.07
대한민국  |   1020170082386   |   2017.06.29
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.11.28)
심사청구항수 36

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 송윤흡 경기도 성남시 분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 양성보 대한민국 서울특별시 강남구 선릉로***길 ** (논현동) 삼성빌딩 *층(피앤티특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자 주식회사 경기도 수원시 영통구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2017.11.28 수리 (Accepted) 1-1-2017-1184147-86
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2018.01.17 수리 (Accepted) 1-1-2018-0054603-45
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2019.03.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0198223-12
4 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2019.05.20 수리 (Accepted) 1-1-2019-0513651-50
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2019.06.18 수리 (Accepted) 1-1-2019-0623512-14
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2019.06.19 수리 (Accepted) 1-1-2019-0627321-94
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2019.06.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0627322-39
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
10 등록결정서
Decision to grant		 2019.10.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0737236-59
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
상부 전극 및 하부 전극; 상기 상부 전극 및 상기 하부 전극에 의해 공급되는 열에 의해 결정 상태가 변화되며, 데이터 저장소로 사용되는 상 변화층; 및 상기 상부 전극 및 상기 하부 전극에 의해 공급되는 열을 상기 상 변화층에 선택적으로 스위칭하며, 스위칭 소자로 사용되는 셀렉터(Selector)를 포함하고, 상기 셀렉터는, 상기 셀렉터의 결정 상태가 결정질일 때 고 저항성을 갖고, 상기 셀렉터의 결정 상태가 비결정질일 때 저 저항성을 갖도록 상 변화 물질에 트랜지션 메탈(Transition metal)만이 함유된 화합물로 형성되는, 상 변화 메모리 소자
2 2
제1항에 있어서,상기 상 변화 물질에 상기 트랜지션 메탈이 함유되는 조성비는, 상기 셀렉터의 결정 상태가 결정질일 때와 비결정질일 때 사이의 저항비를 최대화하거나, 상기 셀렉터의 동작 전압이 기준 동작 전압 값 미만이 되도록 하거나, 상기 셀렉터의 소모 전력이 기준 소모 전력 값 미만이 되도록, 조절되는, 상 변화 메모리 소자
3 3
제1항에 있어서,상기 상 변화층과 상기 셀렉터는 서로 다른 상 변화 특성을 갖는, 상 변화 메모리 소자
4 4
제1항에 있어서,상기 상 변화 메모리 소자는, 상기 셀렉터의 결정 상태가 결정질로 변화되어 고 저항 상태로 설정되고, 상기 상 변화층의 결정 상태가 결정질로 변화되어 저 저항 상태로 설정됨에 응답하여, 기록 동작 중 셋(Set) 동작을 수행하고, 상기 셀렉터의 결정 상태가 비결정질로 변화되어 저 저항 상태로 설정되고, 상기 상 변화층의 결정 상태가 비결정질로 변화되어 고 저항 상태로 설정됨에 응답하여, 상기 기록 동작 중 리셋(Reset) 동작을 수행하는, 상 변화 메모리 소자
5 5
제4항에 있어서,상기 셀렉터는, 상기 셋 동작 및 상기 리셋 동작 모두에서 상기 상 변화 메모리 소자가 고 저항 상태로 설정됨에 응답하여, 오프(Off) 상태를 유지하는, 상 변화 메모리 소자
6 6
제1항에 있어서,상기 상 변화 메모리 소자는, 상기 셀렉터가 국소 영역의 결정 상태만을 결정질로부터 비결정질로 변화시켜 온(On) 상태로 설정된 후, 상기 국소 영역의 결정 상태만을 비결정질로부터 결정질로 변화시켜 오프 상태로 설정됨에 응답하여, 판독 동작을 수행하는, 상 변화 메모리 소자
7 7
제1항에 있어서,상기 상 변화층과 상기 셀렉터 사이에 배치되어, 상기 셀렉터의 오프(Off) 전류를 감소시키거나, 상기 상 변화층 및 상기 셀렉터 사이의 인터믹싱을 차단하는 터널 배리어(Tunnel barrier)를 더 포함하는 상 변화 메모리 소자
8 8
제1항에 있어서,상기 트랜지션 메탈은, Cr, Ti, Ni, Zn, Cu 또는 Mo 중 적어도 하나를 포함하고, 상기 상 변화 물질은, Ge 및 Te을 포함하는, 상 변화 메모리 소자
9 9
제1항에 있어서,상기 셀렉터는, 상기 상부 전극 또는 상기 하부 전극 중 어느 하나를 형성하는 물질에 기초하여 컨텍 비저항이 조절되는, 상 변화 메모리 소자
10 10
메모리 소자에서 데이터 저장소로 사용되는 상 변화층에 대한 스위칭 소자로 사용되는 셀렉터(Selector)에 있어서,상기 셀렉터의 결정 상태가 결정질일 때 고 저항성을 갖고, 상기 셀렉터의 결정 상태가 비결정질일 때 저 저항성을 갖도록 상 변화 물질에 트랜지션 메탈(Transition metal)만이 함유된 화합물로 형성되는, 셀렉터
11 11
제10항에 있어서,상기 상 변화 물질에 상기 트랜지션 메탈이 함유되는 조성비는, 상기 셀렉터의 결정 상태가 결정질일 때와 비결정질일 때 사이의 저항비를 최대화하거나, 상기 셀렉터의 동작 전압이 기준 동작 전압 값 미만이 되도록 하거나, 상기 셀렉터의 소모 전력이 기준 소모 전력 값 미만이 되도록, 조절되는, 셀렉터
12 12
제10항에 있어서,상기 셀렉터는, 국소 영역의 결정 상태만을 결정질 및 비결정질 사이에서 변화시키며, 온(On) 상태 및 오프(Off) 상태 사이에서 전환되는, 셀렉터
13 13
제10항에 있어서,상기 메모리 소자에 포함되는 적어도 하나의 전극과 상기 셀렉터 사이에 배치되어, 상기 셀렉터의 오프(Off) 전류를 감소시키는 터널 배리어(Tunnel barrier)를 더 포함하는 셀렉터
14 14
상부 전극 및 하부 전극을 포함하는 상 변화 메모리 소자에서 데이터 저장소로 사용되는 상 변화층에 있어서, 상기 상부 전극 및 상기 하부 전극에 의해 공급되는 열에 의해 결정 상태가 변화되며, 상기 결정 상태가 결정질일 때 고 저항성을 갖고, 상기 결정 상태가 비결정질일 때 저 저항성을 갖도록 상 변화 물질에 트랜지션 메탈(Transition metal)만이 함유된 화합물로 형성되는, 상 변화층
15 15
제14항에 있어서,상기 상 변화 메모리 소자는 상기 상부 전극 또는 상기 하부 전극 중 어느 하나와 상기 상 변화층 사이에 배치되는 터널 배리어(Tunnel barrier)를 더 포함하는 상 변화층
16 16
제14항에 있어서,상기 상 변화 메모리 소자는 상기 상부 전극 및 상기 하부 전극에 의해 공급되는 열을 상기 상 변화층에 선택적으로 스위칭하는 OTS(Ovonic Threshold Switching)를 더 포함하는 상 변화층
17 17
상 변화 메모리 소자에 있어서, 상부 전극 및 하부 전극; 및 상기 상 변화 메모리 소자에서 데이터 저장소로 사용되기 위해, 상기 상부 전극 및 상기 하부 전극에 의해 공급되는 열에 의해 결정 상태가 변화되며, 상기 결정 상태가 결정질일 때 고 저항성을 갖고, 상기 결정 상태가 비결정질일 때 저 저항성을 갖도록 상 변화 물질에 트랜지션 메탈(Transition metal)만이 함유된 화합물로 형성되는 상 변화층을 포함하는 상 변화 메모리 소자
18 18
제17항에 있어서,상기 상부 전극 또는 상기 하부 전극 중 적어도 어느 하나와 상기 상 변화층 사이에는, 일함수(work function)에 의해 쇼트키 배리어가 형성되는, 상 변화 메모리 소자
19 19
고집적 3차원 아키텍처를 갖는 상 변화 메모리에 있어서, 제1 방향으로 연장 형성된 적어도 하나의 수평 전극 및 상기 제1 방향과 직교하는 제2 방향으로 연장 형성된 수직 전극; 상기 적어도 하나의 수평 전극과 각각 맞닿도록 상기 제1 방향으로 연장 형성되어, 상기 적어도 하나의 수평 전극 및 상기 수직 전극에 의해 공급되는 열에 의해 결정 상태가 변화되며, 데이터 저장소로 사용되는 적어도 하나의 상 변화층; 및 상기 적어도 하나의 상 변화층 및 상기 수직 전극과 각각 맞닿으며 상기 제2 방향으로 연장 형성되어, 상기 적어도 하나의 상 변화층 중 타겟 상 변화층의 결정 상태만을 변화시키도록 상기 적어도 하나의 수평 전극 및 상기 수직 전극에 의해 공급되는 열을 상기 적어도 하나의 상 변화층에 선택적으로 스위칭하며, 스위칭 소자로 사용되는 셀렉터(Selector)를 포함하고, 상기 셀렉터는, 상기 셀렉터의 결정 상태가 결정질일 때 고 저항성을 갖고, 상기 셀렉터의 결정 상태가 비결정질일 때 저 저항성을 갖도록 상 변화 물질에 트랜지션 메탈(Transition metal)만이 함유된 화합물로 형성되는, 상 변화 메모리
20 20
제19항에 있어서,상기 상 변화 물질에 상기 트랜지션 메탈이 함유되는 조성비는, 상기 셀렉터의 결정 상태가 결정질일 때와 비결정질일 때 사이의 저항비를 최대화하거나, 상기 셀렉터의 동작 전압이 기준 동작 전압 값 미만이 되도록 하거나, 상기 셀렉터의 소모 전력이 기준 소모 전력 값 미만이 되도록, 조절되는, 상 변화 메모리
21 21
제19항에 있어서,상기 상 변화 메모리는, 상기 셀렉터 중 상기 타겟 상 변화층에 대응하는 영역의 결정 상태가 결정질로 변화되어 고 저항 상태로 설정되고, 상기 타겟 상 변화층의 결정 상태가 결정질로 변화되어 저 저항 상태로 설정됨에 응답하여, 상기 타겟 상 변화층에 대한 기록 동작 중 셋(Set) 동작을 수행하고, 상기 셀렉터 중 상기 타겟 상 변화층에 대응하는 영역의 결정 상태가 비결정질로 변화되어 저 저항 상태로 설정되고, 상기 타겟 상 변화층의 결정 상태가 비결정질로 변화되어 고 저항 상태로 설정됨에 응답하여, 상기 타겟 상 변화층에 대한 상기 기록 동작 중 리셋(Reset) 동작을 수행하는, 상 변화 메모리
22 22
제21항에 있어서,상기 셀렉터 중 상기 타겟 상 변화층에 대응하는 영역은, 상기 셋 동작 및 상기 리셋 동작 모두에서 상기 상 변화 메모리가 고 저항 상태로 설정됨에 응답하여, 오프(Off) 상태를 유지하는, 상 변화 메모리
23 23
제19항에 있어서,상기 상 변화 메모리는, 상기 셀렉터 중 상기 타겟 상 변화층에 대응하는 영역이 국소 영역의 결정 상태만을 결정질로부터 비결정질로 변화시켜 온(On) 상태로 설정된 후, 상기 국소 영역의 결정 상태만을 비결정질로부터 결정질로 변화시켜 오프 상태로 설정됨에 응답하여, 판독 동작을 수행하는, 상 변화 메모리
24 24
제19항에 있어서,상기 적어도 하나의 상 변화층과 상기 셀렉터 사이에 배치된 채 상기 제2 방향으로 연장 형성되어, 상기 셀렉터의 오프(Off) 전류를 감소시키는 터널 배리어(Tunnel barrier)를 더 포함하는 상 변화 메모리
25 25
제19항에 있어서,상기 셀렉터는, 상기 타겟 상 변화층의 결정 상태가 변화될 때, 상기 적어도 하나의 상 변화층 중 상기 타겟 상 변화층과 인접한 상 변화층으로의 누설 전류를 차단하는, 상 변화 메모리
26 26
제19항에 있어서,상기 적어도 하나의 상 변화층 사이에 개재되도록 상기 제1 방향으로 연장 형성되어, 상기 적어도 하나의 상 변화층을 상호 간에 분리하는 적어도 하나의 절연층을 더 포함하는 상 변화 메모리
27 27
고집적 3차원 아키텍처를 갖는 상 변화 메모리에 있어서, 제1 방향으로 연장 형성된 적어도 하나의 수평 전극 및 상기 제1 방향과 직교하는 제2 방향으로 연장 형성된 수직 전극; 및 상기 적어도 하나의 수평 전극과 각각 맞닿도록 상기 제1 방향으로 연장 형성되어, 상기 적어도 하나의 수평 전극 및 상기 수직 전극에 의해 공급되는 열에 의해 결정 상태가 변화되며, 데이터 저장소로 사용되는 적어도 하나의 상 변화층을 포함하고, 상기 적어도 하나의 상 변화층은, 상기 결정 상태가 결정질일 때 고 저항성을 갖고, 상기 결정 상태가 비결정질일 때 저 저항성을 갖도록 상 변화 물질에 트랜지션 메탈(Transition metal)만이 함유된 화합물로 형성되는, 상 변화 메모리
28 28
제27항에 있어서,상기 적어도 하나의 상 변화층과 상기 수직 전극 사이에 배치된 채 상기 제2 방향으로 연장 형성되는 터널 배리어(Tunnel barrier)를 더 포함하는 상 변화 메모리
29 29
고집적 3차원 아키텍처를 갖는 상 변화 메모리의 제조 방법에 있어서, 제1 방향으로 연장 형성된 적어도 하나의 절연층 및 적어도 하나의 수평 전극을 번갈아 가며 적층하는 단계; 상기 적층된 적어도 하나의 절연층 및 적어도 하나의 수평 전극에 상기 제1 방향과 직교하는 제2 방향으로 수직 홀(Hole)을 형성하는 단계; 상기 수직 홀 내부 표면에 노출되는 상기 적어도 하나의 수평 전극의 일부를 에칭하는 단계; 상기 적어도 하나의 수평 전극의 일부가 에칭된 공간에 적어도 하나의 상 변화층-상기 적어도 하나의 상 변화층은 상기 상 변화 메모리에서 데이터 저장소로 사용됨-을 충진하는 단계; 상기 적어도 하나의 상 변화층과 맞닿도록 상기 수직 홀 내부 표면에 셀렉터(Selector)-상기 셀렉터는 상기 상 변화 메모리에서 스위칭 소자로 사용됨-를 형성하는 단계; 및 상기 셀렉터가 형성된 상기 수직 홀 내부에 수직 전극을 충진하는 단계를 포함하고, 상기 셀렉터는, 상기 셀렉터의 결정 상태가 결정질일 때 고 저항성을 갖고, 상기 셀렉터의 결정 상태가 비결정질일 때 저 저항성을 갖도록 상 변화 물질에 트랜지션 메탈(Transition metal)만이 함유된 화합물로 형성되는, 상 변화 메모리의 제조 방법
30 30
제29항에 있어서,상기 적어도 하나의 상 변화층과 맞닿도록 상기 수직 홀 내부 표면에 셀렉터를 형성하는 단계는, 상기 셀렉터의 결정 상태가 결정질일 때와 비결정질일 때 사이의 저항비를 최대화하거나, 상기 셀렉터의 동작 전압이 기준 동작 전압 값 미만이 되도록 하거나, 상기 셀렉터의 소모 전력이 기준 소모 전력 값 미만이 되도록, 상기 상 변화 물질에 상기 트랜지션 메탈이 함유되는 조성비를 조절하는 단계를 포함하는 상 변화 메모리의 제조 방법
31 31
제29항에 있어서,상기 적어도 하나의 상 변화층과 맞닿도록 상기 수직 홀 내부 표면에 셀렉터를 형성하는 단계는, 상기 적어도 하나의 상 변화층과 맞닿도록 상기 수직 홀 내부 표면에, 상기 셀렉터의 오프(Off) 전류를 감소시키는 터널 배리어(Tunnel barrier)를 형성하는 단계; 및 상기 터널 배리어가 형성된 상기 수직 홀 내부 표면에, 상기 터널 배리어와 맞닿도록 상기 셀렉터를 형성하는 단계를 포함하는 상 변화 메모리의 제조 방법
32 32
제29항에 있어서,상기 적어도 하나의 수평 전극의 일부가 에칭된 공간에 적어도 하나의 상 변화층을 충진하는 단계는, 상기 적어도 하나의 수평 전극의 일부가 에칭된 공간에 ALD(Atomic layer deposition) 기법을 이용하여 상기 적어도 하나의 상 변화층을 충진하는 단계인, 상 변화 메모리의 제조 방법
33 33
고집적 3차원 아키텍처를 갖는 상 변화 메모리의 제조 방법에 있어서, 제1 방향으로 연장 형성된 적어도 하나의 절연층 및 적어도 하나의 희생막을 번갈아 가며 적층하는 단계; 상기 적층된 적어도 하나의 절연층 및 적어도 하나의 희생막에 상기 제1 방향과 직교하는 제2 방향으로 수직 홀(Hole)을 형성하는 단계; 상기 수직 홀 내부 표면에 노출되는 상기 적어도 하나의 희생막의 일부를 에칭하는 단계; 상기 적어도 하나의 희생막의 일부가 에칭된 공간에 적어도 하나의 상 변화층-상기 적어도 하나의 상 변화층은 상기 상 변화 메모리에서 데이터 저장소로 사용됨-을 충진하는 단계; 상기 적어도 하나의 상 변화층과 맞닿도록 상기 수직 홀 내부 표면에 셀렉터(Selector)-상기 셀렉터는 상기 상 변화 메모리에서 스위칭 소자로 사용됨-를 형성하는 단계; 상기 셀렉터가 형성된 상기 수직 홀 내부에 수직 전극을 충진하는 단계; 상기 적어도 하나의 희생막을 제거하는 단계; 및 상기 적어도 하나의 희생막이 제거된 공간에 적어도 하나의 수평 전극을 충진하는 단계를 포함하고, 상기 셀렉터는, 상기 셀렉터의 결정 상태가 결정질일 때 고 저항성을 갖고, 상기 셀렉터의 결정 상태가 비결정질일 때 저 저항성을 갖도록 상 변화 물질에 트랜지션 메탈(Transition metal)만이 함유된 화합물로 형성되는, 상 변화 메모리의 제조 방법
34 34
제33항에 있어서,상기 적어도 하나의 상 변화층과 맞닿도록 상기 수직 홀 내부 표면에 셀렉터를 형성하는 단계는, 상기 셀렉터의 결정 상태가 결정질일 때와 비결정질일 때 사이의 저항비를 최대화하거나, 상기 셀렉터의 동작 전압이 기준 동작 전압 값 미만이 되도록 하거나, 상기 셀렉터의 소모 전력이 기준 소모 전력 값 미만이 되도록, 상기 상 변화 물질에 상기 트랜지션 메탈이 함유되는 조성비를 조절하는 단계를 포함하는 상 변화 메모리의 제조 방법
35 35
제33항에 있어서,상기 적어도 하나의 상 변화층과 맞닿도록 상기 수직 홀 내부 표면에 셀렉터를 형성하는 단계는, 상기 적어도 하나의 상 변화층과 맞닿도록 상기 수직 홀 내부 표면에, 상기 셀렉터의 오프(Off) 전류를 감소시키는 터널 배리어(Tunnel barrier)를 형성하는 단계; 및 상기 터널 배리어가 형성된 상기 수직 홀 내부 표면에, 상기 터널 배리어와 맞닿도록 상기 셀렉터를 형성하는 단계를 포함하는 상 변화 메모리의 제조 방법
36 36
제33항에 있어서,상기 적어도 하나의 희생막의 일부가 에칭된 공간에 적어도 하나의 상 변화층을 충진하는 단계는, 상기 적어도 하나의 희생막의 일부가 에칭된 공간에 ALD(Atomic layer deposition) 기법을 이용하여 상기 적어도 하나의 상 변화층을 충진하는 단계인, 상 변화 메모리의 제조 방법
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1 WO2018225993 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2020168792 US 미국 DOCDBFAMILY
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 한양대학교 산학협력단 이공분야기초연구사업 / 중견연구자지원사업 / 핵심연구 칼코지나이드 물질을 기반으로 한 신경 모방형 3차원 세포체 소자 개발