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친환경 나노복합체 기반 비휘발성 기억 소자 및 그의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2022019715
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 다양한 실시예들은 친환경 나노복합체 기반 비휘발성 기억 소자 및 그의 제조 방법을 제공한다. 다양한 실시예들에 따른 비휘발성 기억 소자는, 기판, 기판 상에 배치되는 하부 전극층, 하부 전극층 상에 배치되고, 아가로즈(agarose) 재료를 포함하는 저항 변화층, 및 저항 변화층 상에 배치되는 상부 전극층을 포함할 수 있다. 다양한 실시예들에 따르면, 비휘발성 기억 소자는 아가로즈 재료를 기반으로 구현됨에 따라, 생분해성을 획득할 수 있으며, 생분해성을 기반으로 환경 진화적일 수 있다.
Int. CL H01L 45/00 (2006.01.01) G11C 13/00 (2006.01.01) H01L 27/24 (2006.01.01)
CPC H01L 45/14(2013.01) H01L 45/1608(2013.01) G11C 13/0019(2013.01) H01L 27/2463(2013.01)
출원번호/일자 1020210043277 (2021.04.02)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0137340 (2022.10.12) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2021.04.02)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김태환 서울특별시 강남구
2 김영진 서울특별시 성북구
3 이동희 서울특별시 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 양성보 대한민국 서울특별시 강남구 선릉로***길 ** (논현동) 삼성빌딩 *층(피앤티특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2021.04.02 수리 (Accepted) 1-1-2021-0389887-44
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2022.01.21 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2022.03.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2022-0133385-15
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2022.08.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2022-0627978-09
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
2022.09.19 수리 (Accepted) 1-1-2022-0977992-56
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2022.09.19 1-1-2022-0977993-02
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번호 청구항
1 1
친환경 나노복합체 기반 비휘발성 기억 소자에 있어서, 기판; 상기 기판 상에 배치되는 하부 전극층;상기 하부 전극층 상에 배치되고, 아가로즈(agarose) 재료를 포함하는 저항 변화층; 및상기 저항 변화층 상에 배치되는 상부 전극층을 포함하는, 비휘발성 기억 소자
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 아가로즈 재료는, 하기 화학식과 같이 표현되는, 비휘발성 기억 소자
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 저항 변화층은,단일 금속 입자, 복합 금속 입자, 나노선(nanowire), 나노 카본 재료, 양자점 입자, 금속 산화물 입자, 금속 질화물 입자, 또는 고분자 화합물 중 적어도 하나를 포함하는 추가 부재를 더 포함하는,비휘발성 기억 소자
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 하부 전극층은 복수의 하부 전극들을 포함하고, 상기 상부 전극층은 복수의 상부 전극들을 포함하며, 상기 하부 전극층 및 상기 상부 전극층은, 상부에서 볼 때, 상기 하부 전극들과 상기 상부 전극들이 십자(+) 형태로 교차되도록 배열되는, 크로스바 어레이(cross-bar array) 구조로 배치되는, 비휘발성 기억 소자
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 상부 전극층 상에 적층되는 다른 기판;상기 다른 기판 상에 배치되는 다른 하부 전극층;상기 다른 하부 전극층 상에 배치되고, 아가로즈 재료를 포함하는 다른 저항 변화층; 및상기 다른 저항 변화층 상에 배치되는 다른 상부 전극층을 더 포함하는, 비휘발성 기억 소자
6 6
친환경 나노복합체 기반 비휘발성 기억 소자의 제조 방법에 있어서, 아가로즈 재료를 포함하는 혼합 용액을 준비하는 단계;상기 혼합 용액을 이용하여, 기판 상에 배치되는 하부 전극층 상에 저항 변화층을 형성하는 단계; 및상기 저항 변화층 상에 상부 전극층을 형성하는 단계를 포함하는, 제조 방법
7 7
제 6 항에 있어서, 상기 아가로즈 재료는, 하기 화학식과 같이 표현되는, 제조 방법
8 8
제 6 항에 있어서, 상기 혼합 용액을 준비하는 단계는, 상기 아가로즈 재료 및 용매를 혼합하여, 상기 혼합 용액을 준비하고,상기 용매는,물, 메탄올(Methanol), 에탄올(Ethanol), 아이소프로필알코올(Isopropyl alcohol), 아세톤(Aceton), 또는 아세트 산(Acetic acid) 중 적어도 하나를 포함하는,제조 방법
9 9
제 8 항에 있어서, 상기 혼합 용액을 준비하는 단계는, 상기 아가로즈 재료와 함께, 추가 부재를 상기 용매에 혼합하여, 상기 혼합 용액을 준비하고, 상기 추가 부재는,단일 금속 입자, 복합 금속 입자, 나노선, 나노 카본 재료, 양자점 입자, 금속 산화물 입자, 금속 질화물 입자, 또는 고분자 화합물 중 적어도 하나를 포함하는, 제조 방법
10 10
제 6 항에 있어서, 상기 저항 변화층을 형성하는 단계는,상기 하부 전극층 상에 상기 혼합 용액을 증착하는 단계; 및상기 하부 전극층 상에서 상기 혼합 용액으로부터 상기 용매 중 적어도 일부를 증발시켜, 상기 저항 변화층을 형성하는 단계를 포함하는, 제조 방법
11 11
제 10 항에 있어서, 상기 혼합 용액을 증착하는 단계는, 스핀 코팅(Spin coating) 기법, 스프레이 코팅(Spray coating) 기법, 바 코팅(Bar coating) 기법, 침지 코팅(Dip-coating) 기법, 커튼 코팅(Curtain coating) 기법, 슬롯 코팅(Slot coating) 기법, 롤 코팅(Roll coating) 기법, 또는 그라비어 코팅(Gravure coating) 기법 중 적어도 하나를 통해, 수행되는,제조 방법
12 12
제 6 항에 있어서, 상기 하부 전극층은 복수의 하부 전극들을 포함하고, 상기 상부 전극층은 복수의 상부 전극들을 포함하며, 상기 하부 전극층 및 상기 상부 전극층은, 상부에서 볼 때, 상기 하부 전극들과 상기 상부 전극들이 십자(+) 형태로 교차되도록 배열되는, 크로스바 어레이 구조로 배치되는, 제조 방법
13 13
제 6 항에 있어서, 상기 상부 전극층 상에 다른 기판을 적층하는 단계;상기 혼합 용액을 이용하여, 상기 다른 기판 상에 배치되는 다른 하부 전극층 상에 다른 저항 변화층을 형성하는 단계; 및상기 다른 저항 변화층 상에 다른 상부 전극층을 형성하는 단계를 더 포함하는, 제조 방법
14 14
제 6 항에 있어서, 상기 기판, 상기 하부 전극층, 상기 저항 변화층, 및 상기 상부 전극층을 절단하여, 적어도 두 개의 소자들로 구분하는 단계; 및상기 소자들 중 하나를 상기 소자들 중 다른 하나 상에 장착하는 단계를 더 포함하는, 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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1 과학기술정보통신부 한양대학교 산학협력단 이공분야기초연구사업 / 중견연구자지원사업 / 중견후속연구(연평균연구비 2억원~4억원이내) 지능형 뉴로모픽 소자와 인체친화적 발광 소자의 연구와 응용