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산포 개선을 위한 상변화 메모리 읽기 방법 및 그 장치

  • 기술번호 : KST2018015788
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 산포 개선을 위한 상변화 메모리 읽기 방법 및 그 장치가 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 상변화 메모리 읽기 방법은 상변화 메모리의 읽기 동작을 위하여, 상변화 메모리를 구성하는 저항성 스위칭 소자의 임계 전압에 기초하여 선형적으로 증가하는 전압을 인가하는 단계; 미리 구비된 전류 패스를 이용하여 상기 전압이 증가함에 따라 상기 전류 패스의 전류를 증가시키는 단계; 및 상기 선형적으로 증가하는 전압과 상기 전류 패스를 통해 증가하는 전류를 이용하여 상기 상변화 메모리의 읽기 동작을 수행하는 단계를 포함한다.
Int. CL G11C 13/00 (2006.01.01)
CPC G11C 13/004(2013.01) G11C 13/004(2013.01)
출원번호/일자 1020170065103 (2017.05.26)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0129298 (2018.12.05) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.05.26)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 송윤흡 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 최준태 대한민국 서울특별시 성동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 양성보 대한민국 서울특별시 강남구 선릉로***길 ** (논현동) 삼성빌딩 *층(피앤티특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 서울특별시 성동구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2017.05.26 수리 (Accepted) 1-1-2017-0502933-04
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2018.05.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2018.06.22 수리 (Accepted) 9-1-2018-0029795-69
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.10.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0697157-88
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.12.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-1239549-39
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.12.11 수리 (Accepted) 1-1-2018-1239548-94
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2019.04.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0278502-11
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2019.06.17 수리 (Accepted) 1-1-2019-0613858-16
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2019.06.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0613859-62
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
12 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2019.10.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0735883-22
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2019.11.12 수리 (Accepted) 1-1-2019-1159285-61
14 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2019.11.12 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2019-1159286-17
15 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2019.12.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0883972-70
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
상단의 비트 라인과 하단의 소스 라인 사이에 저항성 스위칭 소자와 셀이 수직으로 연결된 구조인 크로스 바 어레이 구조를 가지는 상변화 메모리의 읽기 동작을 위하여, 상변화 메모리를 구성하는 저항성 스위칭 소자의 임계 전압에 기초하여 선형적으로 증가하는 전압을 인가하는 단계;미리 구비된 전류 패스를 이용하여 상기 전압이 증가함에 따라 상기 전류 패스의 전류를 증가시키는 단계; 및상기 선형적으로 증가하는 전압과 상기 전류 패스를 통해 증가하는 전류를 이용하여 상기 상변화 메모리의 셀에 흐르는 전류를 일정 값으로 유지함으로써, 상기 상변화 메모리의 읽기 동작을 수행하는 단계를 포함하고,상기 전류 패스는읽기 동작을 위해 특정 셀이 선택되면 상기 선택된 특정 셀과 연결되는 비트 라인과 소스 라인 사이에 상기 특정 셀 및 상기 특정 셀의 저항성 스위칭 소자와 병렬적으로 형성되고,상기 전압을 인가하는 단계는상기 상변화 메모리를 구성하는 저항성 스위칭 소자들에 대해 미리 측정된 임계 전압 범위 중 최대 임계 전압보다 크게 설정된 전압까지 선형적으로 증가하는 읽기 전압을 인가하며,상기 읽기 동작을 수행하는 단계는상기 크로스 바 어레이 구조에서 비선택 소자에 의해 발생하는 스니크 리키지(sneak leakage)를 상기 전류 패스를 통해 제거함으로써, 상기 상변화 메모리의 읽기 동작을 수행하는 상변화 메모리 읽기 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 전류 패스의 전류를 증가시키는 단계는상기 전압이 증가함에 따라 상기 전류 패스의 저항 값을 감소시킴으로써, 상기 전류 패스의 전류를 증가시키는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 읽기 방법
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삭제
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제1항에 있어서,상기 전류 패스는가변 저항과 가변 저항 소자 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 읽기 방법
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삭제
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상단의 비트 라인과 하단의 소스 라인 사이에 저항성 스위칭 소자와 셀이 수직으로 연결된 구조인 크로스 바 어레이 구조를 가지는 상변화 메모리의 읽기 동작을 위하여, 상변화 메모리를 구성하는 저항성 스위칭 소자의 임계 전압에 기초하여 선형적으로 증가하는 전압을 인가하는 전압 인가부;미리 구비된 전류 패스를 이용하여 상기 전압이 증가함에 따라 상기 전류 패스의 전류를 증가시키는 전류 패스부; 및상기 선형적으로 증가하는 전압과 상기 전류 패스를 통해 증가하는 전류를 이용하여 상기 상변화 메모리의 셀에 흐르는 전류를 일정 값으로 유지함으로써, 상기 상변화 메모리의 읽기 동작을 수행하는 제어부를 포함하고,상기 전류 패스부는읽기 동작을 위해 특정 셀이 선택되면 상기 선택된 특정 셀과 연결되는 비트 라인과 소스 라인 사이에 상기 특정 셀 및 상기 특정 셀의 저항성 스위칭 소자와 병렬적으로 형성되고,상기 전압 인가부는상기 상변화 메모리를 구성하는 저항성 스위칭 소자들에 대해 미리 측정된 임계 전압 범위 중 최대 임계 전압보다 크게 설정된 전압까지 선형적으로 증가하는 읽기 전압을 인가하며,상기 제어부는상기 크로스 바 어레이 구조에서 비선택 소자에 의해 발생하는 스니크 리키지(sneak leakage)를 상기 전류 패스를 통해 제거함으로써, 상기 상변화 메모리의 읽기 동작을 수행하는 상변화 메모리 읽기 장치
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제6항에 있어서,상기 전류 패스부는상기 전압이 증가함에 따라 상기 전류 패스의 저항 값을 감소시킴으로써, 상기 전류 패스의 전류를 증가시키는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 읽기 장치
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삭제
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제6항에 있어서,상기 전류 패스부는가변 저항과 가변 저항 소자 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 읽기 장치
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순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 한양대학교 산학협력단 이공분야 기초연구사업 / 중견연구자지원사업 / 핵심연구 칼코지나이드 물질을 기반으로 한 신경 모방형 3차원 세포체 소자 개발