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임프린트 리소그래피 공정을 이용한 산화물 트랜지스터의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 임프린트 리소그래피 공정을 이용한 산화물 트랜지스터

  • 기술번호 : KST2019009776
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 롤-투-롤 임프린트 리소그래피 방법을 이용한 산화물 트랜지스터의 제작 방법을 제공하며, 이러한 방법에 의해 산화물 트랜지스터의 제작시 레진(레지스트)층과 소스/드레인층 사이에 희생층을 도입하여 레진층의 애싱(ashing) 이후 남아 있는 잔여물을 쉽게 제거할 수 있다. 또한, 본 발명은 소스/드레인층과 반도체 산화물층 사이에 전도성 포토레지스트층을 도입하여 접촉이 가능한 층 구조를 제안하고 이를 제작하는 공정을 제공한다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01.01) H01L 51/00 (2006.01.01) H01L 21/027 (2006.01.01) G03F 7/00 (2006.01.01)
CPC H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01)
출원번호/일자 1020170170754 (2017.12.12)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2019-0070180 (2019.06.20) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.12.12)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조성민 경기도 군포시 산본로***번길 **, **
2 김성진 충청남도 아산시
3 정호균 경기도 용인시 수지구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남건필 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)
2 차상윤 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)
3 박종수 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 경기도 수원시 장안구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2017.12.12 수리 (Accepted) 1-1-2017-1238955-50
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2018.03.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2018.04.27 수리 (Accepted) 9-1-2018-0018531-76
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2019.01.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0037215-71
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2019.03.12 수리 (Accepted) 1-1-2019-0253005-54
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2019.03.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0253031-31
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2019.07.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0526965-21
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2019.09.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0967359-03
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2019.09.23 수리 (Accepted) 1-1-2019-0967358-57
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2020.01.06 수리 (Accepted) 1-1-2020-0008649-70
11 등록결정서
Decision to grant		 2020.01.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0033988-65
12 [명세서등 보정]보정서(심사관 직권보정)
 2020.01.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-5001377-87
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번호 청구항
1 1
임프린트 리소그래피(imprint lithography) 공정을 이용한 산화물 트랜지스터의 제조 방법으로서,기판; 게이트 전극층; 게이트 절연체; 산화물 활성층; 전도성 포토레지스트층; 소스 및 드레인 전극층; 희생 포토레지스트층; 및 레진(resin)층이 차례대로 적층되어 있고, 상기 레진층은 패턴부 및 비패턴부가 구분되어 있고, 상기 패턴부의 레진층은 상기 산화물 트랜지스터의 게이트 전극, 소스 전극, 드레인 전극 및 액티브층 상의 레진층인, 패턴화된 임프린트 구조체를 준비하는 단계;상기 임프린트 구조체에서 상기 비패턴부의 레진층을 제거하는 단계;상기 비패턴부의 희생 포토레지스트층을 현상하는 단계;상기 게이트 전극층의 상면을 노출시키고, 상기 게이트 전극 및 상기 액티브층을 형성하는 단계;상기 액티브층의 채널 영역 상의 레진층을 제거하고 희생 포토레지스트층을 현상하는 단계;상기 액티브층의 채널 영역 상의 소스 및 드레인 전극층을 제거하여, 상기 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계; 및상기 소스 전극 및 드레인 전극 상의 레진층을 제거하고 희생 포토레지스트층을 현상하는 단계를 포함하는,임프린트 리소그래피 공정을 이용한 산화물 트랜지스터의 제조 방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계에서,상기 산화물 활성층 상의 전도성 포토레지스트층을 현상하는 단계를 추가로 포함하는,임프린트 리소그래피 공정을 이용한 산화물 트랜지스터의 제조 방법
3 3
제 1 항에 있어서,상기 전도성 포토레지스트층은 전도성 폴리머인,임프린트 리소그래피 공정을 이용한 산화물 트랜지스터의 제조 방법
4 4
제 3 항에 있어서,상기 전도성 포토레지스트층은 포지티브(positive) 전도성 포토레지스트인,임프린트 리소그래피 공정을 이용한 산화물 트랜지스터의 제조 방법
5 5
제 1 항에 있어서,상기 제조 방법은 롤-투-롤(roll-to-roll) 공정에 의해 수행되는,임프린트 리소그래피 공정을 이용한 산화물 트랜지스터의 제조 방법
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제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항의 방법을 이용한,OLED 디스플레이의 백플레인(backplane)을 제조하는 방법
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제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항의 방법에 따라 제조된,임프린트 리소그래피 공정을 이용하여 제조된 산화물 트랜지스터
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9 9
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10 10
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11 11
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조부 성균관대학교 산학협력단 대학ICT연구센터육성지원사업 차세대AMOLED 핵심원천기술개발 및 연구 인력 양성