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제1전극과 제2전극 사이에 절연체층과 산화물반도체층이 교번하여 개재되고, 상기 제1전극과 제2전극은 절연체층과 맞닿아 있으며, 상기 제1전극과 제2전극 사이에 전기장이 형성되면, 상기 제1전극 또는 제2전극에서 주입된 전자가 상기 절연체층과 산화물반도체층을 수직 방향으로 통과하면서 이동하여 전류가 흐르고,상기 절연체층과 산화물반도체층을 수직 방향으로 통과하는 전류의 이동방향은, 상기 제1전극에 인가되는 제1전압과 상기 제2전극에 인가되는 제2전압의 상대적 크기에 의하여 제1전극에서 제2전극 방향 또는 제2전극에서 제1전극 방향으로 결정되고,상기 산화물반도체층에 제3전극이 형성되어 소정의 전압이 인가됨에 따라, 상기 제1전극과 제2전극 사이에서 수직으로 이동하던 전자의 적어도 일부가 상기 제3전극 방향으로 인출되는 것을 특징으로 하는 박막소자
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청구항 1에 있어서,상기 제1전극과 제2전극 사이에 개재된 산화물반도체층은 복수개인 것을 특징으로 하는 박막소자
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청구항 2에 있어서,상기 복수개의 산화물반도체층 중 적어도 하나는 다른 산화물반도체층과 서로 다른 물질로 이루어진 산화물반도체층인 것을 특징으로 하는 박막소자
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청구항 3에 있어서,상기 서로 다른 물질로 이루어진 산화물반도체층은 징크 옥사이드(ZnO), 인듐 갈륨 징크 옥사이드(Indium Gallium Zinc Oxide), 징크 틴 옥사이드(Zinc Tin Oxide), 인듐 징크 옥사이드(Indium Zinc Oxide), 실리콘 인듐 징크 옥사이드(Silicon Indium Zinc Oxide), 하프늄 인듐 징크 옥사이드(Hafnium Indium Zinc Oxide), 인듐 옥사이드(Indium Oxide), 인듐 틴 옥사이드(Indium Tin Oxide), 인듐 징크 틴 옥사이드(Indium Zinc Tin Oxide), 알루미늄 징크 옥사이드(Aluminum Zinc Oxide), 갈륨 징크 옥사이드(Gallium Zinc Oxide), 리튬 징크 옥사이드(Lithium Zinc Oxide), 타이타늄 옥사이드(Titanium Oxide)로 구성된 군에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 박막소자
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청구항 2에 있어서,상기 절연체층은 실리콘 옥사이드(SiO2), 알루미늄 옥사이드(Al2O3), 하프늄 옥사이드(HfO2), 탄탈륨 옥사이드(Ta2O5), 실리콘 나이트라이드(SixNy), 실리콘 옥사이드 나이트라이드(SiOxNy), 이트륨 옥사이드(Y2O3), 마크네슘 옥사이드(MgxOy), 타이타늄 옥사이드(TixOy), 저머늄 옥사이드(GexOy)로 구성된 군에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 박막소자
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청구항 2에 있어서,상기 제1전극과 제3전극이 각각 소스전극과 드레인전극으로 구동되고, 상기 제2전극이 게이트전극으로 구동되어, 스위칭 소자로 기능하는 것을 특징으로 하는 박막소자
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청구항 6에 있어서,상기 드레인전극에 연결되는 복수개의 산화물반도체층 중 적어도 하나는 다른 산화물반도체층과 서로 다른 전자 이동도를 가지는 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 박막소자
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청구항 7에 있어서,상기 복수개의 산화물반도체층에 연결되는 드레인 전극에서 인출되는 전류는 서로 다른 값을 가지는 것을 특징으로 하는 박막소자
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