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II-VI족 화합물 양자점으로서, 자기적 성질을 나타낼 수 있는 원소(이하 자성원소라 한다)가 양자점 내에 도핑되어 있어서, 자성원소가 안정화된 것을 특징으로 하는 광학적 자기적 성질을 나타내는 양자점
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제 1항에 있어서, 상기 자성원소는 Ⅵ족 원소와 미리 결합되어 자성원소-VI족 원소 전구체를 형성한 후에 이를 Ⅱ족 반도체 전구체와 반응시켜 양자점을 형성시키는 것을 특징으로 하는 광학적 자기적 성질을 나타내는 양자점
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제 2항에 있어서, 상기 Ⅱ족 반도체 전구체는 Ⅱ족원소와 불포화지방산과 반응하여 금속-불포화지방산 착화합물의 형태인 것을 특징으로 하는 광학적 자기적 성질을 나타내는 양자점
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제 2항에 있어서 상기 양자점의 형성 후 양자점의 성장을 통해 광학적 발광 특성이 400 내지 900 nm 인 것을 특징으로 하는 광학적 자기적 성질을 나타내는 양자점
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제 1항 내지 제 4항의 어느 한 항에 있어서, 상기 Ⅱ족 원소는 아연, 카드뮴, 수은, 및 상기 원소들의 조합에 의한 다성분계 합금으로 이루어지는 군으로부터 어느 하나 선택되고, 상기 Ⅵ족 원소는 황, 셀레늄, 텔류륨, 폴로늄, 및 상기 원소들의 조합에 의한 다성분계 물질로 이루어지는 군으로부터 어느 하나 선택되며, 상기 자성원소는 망간, 철, 코발트, 및 상기 원소들의 조합에 의한 다성분계로 물질로 이루어지는 군으로부터 어느 하나 선택되는 것을 특징으로 하는 광학적 자기적 성질을 나타내는 양자점
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상기 제 5항에 있어서, 상기 Ⅱ족 원소는 카드뮴 옥사이드, 아세트산 카드뮴, 카드뮴 클로라이드, 징크 옥사이드, 아세트산 아연, 징크 클로라이드, 머큐리 옥사이드, 아세트산 머큐리 및 머큐리 클로라이드로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 화합물 형태로 첨가되거나, 상기 Ⅵ족 원소는 트리옥틸포스핀셀레늄, 트리옥틸포스핀황, 트리옥틸포스핀텔류륨, 트리옥틸포스핀폴로늄, 트리부틸포스핀셀레늄, 트리부틸포스핀황, 트리부틸포스핀텔류륨, 트리부틸포스핀폴로늄으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 형태로 첨가되는 것을 특징으로 하는 광학적 자기적 성질을 나타내는 양자점
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제 1항, 제 2항, 제 3항, 제 4항 및 제 6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 자성원소의 함량은 전체원소 대비 몰%가 0
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Ⅲ-Ⅴ족 화합물 양자점으로서, 자기적 성질을 나타낼 수 있는 원소(이하 자성원소라 한다)가 양자점 내에 도핑되어 있어서, 자성원소가 안정화된 것을 특징으로 하는 광학적 자기적 성질을 나타내는 양자점
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제 8항에 있어서, 상기 자성원소는 Ⅴ족 원소와 미리 결합되어 자성원소-V족 원소 전구체를 형성한 후에 이를 Ⅲ족 반도체 전구체와 반응시켜 양자점을 형성시키는 것을 특징으로 하는 광학적 자기적 성질을 나타내는 양자점
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제 9항에 있어서, 상기 Ⅲ족 반도체 전구체는 Ⅲ족원소와 불포화지방산과 반응하여 금속-불포화지방산 착화합물의 형태인 것을 특징으로 하는 광학적 자기적 성질을 나타내는 양자점
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자기적 성질과 광학적 성질을 동시에 갖는 II-VI족 화합물 양자점의 제조방법에 있어서, 자기적 성질을 나타낼 수 있는 원소(이를 자성원소라 함)의 도핑은 자성원소와 VI족 원소를 미리 결합하여 자성원소-VI족 원소 전구체를 합성하는 단계가 포함되는 것을 특징으로 하는 광학적 자기적 성질을 나타내는 양자점의 제조방법
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자기적 성질과 광학적 성질을 동시에 갖는 II-VI족 화합물 양자점의 제조방법에 있어서, 자성원소와 Ⅵ족 원소를 결합하는 자성원소-Ⅵ족 원소 전구체 합성단계; Ⅱ족 반도체 원소를 100 ~ 350℃로 가열하는 Ⅱ족 원소 전구체 합성단계; 상기 가열된 Ⅱ족 원소 전구체에 자성원소-Ⅵ족 원소 전구체와 Ⅵ족 원소 전구체를 혼합하는 양자점 형성단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 광학적 자기적 성질을 나타내는 양자점의 제조방법
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제 12항에 있어서, 상기 양자점 형성단계의 반응물을 100 ~ 230℃에서 유지시켜 일정한 크기의 원하는 양자점을 제조하는 양자점 성장단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광학적 자기적 성질을 나타내는 양자점의 제조방법
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제 12항에 있어서, 상기 Ⅱ족 원소 전구체 합성단계는 Ⅱ족 원소를 불포화지방산과 반응하여 금속-불포화 지방산 착화합물을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 광학적 자기적 성질을 나타내는 양자점의 제조방법
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제 14항에 있어서, 상기 착화합물의 형성은 질소 또는 아르곤 분위기의 상압 이하의 압력조건 및 100 내지 350℃의 온도조건에서 가열시켜 이루어지는 것을 특징으로 하는 광학적 자기적 성질을 나타내는 양자점의 제조방법
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제 11항 내지 제 15항의 어느 한 항에 있어서, 상기 자성원소의 함량은 전체원소 대비 몰%가 0
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제 11항 내지 제 15항의 어느 한 항에 있어서, 상기 Ⅱ족 원소는 아연, 카드뮴 및 수은으로 이루어지는 군에서 선택되어지고, 상기 Ⅵ족 원소는 황, 셀레늄, 텔류륨 및 폴로늄으로 이루어지는 군에서 선택되어지고, 상기 자성원소는 망간, 철, 및 코발트로 이루어지는 군에서 선택되어지는 것을 특징으로 하는 광학적 자기적 성질을 나타내는 양자점의 제조방법
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자기적 성질과 광학적 성질을 동시에 갖는 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 양자점의 제조방법에 있어서, 자기적 성질을 나타낼 수 있는 원소(이를 자성원소라 함)의 도핑은 자성원소와 V족 원소를 미리 결합하여 자성원소-V족 원소 전구체를 합성하는 단계가 포함되는 것을 특징으로 하는 양자점의 제조방법
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자기적 성질과 광학적 성질을 동시에 갖는 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 양자점의 제조방법에 있어서, 자성원소와 Ⅴ족 원소를 결합하는 자성원소-Ⅴ족 원소 전구체 합성단계; Ⅲ족 반도체 원소를 가열하는 것을 포함하는 Ⅲ족 원소 전구체 합성단계;상기 가열된 Ⅲ족 원소 전구체에 자성원소-Ⅴ족 원소 전구체와 Ⅴ족 원소 전구체를 혼합하는 양자점 형성단계;상기 양자점 형성단계의 반응물을 100 ~ 230℃에서 유지시켜 일정한 크기의 원하는 양자점을 제조하는 양자점 성장단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점의 제조방법
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