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반도체 공정 진행 중에, 제1 검사에 의한 검사 결과를 획득하는 단계;획득한 검사 결과로부터 반도체 GP(Good Probability)를 예측하는 단계;예측된 반도체 GP를 기초로, 일부 반도체를 선별하는 단계; 및선별된 일부 반도체에 대해, 제2 검사를 수행하는 단계;를 포함하고,예측 단계는,제1 검사 결과와 최종 공정 완료 후의 검사 결과로 학습된 모델을 이용하여, 반도체 GP를 예측하며,제1 검사 결과는,검사 단계 ID, 결함 위치(Defect Location), 결함 사이즈(Defect Size), 결함 부위(Defect Zone)를 포함하고,결함 위치는,웨이퍼 상에서의 결함 위치 및 다이 상에서의 결함 위치를 포함하며,결함 사이즈는,결함의 폭, 높이 및 넓이를 포함하고,결함 부위에는,셀(Cell)과 페리(Peri)가 포함되며,반도체 GP는,웨이퍼의 GP 및 웨이퍼에 형성된 다이들의 GP들인 다이 GP들을 포함하고,웨이퍼 GP은,다이 GP들의 평균이며,선별단계는,다이 GP가 제1 임계값 미만인 다이를 포함한 웨이퍼들 중 웨이퍼 GP가 제2 임계값 미만인 웨이퍼들을 제2 검사를 수행할 웨이퍼들로 선별하고,제1 임계값은,제2 임계값 보다 작은 것을 특징으로 하는 반도체 GP 예측 방법
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청구항 1에 있어서,제2 검사는,제1 검사 보다 비용과 시간이 더 많이 소요되는 검사인 것을 특징으로 하는 반도체 GP 예측 방법
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청구항 8에 있어서,제1 검사는,광학 검사(Optical Inspection)이고,제2 검사는,SEM 검사(Scanning Electron Microscopy Review)인 것을 특징으로 하는 반도체 GP 예측 방법
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청구항 1에 있어서,반도체 GP를 기초로 알람을 발생하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 GP 예측 방법
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반도체 공정 진행 중에, 제1 검사에 의한 검사 결과를 수신하는 통신부; 및통신부가 획득한 검사 결과로부터 반도체 GP(Good Probability)를 예측하고, 예측된 반도체 GP를 기초로 일부 반도체를 선별하며, 선별된 일부 반도체에 대해 제2 검사를 수행할 것을 결정하는 프로세서;를 포함하고,프로세서는,제1 검사 결과와 최종 공정 완료 후의 검사 결과로 학습된 모델을 이용하여, 반도체 GP를 예측하며,제1 검사 결과는,검사 단계 ID, 결함 위치(Defect Location), 결함 사이즈(Defect Size), 결함 부위(Defect Zone)를 포함하고,결함 위치는,웨이퍼 상에서의 결함 위치 및 다이 상에서의 결함 위치를 포함하며,결함 사이즈는,결함의 폭, 높이 및 넓이를 포함하고,결함 부위에는,셀(Cell)과 페리(Peri)가 포함되며,반도체 GP는,웨이퍼의 GP 및 웨이퍼에 형성된 다이들의 GP들인 다이 GP들을 포함하고,웨이퍼 GP은,다이 GP들의 평균이며,프로세서는,다이 GP가 제1 임계값 미만인 다이를 포함한 웨이퍼들 중 웨이퍼 GP가 제2 임계값 미만인 웨이퍼들을 제2 검사를 수행할 웨이퍼들로 선별하고,제1 임계값은,제2 임계값 보다 작은 것을 특징으로 하는 반도체 GP 예측 시스템
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