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화학 기상 증착(CVD : Chemical Vapor Deposition)에 의하여 동박(銅薄)의 제1층에 그래핀의 제2층이 합성된 결과의 그래핀-합성 동박에 대하여, 상기 제2층의 그래핀의 합성 품질을 검사하는 방법에 있어서,(a) 산소 또는 물 분자가 상기 제2층의 그래핀의 결함 부위를 통하여 상기 제1층의 동박에 반응하게 함;(b) 상기 그래핀-합성 동박의 전체 영역이 부분 영역들로 구획되도록 상기 전체 영역을 설정함; (c) 상기 부분 영역들을 순서대로 촬영하여 부분 영역의 영상들을 구함; (d) 상기 부분 영역의 영상들 각각에 대하여, 상기 제1층의 동박이 산화된 영역을 검출하고, 산화된 영역을 그래핀 결함 영역으로 설정함; (e) 상기 부분 영역의 영상들 각각에 대하여, 전체 면적에 대한 그래핀 결함 면적의 비율을 구함; 및(f) 상기 부분 영역의 영상들 각각에 대하여, 상기 그래핀 결함 면적의 비율이 기준 값보다 낮은지의 여부에 따라 양호 또는 불량을 판정함;을 포함하고,상기 기준 값은,상기 그래핀-합성 동박의 표본들에 대한 실험에 의하여 설정되되, 그래핀의 전기적 물성 값이 변하지 않게 하는 그래핀 결함 면적의 비율들 중에서 가장 높은 비율로서 설정되는, 검사 방법
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청구항 1에 있어서, 상기 기준 값은 제1 비율 및 제2 비율 중에서 낮은 비율이고,상기 제1 비율은 그래핀의 면저항 값이 증가하지 않게 하는 그래핀 결함 면적의 비율들 중에서 가장 높은 비율이며,상기 제2 비율은 그래핀의 전자 이동도 값이 감소하지 않게 하는 그래핀 결함 면적의 비율들 중에서 가장 높은 비율인, 검사 방법
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청구항 1에 있어서, 상기 기준 값은 제1 비율 또는 제2 비율이고,상기 제1 비율은 그래핀의 면저항 값이 증가하지 않게 하는 그래핀 결함 면적의 비율들 중에서 가장 높은 비율이며,상기 제2 비율은 그래핀의 전자 이동도 값이 감소하지 않게 하는 그래핀 결함 면적의 비율들 중에서 가장 높은 비율인, 검사 방법
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청구항 1에 있어서, 상기 기준 값을 설정하는 방법은,그래핀이 동박(銅薄)에 정상적으로 합성된 그래핀-합성 동박의 표본들 각각을 산화시키되, 서로 다른 산화 온도와 산화 시간을 적용하여 산화시킴;산화된 상기 그래핀-합성 동박의 표본들 각각의 그래핀 결함 면적의 비율 및 그래핀의 전기적 물성 값을 측정하여, 그래핀 결함 면적의 비율에 대한 그래핀의 전기적 물성 값의 특성 그래프를 작성함; 그래핀의 전기적 물성 값이 변하지 않게 하는 그래핀 결함 면적의 비율들 중에서 가장 높은 비율을 상기 특성 그래프에서 찾음; 및 찾아진 상기 그래핀 결함 면적의 비율을 상기 기준 값으로 설정함;을 포함한, 검사 방법
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청구항 4에 있어서, 설정된 상기 기준 값을 가진 그래핀-합성 동박의 표본에 적용되었던 산화 온도와 산화 시간이 상기 단계 (a)에서 동일하게 적용되는, 검사 방법
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화학 기상 증착(CVD : Chemical Vapor Deposition)에 의하여 동박(銅薄)의 제1층에 그래핀의 제2층이 합성된 결과의 그래핀-합성 동박에 대하여, 상기 제2층의 그래핀의 합성 품질을 검사하는 시스템에 있어서, 산화 장치 및 분석 장치를 포함하고,상기 산화 장치는, 산소 또는 물 분자가 상기 제2층의 그래핀의 결함 부위를 통하여 상기 제1층의 동박에 반응하게 하고,상기 분석 장치는, 상기 그래핀-합성 동박의 전체 영역이 부분 영역들로 구획되도록 상기 전체 영역을 설정하고, 상기 부분 영역들을 순서대로 촬영하여 부분 영역의 영상들을 구하며, 상기 부분 영역의 영상들 각각에 대하여, 상기 제1층의 동박이 산화된 영역을 검출하고, 산화된 영역을 그래핀 결함 영역으로 설정하여, 상기 부분 영역의 영상들 각각에 대하여, 전체 면적에 대한 그래핀 결함 면적의 비율을 구하며,상기 부분 영역의 영상들 각각에 대하여, 상기 그래핀 결함 면적의 비율이 기준 값보다 낮은지의 여부에 따라 양호 또는 불량을 판정하고,상기 기준 값은,상기 그래핀-합성 동박의 표본들에 대한 실험에 의하여 설정되되, 그래핀의 전기적 물성 값이 변하지 않게 하는 그래핀 결함 면적의 비율들 중에서 가장 높은 비율로서 설정되는, 검사 시스템
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