| 1 |
1
그라파이트를 산화시켜 그라파이트 옥사이드를 제조하는 단계; 상기 그라파이트 옥사이드를 박리 및 분산시켜 그래핀 옥사이드를 포함하는 분산 용액을 제조하는 단계; 및상기 그래핀 옥사이드를 부분적으로 환원시키기 위하여, 상기 그래핀 옥사이드를 포함하는 분산 용액에 할로겐산을 투입하고 가열하는 단계를 포함하는, 환원된 그래핀 옥사이드의 제조 방법
|
| 2 |
2
제1 항에 있어서, 상기 그라파이트 옥사이드를 제조하는 단계는,분말 형태의 상기 그라파이트를 산 처리하는 단계; 및과산화수소를 과량 투입하여 산화를 중단하는 단계를 포함하는, 환원된 그래핀 옥사이드의 제조 방법
|
| 3 |
3
제2 항에 있어서, 상기 그라파이트 옥사이드를 제조하는 단계는,증류수를 이용하여 불순물을 제거하기 위한 세척 및 여과하는 단계; 및분말 형태의 그라파이트 옥사이드를 제조하기 위하여 상기 그라파이트 옥사이드를 건조하는 단계를 더 포함하는, 환원된 그래핀 옥사이드의 제조 방법
|
| 4 |
4
제1 항에 있어서, 상기 할로겐산은 염산(HCl), 브롬산(HBr) 및 요오드산(HI)로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나인, 환원된 그래핀 옥사이드의 제조 방법
|
| 5 |
5
제1 항에 있어서, 상기 할로겐산의 농도는 1M 내지 10M인, 환원된 그래핀 옥사이드의 제조 방법
|
| 6 |
6
제1 항에 있어서, 상기 할로겐산을 투입하고 가열하는 단계는 50℃ 내지 100℃의 온도에서 진행되는, 환원된 그래핀 옥사이드의 제조 방법
|
| 7 |
7
제6 항에 있어서, 상기 할로겐산을 투입하고 가열하는 단계는 상기 그래핀 옥사이드와 상기 할로겐산의 반응을 위해 1시간 내지 48시간 동안 유지되는, 환원된 그래핀 옥사이드의 제조 방법
|
| 8 |
8
그라파이트를 산화시켜 그라파이트 옥사이드를 포함하는 분산 용액을 제조하는 단계;상기 분산 용액에 할로겐산을 투입하고 가열하여, 상기 그라파이트 옥사이드의 적어도 일부를 환원시키는 단계; 및상기 환원된 그라파이트 옥사이드를 용매하에서 박리하여 환원된 그래핀 옥사이드를 제조하는 단계를 포함하는, 환원된 그래핀 옥사이드의 제조 방법
|
| 9 |
9
제8 항에 있어서, 상기 그라파이트 옥사이드를 포함하는 분산 용액을 제조하는 단계는,상기 그라파이트를 산 처리하는 단계; 과산화수소를 과량 투입하여 그라파이트의 산화 반응을 중단하는 단계; 및증류수 또는 산을 이용하여 불순물을 제거하기 위한 세척 및 여과하는 단계를 포함하는, 환원된 그래핀 옥사이드의 제조 방법
|
| 10 |
10
제9 항에 있어서, 상기 할로겐산은 염산(HCl), 브롬산(HBr) 및 요오드산(HI)로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나인, 환원된 그래핀 옥사이드의 제조 방법
|
| 11 |
11
제9 항에 있어서, 상기 할로겐산의 농도는 1M 내지 10M인, 환원된 그래핀 옥사이드의 제조 방법
|
| 12 |
12
제9 항에 있어서, 상기 그라파이트 옥사이드의 적어도 일부를 환원시키는 단계는 50℃ 내지 100℃의 온도에서 1시간 내지 48시간 동안 진행되는, 환원된 그래핀 옥사이드의 제조 방법
|
| 13 |
13
상기 제1항 내지 상기 제12항 중 어느 한 항의 제조 방법에 의해 제조된 환원된 그래핀 옥사이드 및 반도체 물질을 포함하는 액티브층;상기 액티브층 상에 배치되는 게이트 절연층;상기 게이트 절연막 상에 베치되는 게이트 전극; 및상기 액티브층에 접촉되는 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는, 박막 트랜지스터
|
| 14 |
14
기판;상기 기판 상에 배치되고, 환원된 그래핀 옥사이드 및 반도체 물질을 포함하는 액티브층;상기 액티브층 상에 배치되는 게이트 절연층;상기 게이트 절연막 상에 베치되는 게이트 전극; 및상기 액티브층에 접촉되는 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는, 박막 트랜지스터
|
| 15 |
15
제14 항에 있어서, 상기 환원된 그래핀 옥사이드의 산소/탄소 원자 비율은 1
|
| 16 |
16
제14 항에 있어서, 상기 환원된 그래핀 옥사이드는 하기 수학식 1로 표시되는 라만 R값이 1
|
