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적어도 하나의 그래핀 양자점-육방정계 질화붕소 박막층; 을 포함하고,상기 그래핀 양자점-육방정계 질화붕소 박막층은, 육방정계 질화붕소 박막 내에 적어도 하나 이상의 그래핀 양자점이 삽입되고,발광 구조체는, 1 nm 내지 100 nm의 두께를 갖는 것인, 발광 구조체
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제1항에 있어서,상기 그래핀 양자점은, 상기 육방정계-질화붕소 박막 내의 복수 개의 인접한 질소 원자 및 붕소 원자의 자리(site)가 탄소 원자로 치환되어 삽입된 것인, 발광 구조체
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제1항에 있어서,상기 그래핀 양자점-육방정계 질화붕소 박막층은, 투명성, 전도성, 또는 이 둘을 갖는 기판 상에 적층된 것인, 발광 구조체
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적어도 하나의 그래핀 양자점-육방정계 질화붕소 박막층; 및적어도 하나의 육방정계-질화붕소 박막층;을 포함하고,상기 그래핀 양자점-육방정계 질화붕소 박막층은, 육방정계 질화붕소 박막 내에 적어도 하나 이상의 그래핀 양자점이 삽입되고,상기 적어도 하나의 상기 육방정계-질화붕소 박막층은, 상기 적어도 하나의 상기 그래핀 양자점-육방정계 질화붕소 박막층과 교차적으로 적층되는 것인,발광 구조체
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삭제
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제1항 또는 제4항에 있어서,상기 육방정계-질화붕소 박막층은, 단일층(single-layer) 또는 다중층(multi-layer)인 것인, 발광 구조체
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제1항 또는 제4항에 있어서,상기 그래핀 양자점의 크기는 2 nm 내지 30 nm 인 것인, 발광 구조체
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제1항 또는 제4항에 있어서,상기 발광 구조체는, 전계, 광 또는 이 둘에 의해 빛을 방출하는 것인, 발광 구조체
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제1항 또는 제4항에 있어서,상기 발광 구조체는, 300 nm 내지 600 nm 파장의 빛을 방출하는 것인, 발광 구조체
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기판; 제1 전극 및 제2 전극; 을 포함하고,상기 제1 전극 및 제2 전극 사이에 제1항 또는 제4항의 발광 구조체를 포함하고, 전계, 광 또는 이 둘에 의해 빛을 방출하는 발광층;를 포함하는, 발광 소자
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제10항에 있어서,상기 발광 소자는, 상기 발광층과 상기 제1 전극 및 제2 전극 사이에 각각, 적어도 하나의 유기물층을 더 포함하는 것인, 발광 소자
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제11항에 있어서,상기 유기물층은, 정공 주입층, 정공 수송층, 정공 저지층 및 전자 수송층으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것인, 발광 소자
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금속 촉매 나노 입자가 표면에 하나 이상 형성된 베이스 기판을 준비하는 단계; 육방정계-질화붕소 박막을 상기 베이스 기판 상에 전사하는 단계; 및상기 육방정계-질화붕소 박막 상에 탄소 전구체를 공급하여 그래핀 양자점을 형성하는 단계; 및상기 베이스 기판, 촉매 또는 이 둘을 제거하여 그래핀 양자점-육방정계 질화붕소 박막을 획득하는 단계; 를 포함하는,제1항 또는 제4항의 발광 구조체의 제조방법
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제13항에 있어서,그래핀 양자점-육방정계 질화붕소 박막층을 적층하는 단계; 를 더 포함하고,상기 적층하는 단계는, 기판 상에 적어도 하나의 그래핀 양자점-육방정계 질화붕소 박막을 전사하여 적층하는 것인, 발광 구조체의 제조방법
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제14항에 있어서,상기 적층하는 단계는, 상기 그래핀 양자점-육방정계 질화붕소 박막층 상에 적어도 하나의 육방정계-질화붕소 박막층을 더 적층하는 것인, 발광 구조체의 제조방법
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제13항에 있어서,상기 베이스 기판을 준비하는 단계는, 상기 베이스 기판 상에 상기 그래핀 양자점이 형성될 위치에, 상기 형성될 그래핀 양자점의 크기에 상응하는 금속 촉매 나노 입자를 하나 이상 형성하는 것인, 발광 구조체의 제조방법
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제13항에 있어서,상기 탄소 전구체는, 메탄(CH4), 에틸렌 (C2H4) 및 아세틸린 (C2H2)로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하고,상기 탄소 전구체의 공급은 비활성 기체와 함께 공급되는 것이고, 상기 탄소 전구체는 1 sccm 내지 100 sccm의 유량으로 0
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제13항에 있어서,상기 그래핀 양자점을 형성하는 단계는, 800 ℃ 내지 1100 ℃ 의 온도에서 20 분 내지 60 분 동안 열처리를 수행하는 것을 포함하는 것인, 발광 구조체의 제조방법
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