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상부 중간에 포논 주파수를 제어하는 돌출 또는 요입된 진동제어부재가 형성된 사각의 셀을 포함하고,다수의 상기 셀이 좌우 및 상하방향으로 배열된 것을 특징으로 하는 위상절연체 구조물
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제1항에 있어서,상기 진동제어부재는 길이가 너비보다 긴 것을 특징으로 하는 위상절연체 구조물
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제2항에 있어서,상기 진동제어부재와 상기 셀은 길이방향으로 서로 나란하게 형성된 것을 특징으로 하는 위상절연체 구조물
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제3항에 있어서,상기 셀의 너비방향의 일측 가장자리에서부터 상기 진동제어부재까지의 이격된 거리(a)와, 상기 셀의 길이방향의 일측 가장자리에서부터 상기 진동제어부재까지의 이격된 거리(b)와, 상기 진동제어부재의 길이(L) 및 너비(w)는 L+2b=w+2a의 관계를 갖는 것을 특징으로 하는 위상절연체 구조물
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제2항에 있어서,상기 진동제어부재의 길이는 1μm 내지 20μm인 것을 특징으로 하는 위상절연체 구조물
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제1항에 있어서, 상기 위상절연체 구조물은, , 중 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 위상절연체 구조물
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제1항에 있어서, 상기 위상절연체 구조물은포토 리소그래피(photo-lithography) 공법으로 제조된 것을 특징으로 하는 위상절연체 구조물
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기판 위에 위상절연체층을 위치시키는 단계; 및상기 위상절연체층을 포토 리소그래피(photo-lithography) 공법으로 식각하여 돌출 또는 요입되어 일정하게 배열됨으로써 포논 주파수를 제어할 수 있는 진동제어부재를 형성시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 위상절연체 구조물의 제조 방법
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제10항에 있어서, 상기 기판 위에 위상절연체층을 위치시키는 단계는분자선 에피턱셜법(molecular beam epitaxy)을 이용하여 상기 기판 위에 상기 위상절연체층이 성장되는 것을 특징으로 하는 위상절연체 구조물의 제조 방법
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제10항에 있어서,상기 위상절연체층은 , , 중 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 위상절연체 구조물의 제조 방법
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제10항에 있어서,상기 위상절연체층은 10nm 내지 100nm의 높이를 가지는 것을 특징으로 하는 위상절연체 구조물의 제조 방법
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제10항에 있어서, 상기 진동제어부재를 형성시키는 단계는UV-lithography 및 ion-etching을 이용하여 식각시키는 것으로 실시되는 것을 특징으로 하는 위상절연체 구조물의 제조 방법
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제10항에 있어서,상기 진동제어부재는 길이가 너비보다 긴 것을 특징으로 하는 위상절연체 구조물의 제조 방법
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제15항에 있어서,상기 진동제어부재의 길이(L) 및 너비(w)와, 상기 진동제어부재와 너비 방향으로 인접한 다른 진동제어부재와의 거리(2a)와, 상기 진동제어부재와 길이 방향으로 인접한 다른 진동제어부재와의 거리(2b)는 L+2b=w+2a의 관계를 갖는 것을 특징으로 하는 위상절연체 구조물의 제조 방법
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제15항에 있어서,상기 진동제어부재의 길이는 1μm 내지 20μm인 것을 특징으로 하는 위상절연체 구조물의 제조 방법
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기판;상부 중간에 포논 주파수를 제어하는 돌출 또는 요입된 진동제어부재가 형성된 사각의 셀을 포함하고, 다수의 상기 셀이 좌우 및 상하방향으로 배열된 위상절연체 구조물;상기 위상절연체 구조물 위에 위치한 드레인 전극;상기 드레인 전극과 이격되고, 상기 위상절연체 구조물 위에 위치하는 소스 전극;상기 소스 전극 위에 위치하는 터널접합층; 및상기 터널접합층 위에 위치하는 게이트 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 트랜지스터
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전자기파가 수신되면 전류가 발생되는 발전부재와, 상기 발전부재와 연결된 적어도 두 개의 전극을 포함하는 솔라셀에 있어서,상기 발전부재는 상부 중간에 포논 주파수를 제어하는 돌출 또는 요입된 진동제어부재가 형성된 사각의 셀을 포함하고, 다수의 상기 셀이 좌우 및 상하방향으로 배열된 위상절연체 구조물을 포함하는 것을 특징으로 하는 솔라셀
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