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외부 반사기;상기 외부 반사기의 일측에 배치되고, 제1 방향을 따라 배열된 이득영역, 반사영역 및 변조영역을 포함하는 기판;상기 이득영역, 상기 반사영역 및 상기 변조영역들의 기판 상에 연속적으로 배치된 광 도파로; 및상기 반사영역의 기판 상에 상기 광 도파로와 인접하게 배치된 제1 회절격자 및 제2 회절격자를 포함하되,상기 이득영역은 상기 외부 반사기 및 상기 반사영역의 사이에 배치되고,상기 제1 회절격자 및 상기 제2 회절격자는 서로 다른 격자 주기를 갖는 파장 가변 광원
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제 1 항에 있어서,상기 광 도파로 및 상기 기판 사이에 배치된 하부 클래딩층; 및상기 광 도파로 상에 배치된 상부 클래딩층을 더 포함하되,상기 제1 회절격자 및 상기 제2 회절격자는 상기 하부 클래딩층 또는 상기 상부 클래딩층 내에 배치되는 파장 가변 광원
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제 2 항에 있어서,상기 하부 클래딩층은 제1 도전형의 도펀트로 도핑된 화합물 반도체를 포함하고, 상기 상부 클래딩층은 제2 도전형의 도펀트로 도핑된 화합물 반도체를 포함하는 파장 가변 광원
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제 1 항에 있어서,상기 광 도파로는 상기 이득영역 내의 이득 도파로, 상기 반사영역 내의 수동 도파로 및 상기 변조영역 내의 변조 도파로를 포함하고, 상기 수동 도파로는 상기 이득 도파로 및 상기 변조 도파로와 맞대기 결합(buttcoupling)되는 파장 가변 광원
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5
제 4 항에 있어서,상기 광 도파로와 상기 기판 사이에 배치되는 하부 전극, 상기 이득 도파로 상에 배치된 제1 상부 전극 및 상기 변조 도파로 상에 배치된 제2 상부전극을 더 포함하는 파장 가변 광원
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제 1 항에 있어서,상기 제1 회절격자 및 상기 제2 회절격자는 상기 제1 방향을 따라 연속적으로 배치되는 파장 가변 광원
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7
제 1 항에 있어서,상기 제1 회절격자 및 상기 제2 회절격자 사이의 제3 회절격자를 더 포함하고,상기 제3 회절격자의 격자 주기는 상기 제1 회절격자의 격자 주기보다 크고 상기 제2 회절격자의 격자 주기보다 작은 파장 가변 광원
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제 7 항에 있어서,상기 제1 회절격자 및 상기 제2 회절격자의 격자 수는 실질적으로 동일한 파장 가변 광원
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제 7 항에 있어서,상기 제3 회절격자의 격자 수는 상기 제1 회절격자의 격자 수 및 상기 제2 회절격자의 격자 수보다 작은 파장 가변 광원
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제 1 항에 있어서,상기 외부 반사기는 외부 회절격자를 포함하는 파장 가변 광원
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제 1 항에 있어서,상기 외부 반사기는 외부 회절격자 및 상기 외부 회절격자를 지지하는 지지대를 포함하고,상기 외부 회절격자는 상기 지지대에 회동 가능하게 결합되는 파장 가변 광원
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제 1 항에 있어서, 상기 외부 반사기와 상기 이득영역의 사이에 배치되는 편향기 및 상기 편향기와 상기 이득영역 사이에 배치되는 렌즈를 더 포함하는 파장 가변 광원
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13
제 1 항에 있어서,상기 광 도파로는 상기 이득영역 내의 이득 도파로 및 상기 반사영역의 내부로부터 상기 변조영역의 내부로 연장되는 수동 도파로를 포함하고,상기 이득 도파로 및 상기 수동 도파로는 맞대기 결합되는 파장 가변 광원
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14
제 13 항에 있어서,상기 수동 도파로는 상기 변조영역 내에서 복수의 도파로들로 분기되고,상기 복수의 도파로들 중 적어도 어느 한 도파로 상에 배치되는 전극을 더 포함하는 파장 가변 광원
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15
제 2 항에 있어서,상기 하부 클래딩층, 광도파로 및 상부 클래딩층은 상기 제1 방향과 수직한 제2 방향으로 적층되고,상기 외부 반사기는 상기 제2 방향을 따라 연장된 형상을 갖는 외부 회절격자를 포함하는 파장 가변 광원
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제 15 항에 있어서,상기 외부 회절격자는 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향과 수직한 제3 방향을 따라 굴절률이 주기적으로 변화하는 브래그 격자를 포함하는 파장 가변 광원
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