맞춤기술찾기

이전대상기술

OTS에서 발생되는 전압 드리프트를 개선하기 위한 상변화 메모리 소자 및 상기 상변화 메모리 소자의 센싱 기준값 결정 방법

  • 기술번호 : KST2020008687
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 OTS에서 발생되는 전압 드리프트를 개선하기 위한 상변화 메모리 소자 및 상기 상변화 메모리 소자의 센싱 기준값 결정 방법이 개시된다. 일 실시예에 따르면, 상기 상변화 메모리 소자는, 복수의 비트라인들; 상기 복수의 비트라인들과 교차하도록 배치되는 복수의 소스라인들; 각각의 상변화층 및 OTS를 포함하도록 구성된 채 상기 복수의 비트라인들 및 상기 복수의 소스라인들의 교차점들에 각각 배치되는 복수의 메모리 셀들; 상기 복수의 메모리 셀들에 대한 판독 동작이 수행되는 과정에서 이용되는 센싱 기준값을 결정하여 저장하는 매핑 회로; 상기 복수의 메모리 셀들 중 적어도 하나의 메모리 셀에 대한 판독 동작이 수행됨에 따라 상기 적어도 하나의 메모리 셀의 저항값을 출력하는 센싱 회로; 및 상기 센싱 회로에서 출력되는 저항값에 따른 저항 분포에 기초하여, 상기 센싱 기준값을 업데이트하는 제어부를 포함한다.
Int. CL G11C 13/00 (2006.01.01)
CPC G11C 13/004(2013.01) G11C 13/004(2013.01) G11C 13/004(2013.01) G11C 13/004(2013.01)
출원번호/일자 1020180136341 (2018.11.08)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2020-0053131 (2020.05.18) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.11.08)
심사청구항수 6

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 송윤흡 서울특별시 성동구
2 권준영 서울특별시 성동구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 양성보 대한민국 서울특별시 강남구 선릉로***길 ** (논현동) 삼성빌딩 *층(피앤티특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 서울특별시 성동구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2018.11.08 수리 (Accepted) 1-1-2018-1108011-50
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2019.08.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2019.10.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2019-0127160-60
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2019.11.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0831778-66
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2020.01.20 수리 (Accepted) 1-1-2020-0061803-93
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2020.02.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-0155038-08
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2020.02.13 수리 (Accepted) 1-1-2020-0155037-52
10 등록결정서
Decision to grant
2020.06.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0401848-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
OTS(Ovonic Threshold Switch)에서 발생되는 전압 드리프트를 개선하기 위한 상변화 메모리 소자에 있어서, 복수의 비트라인들; 상기 복수의 비트라인들과 교차하도록 배치되는 복수의 소스라인들; 각각의 상변화층 및 OTS를 포함하도록 구성된 채 상기 복수의 비트라인들 및 상기 복수의 소스라인들의 교차점들에 각각 배치되는 복수의 메모리 셀들; 상기 복수의 메모리 셀들에서의 저항 분포를 추정하여 저장하고, 상기 추정된 저항 분포에 기초하여 상기 복수의 메모리 셀들에 대한 판독 동작이 수행되는 과정에서 이용되는 센싱 기준값을 결정하여 저장하는 매핑 회로; 상기 복수의 메모리 셀들 중 적어도 하나의 메모리 셀에 대한 판독 동작이 수행됨에 따라 상기 적어도 하나의 메모리 셀의 저항값을 출력하는 센싱 회로; 및 상기 센싱 회로에서 출력되는 저항값에 따른 저항 분포 및 상기 매핑 회로에 저장된 저항 분포를 비교하여, 상기 센싱 기준값을 업데이트하는 제어부를 포함하고, 상기 제어부는, 상기 비교한 결과, 상기 센싱 회로에서 출력되는 저항값에 따른 저항 분포 및 상기 매핑 회로에 저장된 저항 분포 사이의 차이가 기 설정된 오차 범위 이상인 경우 상기 센싱 회로에서 출력되는 저항값에 따른 저항 분포 및 상기 매핑 회로에 저장된 저항 분포 사이의 차이를 기초로 새로운 센싱 기준값을 결정하거나, 상기 비교한 결과, 상기 센싱 회로에서 출력되는 저항값에 따른 저항 분포 및 상기 매핑 회로에 저장된 저항 분포 사이의 차이가 기 설정된 오차 범위 내인 경우 상기 센싱 기준값을 유지하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
제1항에 있어서,상기 제어부는, 상기 업데이트된 센싱 기준값을 상기 센싱 회로로 제공하여 상기 센싱 회로가 상기 복수의 메모리 셀들에 대한 판독 동작을 수행하도록 하는, 상변화 메모리 소자
6 6
제5항에 있어서,상기 제어부는, 상기 센싱 기준값을 업데이트하여 상기 센싱 회로로 제공함으로써, 상기 복수의 메모리 셀들에 대한 판독 동작에서 발생되는 판독 에러 및 판독 실패를 방지하는, 상변화 메모리 소자
7 7
복수의 비트라인들, 상기 복수의 비트라인들과 교차하도록 배치되는 복수의 소스라인들, 각각의 상변화층 및 OTS(Ovonic Threshold Switch)를 포함하도록 구성된 채 상기 복수의 비트라인들 및 상기 복수의 소스라인들의 교차점들에 각각 배치되는 복수의 메모리 셀들을 포함하는 상변화 메모리 소자의 센싱 기준값 결정 방법에 있어서, 상기 상변화 메모리 소자에 포함되는 매핑 회로가, 상기 복수의 메모리 셀들에서의 저항 분포를 추정하여 저장하는 단계; 상기 매핑 회로가, 상기 추정된 저항 분포에 기초하여 상기 복수의 메모리 셀들에 대한 판독 동작이 수행되는 과정에서 이용되는 센싱 기준값을 결정하여 저장하는 단계; 상기 상변화 메모리 소자에 포함되는 센싱 회로가, 상기 복수의 메모리 셀들 중 적어도 하나의 메모리 셀에 대한 판독 동작이 수행됨에 따라 상기 적어도 하나의 메모리 셀의 저항값을 출력하는 단계; 및 상기 상변화 메모리 소자에 포함되는 제어부가, 상기 센싱 회로에서 출력되는 저항값에 따른 저항 분포 및 상기 매핑 회로에 저장된 저항 분포를 비교하여, 상기 센싱 기준값을 업데이트하는 단계를 포함하고, 상기 업데이트하는 단계는, 상기 비교한 결과, 상기 센싱 회로에서 출력되는 저항값에 따른 저항 분포 및 상기 매핑 회로에 저장된 저항 분포 사이의 차이가 기 설정된 오차 범위 이상인 경우 상기 센싱 회로에서 출력되는 저항값에 따른 저항 분포 및 상기 매핑 회로에 저장된 저항 분포 사이의 차이를 기초로 새로운 센싱 기준값을 결정하는 단계; 또는 상기 비교한 결과, 상기 센싱 회로에서 출력되는 저항값에 따른 저항 분포 및 상기 매핑 회로에 저장된 저항 분포 사이의 차이가 기 설정된 오차 범위 내인 경우 상기 센싱 기준값을 유지하는 단계 중 어느 하나의 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자의 센싱 기준값 결정 방법
8 8
삭제
9 9
삭제
10 10
삭제
11 11
제7항에 있어서,상기 업데이트하는 단계는, 상기 업데이트된 센싱 기준값을 기초로 상기 복수의 메모리 셀들에 대한 판독 동작을 수행하는 단계를 더 포함하는 상변화 메모리 소자의 센싱 기준값 결정 방법
12 12
제11항에 있어서,상기 수행하는 단계는, 상기 업데이트된 센싱 기준값을 이용함으로써, 상기 복수의 메모리 셀들에 대한 판독 동작에서 발생되는 판독 에러 및 판독 실패를 방지하는 단계인, 상변화 메모리 소자의 센싱 기준값 결정 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 한양대학교 원천기술개발사업 / 나노·소재 기술개발사업 / 나노·소재원천기술개발사업 상변화 물질 기반 신경 세포 모방형 시냅스 소자, 아키텍처 원천 기술