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저항 드리프트를 개선하기 위한 상변화 메모리 소자 및 상기 상변화 메모리 소자의 동적 저항 드리프트 보상 방법

  • 기술번호 : KST2020009732
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 저항 드리프트를 개선하기 위한 상변화 메모리 소자 및 상기 상변화 메모리 소자의 동적 저항 드리프트 보상 방법이 개시된다. 일 실시예에 따르면, 상변화 메모리 소자는, 복수의 비트라인들; 상기 복수의 비트라인들과 교차하도록 배치되는 복수의 소스라인들; 각각의 상변화층을 포함하도록 구성된 채, 상기 복수의 비트라인들 및 상기 복수의 소스라인들의 교차점들에 각각 배치되는 복수의 메모리 셀들; 상기 복수의 비트라인들과 연결된 채, 상기 복수의 메모리 셀들 각각으로 공급될 셋 전류를 발생시키는 전류 발생기; 및 상기 셋 전류가 상기 복수의 메모리 셀들 각각으로 공급되도록 상기 전류 발생기 및 상기 복수의 비트라인들을 제어하는 제어 드라이버를 포함한다.
Int. CL G11C 13/00 (2006.01.01)
CPC G11C 13/0033(2013.01) G11C 13/0033(2013.01) G11C 13/0033(2013.01)
출원번호/일자 1020190001783 (2019.01.07)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2020-0085538 (2020.07.15) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2019.01.07)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 송윤흡 경기도 성남시 분당구
2 최준태 서울특별시 성동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자 주식회사 경기도 수원시 영통구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2019.01.07 수리 (Accepted) 1-1-2019-0018123-32
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2019.11.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 심사처리보류(연기)보고서
Report of Deferment (Postponement) of Processing of Examination		 2019.12.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2019-0145563-78
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2020.02.13 수리 (Accepted) 9-1-2020-0006593-18
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2020.02.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0135993-53
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2020.03.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-0311265-71
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2020.03.25 수리 (Accepted) 1-1-2020-0311264-25
10 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2020.07.03 수리 (Accepted) 1-1-2020-0695289-61
11 등록결정서
Decision to grant		 2020.07.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0465628-10
12 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2020.07.23 수리 (Accepted) 1-1-2020-0772712-13
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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동적 저항 드리프트 보상을 이용하는 상변화 메모리 소자에 있어서, 복수의 비트라인들; 상기 복수의 비트라인들과 교차하도록 배치되는 복수의 소스라인들; 각각의 상변화층을 포함하도록 구성된 채, 상기 복수의 비트라인들 및 상기 복수의 소스라인들의 교차점들에 각각 배치되는 복수의 메모리 셀들; 상기 복수의 비트라인들과 연결된 채, 상기 복수의 메모리 셀들 각각으로 공급될 셋 전류를 발생시키는 전류 발생기; 및 상기 셋 전류가 상기 복수의 메모리 셀들 각각으로 공급되도록 상기 전류 발생기 및 상기 복수의 비트라인들을 제어하는 제어 드라이버를 포함하고, 상기 제어 드라이버는, 동일한 값의 상기 셋 전류가 상기 복수의 메모리 셀들에 순차적으로 공급됨에 의한 상기 복수의 메모리 셀들 각각의 상태 별 온도 차이에 따라 부분적인 셋 정도가 달라지는 것을 이용하기 위하여, 상기 복수의 메모리 셀들 각각이 상태 별로 리커버리 되도록 상기 셋 전류를 상기 복수의 메모리 셀들 각각의 상태 별로 부분적인 셋 동작이 가능하게 하는 동일한 값으로 설정하고, 상기 설정된 동일한 값의 셋 전류를 상기 복수의 메모리 셀들에 일정 시간 간격에 따라 순차적으로 공급하는 상변화 메모리 소자
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제1항에 있어서,상기 제어 드라이버는, 상기 복수의 메모리 셀들 각각이 상기 셋 전류에 의해 상태 별로 리커버리 되도록 상기 전류 발생기 및 상기 복수의 비트라인들을 제어하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자
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복수의 비트라인들; 상기 복수의 비트라인들과 교차하도록 배치되는 복수의 소스라인들; 각각의 상변화층을 포함하도록 구성된 채, 상기 복수의 비트라인들 및 상기 복수의 소스라인들의 교차점들에 각각 배치되는 복수의 메모리 셀들; 상기 복수의 비트라인들과 연결된 채, 상기 복수의 메모리 셀들 각각으로 공급될 셋 전류를 발생시키는 전류 발생기; 및 상기 셋 전류가 상기 복수의 메모리 셀들 각각으로 공급되도록 상기 전류 발생기 및 상기 복수의 비트라인들을 제어하는 제어 드라이버를 포함하는 상변화 메모리 소자의 동적 저항 드리프트 보상 방법에 있어서, 상기 셋 전류의 값을 설정하는 단계; 및 상기 복수의 메모리 셀들 각각이 리커버리 되도록 상기 셋 전류를 상기 복수의 메모리 셀들 각각으로 공급하는 단계를 포함하고, 상기 설정하는 단계는, 동일한 값의 상기 셋 전류가 상기 복수의 메모리 셀들에 순차적으로 공급됨에 의한 상기 복수의 메모리 셀들 각각의 상태 별 온도 차이에 따라 부분적인 셋 정도가 달라지는 것을 이용하기 위하여, 상기 복수의 메모리 셀들 각각이 상태 별로 리커버리 되도록 상기 셋 전류를 상기 복수의 메모리 셀들 각각의 상태 별로 부분적인 셋 동작이 가능하게 하는 동일한 값으로 설정하는 단계이며, 상기 공급하는 단계는, 상기 설정된 동일한 값의 셋 전류를 상기 복수의 메모리 셀들에 일정 시간 간격에 따라 순차적으로 공급하는 단계인 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자의 동적 저항 드리프트 보상 방법
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제8항에 있어서,상기 공급하는 단계는, 상기 복수의 메모리 셀들 각각이 상기 셋 전류에 의해 상태 별로 리커버리 되도록 상기 전류 발생기 및 상기 복수의 비트라인들을 제어하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자의 동적 저항 드리프트 보상 방법
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1 과학기술정보통신부 한양대학교 산학협력단 원천기술개발사업 / 나노·소재 기술개발사업 / 나노·소재원천기술개발사업 상변화 물질 기반 신경 세포 모방형 시냅스 소자, 아키텍처 원천 기술