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가변 정밀도 양자화 장치 및 방법

  • 기술번호 : KST2021002625
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 입력 데이터를 인가받아 입력 데이터의 범위별로 정밀도가 가변되는 n 비트의 가변 정밀도 데이터로 양자화하기 위해, n 비트의 데이터를 이진 비트 구간 및 증가 비트 구간으로 구분하고, 요구되는 표현 정밀도 및 표현 범위 따라 상기 증가 비트 구간의 비트 수가 조절되도록 n 비트 중 상기 이진 비트 구간의 비트 수를 설정하는 이진 비트 구간 설정부 및 양자화되는 입력 데이터의 양자화 범위를 조절하기 위해 상기 이진 비트 구간에 입력되는 이진 데이터의 최소 증감 단위를 지정하여 증분 데이터를 계산하고, 상기 증분 데이터에 따른 양자화 범위에서 상기 입력 데이터에 대응하는 값을 나타내는 이진 데이터를 계산하며, 계산된 증분 데이터와 이진 데이터를 순차적으로 배치하여 가변 정밀도 데이터로 변환하는 가변 정밀도 변환부를 포함하는 가변 정밀도 양자화 장치 및 방법을 제공할 수 있다.
Int. CL G06N 10/00 (2019.01.01) B82Y 10/00 (2017.01.01)
CPC G06N 10/00(2013.01) B82Y 10/00(2013.01)
출원번호/일자 1020190086281 (2019.07.17)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2021-0009584 (2021.01.27) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2019.07.17)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정기석 서울특별시 용산구
2 노시동 서울특별시 광진구
3 박상수 경기도 구리시
4 박경빈 서울특별시 중구
5 이민규 서울특별시 성동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 민영준 대한민국 서울특별시 강남구 남부순환로 ****, *층(도곡동, 차우빌딩)(맥스국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2019.07.17 수리 (Accepted) 1-1-2019-0731932-32
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2020.07.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0521093-86
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2020.09.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-1036489-96
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
2020.09.29 수리 (Accepted) 1-1-2020-1036509-11
7 등록결정서
Decision to grant
2021.02.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2021-0140803-50
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번호 청구항
1 1
입력 데이터를 인가받아 입력 데이터의 범위별로 정밀도가 가변되는 n 비트의 가변 정밀도 데이터로 양자화하는 양자화 장치에 있어서, n 비트의 데이터를 이진 비트 구간 및 증가 비트 구간으로 구분하고, 요구되는 표현 정밀도 및 표현 범위 따라 상기 증가 비트 구간의 비트 수가 조절되도록 n 비트 중 상기 이진 비트 구간의 비트 수를 설정하는 이진 비트 구간 설정부; 및 양자화되는 입력 데이터의 양자화 범위를 조절하기 위해 상기 이진 비트 구간에 입력되는 이진 데이터의 최소 증감 단위를 지정하여 증분 데이터를 계산하고, 상기 증분 데이터에 따른 양자화 범위에서 상기 입력 데이터에 대응하는 값을 나타내는 이진 데이터를 계산하며, 계산된 증분 데이터와 이진 데이터를 순차적으로 배치하여 가변 정밀도 데이터로 변환하는 가변 정밀도 변환부; 를 포함하는 양자화 장치
2 2
제1 항에 있어서, 상기 가변 정밀도 변환부는 이진수로 인가되는 입력 데이터에서 부호 비트를 제외한 최상위 비트의 비트 위치값에서 상기 이진 비트 구간의 비트 수를 차감하여 증분 데이터를 획득하고, 부호 비트와 다음 최상위 비트를 제외한 나머지 최상위 비트 중 최상위 비트로부터 순차적으로 이진 비트 구간의 비트 수만큼의 데이터를 이진 데이터로 추출하며, 이진 데이터로 추출된 비트를 제외한 나머지 비트 중 최상위 1비트를 반올림 비트 값으로 획득하여, 부호 비트를 최상위 비트로 획득된 증분 데이터 및 추출된 이진 데이터를 순차적으로 배열하고, 상기 반올림 비트 값을 가산하여 상기 가변 정밀도 데이터를 획득하는 양자화 장치
3 3
제2 항에 있어서, 상기 양자화 장치는 상기 입력 데이터가 소수점 이하 자리를 포함하는 데이터이면, 정수형 데이터로 변환하고, 입력 데이터를 정수형 데이터로 변환하기 위한 지수값을 나타내는 스케일링 팩터를 획득하여 저장하는 스테일링 팩터 설정부; 를 더 포함하는 양자화 장치
4 4
제1 항에 있어서, 상기 이진 비트 구간 설정부는 요구되는 표현 정밀도가 세밀하거나, 표현 범위가 넓을 수록 상기 이진 비트 구간의 비트 수를 감소시키는 양자화 장치
5 5
제1 항에 있어서, 상기 이진 비트 구간 설정부는 상기 입력 데이터의 분산에 비례하여 상기 이진 비트 구간의 비트 수를 증가시키는 양자화 장치
6 6
제1 항에 있어서, 상기 이진 비트 구간 설정부는 상기 입력 데이터에 부호 비트가 포함되어 있으면, 상기 n 비트의 가변 정밀도 데이터에서 최상위 비트를 부호 비트로 설정하는 양자화 장치
7 7
입력 데이터를 인가받아 입력 데이터의 범위별로 정밀도가 가변되는 n 비트의 가변 정밀도 데이터로 양자화하는 양자화 방법에 있어서, n 비트의 데이터를 이진 비트 구간 및 증가 비트 구간으로 구분하는 단계; 요구되는 표현 정밀도 및 표현 범위 따라 상기 증가 비트 구간의 비트 수가 조절되도록 n 비트 중 상기 이진 비트 구간의 비트 수를 설정하는 단계; 및 양자화되는 입력 데이터의 양자화 범위를 조절하기 위해 상기 이진 비트 구간에 입력되는 이진 데이터의 최소 증감 단위를 지정하여 증분 데이터를 계산하고, 상기 증분 데이터에 따른 양자화 범위에서 상기 입력 데이터에 대응하는 값을 나타내는 이진 데이터를 계산하며, 계산된 증분 데이터와 이진 데이터를 순차적으로 배치하여 가변 정밀도 데이터로 변환하는 단계; 를 포함하는 양자화 방법
8 8
제7 항에 있어서, 상기 가변 정밀도 데이터로 변환하는 단계는 이진수로 인가되는 입력 데이터에서 부호 비트를 제외한 최상위 비트의 비트 위치값에서 상기 이진 비트 구간의 비트 수를 차감하여 증분 데이터를 획득하는 단계; 부호 비트와 다음 최상위 비트를 제외한 나머지 최상위 비트 중 최상위 비트로부터 순차적으로 이진 비트 구간의 비트 수만큼의 데이터를 이진 데이터로 추출하는 단계; 이진 데이터로 추출된 비트를 제외한 나머지 비트 중 최상위 1비트를 반올림 비트 값으로 획득하는 단계; 부호 비트를 최상위 비트로 획득된 증분 데이터 및 추출된 이진 데이터를 순차적으로 배열하는 단계; 및 상기 반올림 비트 값을 가산하여 상기 가변 정밀도 데이터를 획득하는 단계; 를 포함하는 양자화 방법
9 9
제8 항에 있어서, 상기 양자화 방법은 상기 입력 데이터가 소수점 이하 자리를 포함하는 데이터이면, 정수형 데이터로 변환하고, 입력 데이터를 정수형 데이터로 변환하기 위한 지수값을 나타내는 스케일링 팩터를 획득하여 저장하는 단계; 를 더 포함하는 양자화 방법
10 10
제7 항에 있어서, 상기 이진 비트 구간의 비트 수를 설정하는 단계는 요구되는 표현 정밀도가 세밀하거나, 표현 범위가 넓을 수록 상기 이진 비트 구간의 비트 수를 감소시키는 양자화 방법
11 11
제7 항에 있어서, 상기 이진 비트 구간의 비트 수를 설정하는 단계는 상기 입력 데이터의 분산에 비례하여 상기 이진 비트 구간의 비트 수를 증가시키는 양자화 방법
12 12
제7 항에 있어서, 상기 양자화 방법은 상기 입력 데이터에 부호 비트가 포함되어 있으면, 상기 n 비트의 가변 정밀도 데이터에서 최상위 비트를 부호 비트로 설정하는 단계; 를 더 포함하는 양자화 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 (사)한국반도체산업협회 인력양성사업 / 현장인력재교육사업 / 지능형반도체 전문인력양성사업(RCMS) 지능형반도체전문인력양성사업